身處半導(dǎo)體賽道的行業(yè)巨頭們，早就按捺不住內(nèi)心的渴望，開(kāi)始向“碳中和”市場(chǎng)進(jìn)軍。以碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體（第三代半導(dǎo)體）成為市場(chǎng)聚焦的新賽道。
碳化硅作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和漂移速度以及更高的抗輻射能力，是制造高溫、高頻、大功率半導(dǎo)體器件的理想材料，是未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要方向，將成為支撐5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)、新能源汽車(chē)及充電樁、特高壓輸變電及軌道交通等"新基建"的關(guān)鍵核心材料。
SiC器件相比Si器件可降低50%以上的能量損失，并減小75%以上的裝備體積，是助力社會(huì)節(jié)能減排并實(shí)現(xiàn)“碳中和”目標(biāo)的重要發(fā)展方向。以效率優(yōu)勢(shì)帶來(lái)節(jié)能優(yōu)勢(shì)，是SiC貢獻(xiàn)碳中和的著力點(diǎn)。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)估，全球SiC功率市場(chǎng)規(guī)模將從2020年的6.8億美元增長(zhǎng)至2025年的33.9億美元，CAGR達(dá)38%。其中，新能源汽車(chē)（主驅(qū)逆變器/OBC車(chē)載充電器/DC-DC直流變壓器）將成為主要驅(qū)動(dòng)力，或在2025年占據(jù)62%市場(chǎng)份額。
面對(duì)巨大的市場(chǎng)前景，SiC正成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)爭(zhēng)奪的焦點(diǎn)，國(guó)內(nèi)外與SiC相關(guān)的技術(shù)、產(chǎn)品、市場(chǎng)、投資均呈現(xiàn)較高增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。國(guó)際企業(yè)紛紛大力完善SiC的產(chǎn)業(yè)布局，強(qiáng)化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)以搶奪日漸增長(zhǎng)的市場(chǎng)份額。當(dāng)下，由于SiC的生產(chǎn)瓶頸尚未解決，原料晶柱的質(zhì)量不穩(wěn)定存在良率問(wèn)題、SiC器件的成本過(guò)高等因素，SiC整體市場(chǎng)無(wú)法大規(guī)模普及，SiC仍然面臨巨大的產(chǎn)能缺口。而面對(duì)日益旺盛的下游需求，國(guó)產(chǎn)替代的機(jī)遇也正在顯現(xiàn)。
SiC發(fā)展進(jìn)入快車(chē)道
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程，其先后經(jīng)歷了以硅(Si)為代表的第一代半導(dǎo)體材料，以砷化鎵(GaAs)為代表的第二代半導(dǎo)體材料，在20世紀(jì)，這兩代半導(dǎo)體材料為工業(yè)進(jìn)步、社會(huì)發(fā)展做出了巨大貢獻(xiàn)。而如今，以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體雖處于初期階段，但是市場(chǎng)已經(jīng)顯示出了巨大的需求。
在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性，一直被視為“理想器件”而備受期待。從SiC被發(fā)現(xiàn)以來(lái)，關(guān)于其研究就一直沒(méi)有停止過(guò)。
由于SiC是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，世界各國(guó)對(duì)其研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力財(cái)力積極發(fā)展，美國(guó)、歐洲、日本等從國(guó)家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃。
美國(guó)：2014年1月，時(shí)任美國(guó)總統(tǒng)的奧巴馬親自主導(dǎo)成立了以SiC為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟。這一舉措的背后，是美國(guó)對(duì)以SiC半導(dǎo)體為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)力支持。
