隨著全球環(huán)境不斷惡化與化石能源耗盡，世界各國都紛紛找尋適合人類生存發(fā)展的新型能源，建設(shè)光伏儲能項目是當(dāng)下實行能源轉(zhuǎn)型的重要措施。
第三代半導(dǎo)體具有高頻、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等特性，能促進光伏儲能逆變器走向高效、高可靠性、低成本化，推動能源綠色低碳發(fā)展。
圖：2020、2025年第三代半導(dǎo)體在光伏儲能市場規(guī)模
Source：拓墣產(chǎn)業(yè)研究院，2022/05
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SiC將大量應(yīng)用于大功率組串/集中式逆變器，GaN則更適合戶用微型逆變器
隨著光伏產(chǎn)業(yè)邁入「大元件、大逆變器、大跨度支架、大組串」時代，光伏電站電壓等級從1000V提升至1500V以上，耐高壓SiC功率元件將在組串式和集中式逆變器中大展身手。
對功率最多5kW的住宅用微型逆變器，GaN功率元件則更具優(yōu)勢，其不僅能顯著改善整體轉(zhuǎn)換效率，有效降低光電轉(zhuǎn)換成本(LCOE)，還讓用戶能更簡單建構(gòu)體積更小、重量更輕、更可靠的逆變器。
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關(guān)鍵SiC襯底對第三代半導(dǎo)體發(fā)展至關(guān)重要，大廠爭相布局
SiC襯底被視為第三代半導(dǎo)體核心原材料，其晶體生長緩慢且制程技術(shù)復(fù)雜，大規(guī)模量產(chǎn)實屬不易，導(dǎo)電型襯底可生產(chǎn)SiC功率電力電子元件，而半絕緣型襯底則可用于制作GaN微波射頻元件。此外，由于襯底制備難度高，因此其價值量也相對最大，SiC襯底成本占元件總成本約50%，更顯其在產(chǎn)業(yè)鏈的重要性。
目前全球SiC市場供給牢牢把控在襯底廠商手中，Wolfspeed、II-VI與SiCrystal(ROHM旗下)合計占據(jù)近90%出貨量。
Infineon、STM、Onsemi等IDM大廠均在積極向上游SiC襯底發(fā)展，期待完全掌握供應(yīng)鏈，以強化競爭力；與此同時，環(huán)球晶、Soitec、SK siltron等硅晶圓廠也紛紛加入，意欲分一杯羹，因此SiC襯底爭奪戰(zhàn)將越打越烈，但產(chǎn)業(yè)格局最終將走向何方，相信不用很多年便能看到結(jié)果。
