據(jù)悉，SiC高溫外延裝備申請發(fā)明專利共計30余件，其中4件已獲得專利授權，裝備的主要功能和性能指標已達到設計要求。
SiC外延是SiC器件生產過程中的核心工藝，生產成本占器件生產過程的22%，其生產裝備被歐美等發(fā)達國家壟斷。該裝備的成功研制將解決我國第三代半導體SiC器件生產用關鍵工藝裝備全部依賴進口的“卡脖子”問題。
該設備核心部件全部采用國產，整機國產化率超過85%。設備實現(xiàn)了首次近30小時的穩(wěn)定運行，本底真空度、漏率、控溫精度等相關指標達到國際先進水平，升溫速率、最高工藝溫度等部分指標領先國際先進水平。
季華實驗室（先進制造科學與技術廣東省實驗室）是廣東省委、省政府啟動的首批4家廣東省實驗室之一。先期確定了機械工程、光學工程、材料科學與工程、電子科學與技術、生物醫(yī)學工程、計算機科學與技術等六個學科方向，部署了半導體技術與裝備、機器人及其關鍵技術、高端裝備制造、增材制造、微納制造、新材料新器件研究等六個研究方向。