歐洲：德國(guó)英飛凌公司與歐洲17家企業(yè)共同成立SmartPM（SmartPowerManagement）組織，拓展碳化硅在電源和電器設(shè)備中的應(yīng)用。歐洲納米科技咨詢委員會(huì)（ENIAC）的“高效率電動(dòng)汽車(chē)計(jì)劃”則專(zhuān)注于碳化硅功率器件在新型電動(dòng)汽車(chē)中的應(yīng)用技術(shù)研發(fā)，由英飛凌公司主導(dǎo)。
日本：日本政府早在2013年就已將SiC納入“首相戰(zhàn)略”，認(rèn)為未來(lái)50%的節(jié)能要通過(guò)它來(lái)實(shí)現(xiàn)，創(chuàng)造清潔能源的新時(shí)代。日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省積極開(kāi)展碳化硅的研發(fā)及生產(chǎn)，促進(jìn)碳化硅在通訊電源、混合動(dòng)力汽車(chē)、可再生能源變頻器、工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域的應(yīng)用。
一些國(guó)際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體器件。目前，已經(jīng)有很多廠商開(kāi)始生產(chǎn)碳化硅器件，比如Wolfspeed（原科銳）、美高森美、英飛凌和羅姆等。
相對(duì)國(guó)外市場(chǎng)，我國(guó)開(kāi)展SiC材料及器件方面的研究工作比較晚，在多方因素的推動(dòng)下，中國(guó)SiC產(chǎn)業(yè)鏈已完成基本布局，取得了一定的成果，逐步縮小了與國(guó)外先進(jìn)技術(shù)的差距，各個(gè)環(huán)節(jié)都涌現(xiàn)出幾家領(lǐng)先企業(yè)。
目前，國(guó)內(nèi)SiC襯底生產(chǎn)企業(yè)包括天科合達(dá)、山東天岳、河北同光、北京世紀(jì)金光和中科節(jié)能等。在外延環(huán)節(jié)，我國(guó)相關(guān)企業(yè)主要有瀚天天成和東莞天域，世紀(jì)金光和Norstel也有SiC外延生產(chǎn)業(yè)務(wù)。另外，在器件、模組環(huán)節(jié)，我國(guó)生產(chǎn)企業(yè)主要包括泰科天潤(rùn)、芯光潤(rùn)澤、深圳基本、世紀(jì)金光和揚(yáng)州國(guó)揚(yáng)電子等SiC器件生產(chǎn)企業(yè)，以及中車(chē)時(shí)代電氣、斯達(dá)半導(dǎo)、華潤(rùn)微、士蘭微和揚(yáng)杰科技等傳統(tǒng)功率器件生產(chǎn)企業(yè)。
行業(yè)廠商大幅擴(kuò)產(chǎn)SiC市場(chǎng)需求被快速打開(kāi)
近日，英飛凌官網(wǎng)宣布，將投資超過(guò)20億歐元（合計(jì)約144億人民幣）擴(kuò)大SiC和GaN半導(dǎo)體的產(chǎn)能，今年6月動(dòng)工。據(jù)了解，英飛凌曾透露2022財(cái)年的投資將大幅提升至24億歐元，而如今超八成資金被用在了第三代半導(dǎo)體投資上，足見(jiàn)其對(duì)行業(yè)的高度看好。
此外，近期很多行業(yè)廠商紛紛加大了對(duì)SiC為代表的第三代半導(dǎo)體的投資力度。意法半導(dǎo)體2021年的資本支出達(dá)到約21億美元，其中14億美元將投入全球產(chǎn)能擴(kuò)建，計(jì)劃到2024年將SiC晶圓產(chǎn)能提高到2017年的10倍，SiC營(yíng)收將達(dá)到10億美元。安森美半導(dǎo)體表示今年要將SiC產(chǎn)能擴(kuò)充4倍，2022財(cái)年第一季度，安森美預(yù)計(jì)資本支出約為1.5-1.7億美元，主要用于擴(kuò)產(chǎn)12英寸硅產(chǎn)線產(chǎn)能。
羅姆提出要搶占全球30%SiC市場(chǎng)的目標(biāo)，為了滿足日益擴(kuò)大的SiC產(chǎn)品需求，羅姆相繼加大投資力度，在日本阿波羅筑后和宮崎新工廠將于2022年投入運(yùn)營(yíng)，計(jì)劃器件產(chǎn)能提高5倍以上。
韓國(guó)SKSiltron第三次對(duì)SiC業(yè)務(wù)進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)到2024年將投資近10億元，負(fù)責(zé)后段工藝的生產(chǎn)，計(jì)劃于今年下半年開(kāi)始量產(chǎn)。SKSiltron表示將在未來(lái)5年內(nèi)，在美國(guó)將投資約38.42億人民幣，以擴(kuò)大美國(guó)SiC晶圓生產(chǎn)規(guī)模。
從頭部SiC企業(yè)規(guī)劃在未來(lái)幾年投入巨資，擴(kuò)充產(chǎn)能中，我們可以看到以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在釋放出國(guó)際企業(yè)大力完善第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局，強(qiáng)化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)以搶奪日漸增長(zhǎng)的市場(chǎng)份額的信號(hào)。
資本市場(chǎng)以及行業(yè)廠商大幅擴(kuò)產(chǎn)的背后，也反映著以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)需求正在被快速打開(kāi)。
SiC功率器件大幅提升能源轉(zhuǎn)換效率
功率器件是電力電子的“CPU”，是特高壓電網(wǎng)、高速列車(chē)、新能源汽車(chē)充電樁及工業(yè)變頻器和伺服器的核心芯片，也是各系統(tǒng)電源模塊的關(guān)鍵器件，起到變頻、變流和變壓作用。
SiC功率器件作為一種新型功率器件，在新能源汽車(chē)的應(yīng)用中具有極大優(yōu)勢(shì)。據(jù)悉，SiC材料具有耐高壓、耐高溫、高效率、高頻率、抗輻射等優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，能夠極大地提升現(xiàn)有能源的轉(zhuǎn)換效率。新能源汽車(chē)系統(tǒng)架構(gòu)中涉及到功率半導(dǎo)體應(yīng)用的組件包括三大部分：電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、車(chē)載充電器(OBC)/非車(chē)載充電樁和電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)(車(chē)載DC/DC)，SiC功率器件憑借其獨(dú)有的優(yōu)勢(shì)在其中發(fā)揮著重要的作用。
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，使用SiC器件可提升控制器效率、功率密度以及開(kāi)關(guān)頻率，通過(guò)降低開(kāi)關(guān)損耗和簡(jiǎn)化電路的熱處理系統(tǒng)來(lái)降低成本、重量、大小及功率逆變器的復(fù)雜性。有關(guān)資料顯示，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中采用SiC器件可明顯降低損耗。具體來(lái)說(shuō)，當(dāng)使用SiC器件時(shí)，SiCBJT構(gòu)成的逆變器損耗降低了53%；當(dāng)頻率升高時(shí)，損耗還可以進(jìn)一步降低。據(jù)了解，開(kāi)關(guān)頻率為15kHz時(shí)，SiCBJT逆變器的損耗會(huì)降低67%。
在車(chē)載充電器和非車(chē)載充電樁中使用SiC功率器件可提高電池充電器的工作頻率，實(shí)現(xiàn)充電系統(tǒng)的高效化、小型化，并提升充電系統(tǒng)的可靠性。據(jù)悉，充電模塊的工作環(huán)境具有高頻、高壓和高溫的特點(diǎn)，與Si基器件相比，SiC器件的特性更適合這樣的工作環(huán)境，因此SiC器件在充電模塊中大有可為。
在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中使用SiC功率器件可縮小電路的尺寸，降低重量，縮減無(wú)源器件的成本，在滿足冷卻系統(tǒng)的需求的同時(shí)大大降低整個(gè)系統(tǒng)的重量和體積。據(jù)了解，在電動(dòng)汽車(chē)中，引擎部分需要冷卻系統(tǒng)保持其溫度在105℃，而功率變換器部分則要求冷卻系統(tǒng)使其溫度在70℃左右。為了使兩部分正常工作，必須采用兩套冷卻系統(tǒng)以滿足不同的需求，這無(wú)疑大大增加了電動(dòng)汽車(chē)?yán)鋮s系統(tǒng)的體積。由于SiC功率器件的工作結(jié)溫已經(jīng)達(dá)到361℃，因此在這種情況下采用SiC功率器件可以將引擎冷卻系統(tǒng)與功率變換器系統(tǒng)合二為一，大大減小功率變換器的體積。
多方勢(shì)力暗戰(zhàn)車(chē)用SiC國(guó)內(nèi)企業(yè)跑步入場(chǎng)
公開(kāi)資料顯示，碳化硅的禁帶寬度約為硅的3倍，導(dǎo)熱率為硅的4-5倍，擊穿電壓為硅的8倍，因此碳化硅特別適于制造高溫、高頻、抗輻射的大功率器件，材料的性能優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)得淋漓盡致。
據(jù)IMSResearch報(bào)告顯示，碳化硅功率器件2017年市場(chǎng)份額在3億美元左右，主要集中在光伏逆變器與電源領(lǐng)域。雖只占到功率器件市場(chǎng)的1.5%的規(guī)模，但近幾年的年復(fù)合增長(zhǎng)率保持在30%以上。同時(shí)，在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上也主要是以二極管為主，占到80%以上的份額，而隨著電動(dòng)汽車(chē)作為主驅(qū)動(dòng)力以及MOSFET器件的上量，有望在未來(lái)8年超20億美元。
特斯拉率先使用SiC逆變器，直接打開(kāi)了碳化硅（SiC）在新能源汽車(chē)的預(yù)期空間。將硅（Si）基組件替換成碳化硅（SiC）能明顯地提升車(chē)輛的續(xù)航能力。根據(jù)Wolfspeed數(shù)據(jù)，在逆變器中使用SiC器件后，能減小整體的體積、重量和成本，在車(chē)輛續(xù)航上也有5-10%的提升。在特斯拉Model3搭載SiC逆變器后，傳統(tǒng)的汽車(chē)功率半導(dǎo)體廠商紛紛跟進(jìn)對(duì)碳化硅（SiC）領(lǐng)域進(jìn)行布局。
2021年，博世宣布開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)由SiC這一創(chuàng)新材料制成的功率半導(dǎo)體，并將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能，旨在將產(chǎn)出提高至上億顆的水平。此前博世已經(jīng)開(kāi)始擴(kuò)建羅伊特林根工廠的無(wú)塵車(chē)間，同時(shí)著手研發(fā)功率密度更高的第二代SiC芯片，預(yù)計(jì)將于2022年投入大規(guī)模量產(chǎn)。
東芝、羅姆半導(dǎo)體、富士電機(jī)等日本廠商也在積極增產(chǎn)車(chē)用SiC功率半導(dǎo)體。東芝被曝計(jì)劃在2023年將旗下姬路半導(dǎo)體工廠的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)量擴(kuò)增至2020年度的3倍，并于2025年進(jìn)一步擴(kuò)增至10倍。羅姆為更好地聚焦新能源汽車(chē)市場(chǎng)，2021年10月與正海集團(tuán)共同宣布成立一家合資公司——海姆�？�，以專(zhuān)注于SiC功率模塊的設(shè)計(jì)和制造。
而在國(guó)內(nèi)，隨著新能源汽車(chē)的快速發(fā)展，也吸引了一批企業(yè)密集布局。根據(jù)工信部發(fā)布的《新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃（2021-2035年）》，2025年我國(guó)汽車(chē)銷(xiāo)量有望達(dá)到3000萬(wàn)輛，其中新能源汽車(chē)占新車(chē)總銷(xiāo)量20%，新能源汽車(chē)銷(xiāo)量有望達(dá)到600萬(wàn)輛。而中國(guó)科學(xué)院院士、中國(guó)電動(dòng)車(chē)百人會(huì)副理事長(zhǎng)歐陽(yáng)明高表示，預(yù)計(jì)2022年新能源汽車(chē)的市場(chǎng)滲透率就將超過(guò)20%，達(dá)到500萬(wàn)輛的規(guī)模，2025年進(jìn)一步增長(zhǎng)至700萬(wàn)-1000萬(wàn)輛。
這意味著中國(guó)有望成為SiC需求最大市場(chǎng)。據(jù)相關(guān)預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，到2025年，新能源汽車(chē)和充電樁領(lǐng)域的SiC市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到17.78億美元，約占SiC總市場(chǎng)規(guī)模的七成左右。而中國(guó)得益于新能源汽車(chē)的快速發(fā)展，有望貢獻(xiàn)近半數(shù)的市場(chǎng)。
因此，比亞迪半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)、中車(chē)時(shí)代電氣、華潤(rùn)微、三安光電、派恩杰等本土企業(yè)都在積極發(fā)力車(chē)用SiC，并在車(chē)用SiC領(lǐng)域取得一定突破。
三安光電已經(jīng)在湖南建設(shè)了國(guó)內(nèi)首條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)線，涵蓋長(zhǎng)晶、晶圓、外延、芯片、研發(fā)、封測(cè)環(huán)節(jié)，于今年6月正式點(diǎn)亮投產(chǎn)。據(jù)悉，下一步光伏、新能源和汽車(chē)的OBC、DC-DC、主驅(qū)都是其重點(diǎn)發(fā)力方向。
比亞迪基于在車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域多年的研發(fā)，已經(jīng)成功在漢EV上使用其自主研發(fā)的SiC模塊。到2023年，比亞迪計(jì)劃將在旗下所有電動(dòng)車(chē)中用SiC功率半導(dǎo)體全面替代IGBT。利普思半導(dǎo)體的SiC產(chǎn)品也已于2021年下半年開(kāi)始量產(chǎn)，將于2022年完成乘用車(chē)SiC模塊產(chǎn)品量產(chǎn)。派恩杰宣布SiCMOSFET產(chǎn)品在新能源汽車(chē)OBC應(yīng)用驗(yàn)證取得了重大突破，獲得了新能源汽車(chē)龍頭企業(yè)數(shù)千萬(wàn)訂單，并已開(kāi)始低調(diào)供貨，目前該公司正著力選址建造車(chē)用SiC模塊封裝產(chǎn)線。
下游需求旺盛國(guó)產(chǎn)替代迎機(jī)遇
受益于市場(chǎng)對(duì)碳化硅芯片的需求加大，第三代半導(dǎo)體已成為群雄逐鹿之地，不僅國(guó)際巨頭“跑馬圈地”，國(guó)內(nèi)企業(yè)也不甘落后，紛紛布局碳化硅，擴(kuò)張產(chǎn)能，試圖以國(guó)產(chǎn)替代爭(zhēng)奪市場(chǎng)份額。
2020年，華潤(rùn)微正式向市場(chǎng)投放了第一代1200V和650V工業(yè)級(jí)碳化硅肖特基二極管功率器件產(chǎn)品系列，同時(shí)其6英寸商用碳化硅晶圓生產(chǎn)線正式量產(chǎn)。2021年，華潤(rùn)微又宣布推出1200VSiCMOSFET新品，主要應(yīng)用于新能源汽車(chē)OBC、充電樁、工業(yè)電源、光伏逆變、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域。此外，公司SiC二極管產(chǎn)品已量產(chǎn)并產(chǎn)生銷(xiāo)售收入。
2021年，斯達(dá)半導(dǎo)募資35億元，其中六成資金投向了高壓特色工藝功率芯片和碳化硅芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，預(yù)計(jì)項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，將形成年產(chǎn)36萬(wàn)片功率半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)能力。車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率半導(dǎo)體廠商基本半導(dǎo)體發(fā)布公告稱(chēng)，其位于無(wú)錫的汽車(chē)級(jí)碳化硅功率模塊制造基地正式通線運(yùn)行，首批碳化硅模塊產(chǎn)品下線，并已通過(guò)國(guó)內(nèi)頭部車(chē)企的選型和測(cè)試。此外，賽微電子、聞泰科技、三安光電、士蘭微、露笑科技、揚(yáng)杰科技、亞光科技、聚燦光電，東尼電子等一眾知名上市公司亦在布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
事實(shí)上，碳化硅市場(chǎng)目前已經(jīng)形成了供不應(yīng)求與國(guó)產(chǎn)替代的產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局，給國(guó)內(nèi)碳化硅相關(guān)企業(yè)帶來(lái)了快速發(fā)展的良好機(jī)遇。2021年我國(guó)碳化硅投資相關(guān)項(xiàng)目幾十起，其中有十幾筆投資與碳化硅器件相關(guān)。
2021年7月18日，世紀(jì)金光項(xiàng)目與浙江省金華市金義新區(qū)正式簽約，該項(xiàng)目總投資35億元，將建設(shè)年產(chǎn)22萬(wàn)片6-8英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線，項(xiàng)目分三期完成建設(shè)，全部達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值約40億元。12月30日，鈞聯(lián)電子宣布，他們?cè)诤戏式?jīng)開(kāi)區(qū)舉行“車(chē)用800V多融合碳化硅動(dòng)力域控制器項(xiàng)目”啟動(dòng)儀式。項(xiàng)目總投資約10億元，主要從事基于碳化硅材料的多融合動(dòng)力域控制器（包括MCU、OBC、DCDC、DCAC、PDU、智能控制軟件、車(chē)聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)品）的研發(fā)、銷(xiāo)售與服務(wù)。目前已完成第二代車(chē)用800V多融合碳化硅動(dòng)力域控制器產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。
在行業(yè)賽道火熱、擴(kuò)產(chǎn)擴(kuò)能延續(xù)之際，以碳化硅等材料為代表的第三代半導(dǎo)體已經(jīng)吸引了大中小企業(yè)以及各路資本的投資布局，后續(xù)預(yù)期仍將有更多企業(yè)及資本入場(chǎng)。
國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件制造和應(yīng)用企業(yè)——泰科天潤(rùn)完成D輪融資，融資金額未披露。自2011年成立以來(lái)，該公司獲得某國(guó)際半導(dǎo)體大廠和元禾重元的聯(lián)合助力，投資方眾多，包括遨問(wèn)創(chuàng)投、TCL創(chuàng)投、瑞業(yè)資產(chǎn)、哇牛資本、辰途資本，新鼎資本、三峽資本等。
公開(kāi)資料顯示，泰科天潤(rùn)的主要產(chǎn)品為碳化硅芯片和碳化硅功率器件，本輪產(chǎn)業(yè)資本的加持將進(jìn)一步貫通公司在碳化硅晶圓材料、器件批量化生產(chǎn)供貨、下游規(guī)�；瘧�(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈鏈條協(xié)同，為實(shí)現(xiàn)更為廣泛和更大規(guī)模的的市場(chǎng)應(yīng)用提供核心支持。
此外，碳化硅功率器件設(shè)計(jì)及方案商——派恩杰也正在積極推進(jìn)募資計(jì)劃。事實(shí)上，根據(jù)企查查信息，去年3月與9月，派恩杰已獲得Pre-A輪數(shù)千萬(wàn)融資，投資方有創(chuàng)東方投資、天際資本、湖杉資本等，公司本次融資資金將用于更高電壓平臺(tái)功率器件產(chǎn)品的研發(fā)和全球市場(chǎng)的布局。
資本入局以碳化硅等材料為代表的第三代半導(dǎo)體賽道，一方面基于行業(yè)契合國(guó)家新基建戰(zhàn)略、碳中和目標(biāo)；另一方面則源于其下游需求旺盛，國(guó)產(chǎn)替代機(jī)遇正在顯現(xiàn)。
國(guó)金證券認(rèn)為，對(duì)于碳化硅行業(yè)而言，目前整體市場(chǎng)規(guī)模較小，2020年全球市場(chǎng)規(guī)模約6億美元，但是下游需求確定且巨大。根據(jù)IHSMarkit數(shù)據(jù)，受新能源汽車(chē)龐大需求的驅(qū)動(dòng)以及電力設(shè)備等領(lǐng)域的帶動(dòng)，預(yù)計(jì)到2027年碳化硅功率器件的市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)100億美元，2020-2027年復(fù)合增速近50%。目前制約行業(yè)發(fā)展的因素主要是成本高昂和性能可靠性。碳化硅行業(yè)一旦到達(dá)綜合器件成本趨近于硅基功率器件的“奇點(diǎn)時(shí)刻”，行業(yè)將迎來(lái)爆發(fā)性增長(zhǎng)。
結(jié)語(yǔ)
盡管與國(guó)際巨頭仍有差距，但中國(guó)作為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，在市場(chǎng)風(fēng)口到來(lái)、產(chǎn)業(yè)火熱加碼布局等利好因素加持下，以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在進(jìn)擊前行。
由于各行各業(yè)的性能要求和不斷變化的工業(yè)環(huán)境，目前已經(jīng)使用的硅材料功能器件很難滿足5G基站、新能源及新能源汽車(chē)、高鐵等的需求。第三代碳化硅半導(dǎo)體材料已經(jīng)成為“新寵”，而從這個(gè)變化來(lái)看，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體有更多機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展。
