近日，臺(tái)達(dá)電宣布斥資3.2億元新臺(tái)幣成立碇基半導(dǎo)體籌備處，鎖定第三代半導(dǎo)體，并從設(shè)計(jì)端切入。另一臺(tái)臺(tái)廠臺(tái)亞也宣布目前積極轉(zhuǎn)型往半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，擴(kuò)大招募半導(dǎo)體專業(yè)經(jīng)理人及研發(fā)人員加入團(tuán)隊(duì)，目標(biāo)在搶攻次世代感測(cè)元件于工業(yè)應(yīng)用、電動(dòng)車電源、感測(cè)芯片等利基市場(chǎng)。
臺(tái)達(dá)電進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體
斥資3.2億新臺(tái)幣成立碇基半導(dǎo)體“籌備處”
6月24日，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)達(dá)電進(jìn)軍半導(dǎo)體領(lǐng)域，昨（23）日宣布斥資3.2億元新臺(tái)幣成立碇基半導(dǎo)體籌備處，鎖定第三代半導(dǎo)體，并從設(shè)計(jì)端切入。未來，不排除臺(tái)達(dá)電再引進(jìn)合作伙伴加入，以壯大實(shí)力。
報(bào)道稱， 業(yè)內(nèi)人士解讀，臺(tái)達(dá)電以全球電源供應(yīng)器龍頭之姿加入第三代半導(dǎo)體行列，雖然初期僅先投資3.2億元新臺(tái)幣成立“籌備處”，但意義重大，凸顯第三代半導(dǎo)體后市受到國(guó)際大廠高度期待。
臺(tái)達(dá)電表示，將先成立碇基半導(dǎo)體，進(jìn)入前端電源技術(shù)與第三代半導(dǎo)體的研究開發(fā)與相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)與銷售。未來，臺(tái)達(dá)電希望藉由掌握上游端設(shè)計(jì)，提供關(guān)鍵半導(dǎo)體零部件，進(jìn)而掌握第三代半導(dǎo)體應(yīng)用趨勢(shì)，且不排除引進(jìn)半導(dǎo)體相關(guān)戰(zhàn)略合作伙伴。
臺(tái)達(dá)電指出，碇基半導(dǎo)體暫定資本額4億元新臺(tái)幣，臺(tái)達(dá)電持股八成，其余股權(quán)由旗下子公司臺(tái)達(dá)資本、創(chuàng)始員工認(rèn)購(gòu)各半。碇基半導(dǎo)體主要掌舵的關(guān)鍵人物為臺(tái)達(dá)資本董事長(zhǎng)劉亮甫，以及原臺(tái)達(dá)電先進(jìn)元件與模組事業(yè)部主管邢泰剛。
報(bào)道指出，據(jù)了解，碇基半導(dǎo)體初期鎖定600伏電源供應(yīng)器等產(chǎn)品。外界看好，由于5G通訊、電動(dòng)車、高功率電源等新興應(yīng)用對(duì)功率元件效能需求提高，以及氮化鎵（GaN）與碳化硅（SiC）在耐高溫、高電流環(huán)境下仍有極佳效能，加上全球開始重視碳排放問題，高能效、低能耗的氮化鎵及碳化硅成為第三代半導(dǎo)體的新世代商機(jī)。
臺(tái)亞積極布局第三代半導(dǎo)體
SiC、GaN有望在明年陸續(xù)向客戶送樣
據(jù)臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道，臺(tái)亞6月23日召開股東會(huì)，新任總經(jīng)理衣冠君會(huì)后受訪時(shí)表示，目前積極轉(zhuǎn)型往半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，擴(kuò)大招募半導(dǎo)體專業(yè)經(jīng)理人及研發(fā)人員加入團(tuán)隊(duì)，目標(biāo)在搶攻次世代感測(cè)元件于工業(yè)應(yīng)用、電動(dòng)車電源、感測(cè)芯片等利基市場(chǎng)。
Opto Tech Corporation (OPTOTECH) 是提供光電半導(dǎo)體整體解決方案的專業(yè)制造商， 從LED磊晶材料、晶粒制造、組件封裝、到LED應(yīng)用產(chǎn)品的生產(chǎn)制造。公司成立于1983年，企業(yè)總部位于臺(tái)灣新竹科學(xué)園區(qū)，臺(tái)亞半導(dǎo)體股份有限公司從園區(qū)的一家小廠開始，以生產(chǎn)銷售發(fā)光二極管晶粒起家，陸續(xù)推出硅基型光電二極管 (Photodiode)、光敏晶體管 (Phototransistor)、齊納二極管 (Zener diode) 等組件，近期并持續(xù)推出砷化銦鎵光電二極管 (InGaAs PD)、垂直共振腔面射型雷射 (VCSEL)等新產(chǎn)品。擁有30多年的制造與銷售經(jīng)驗(yàn)，臺(tái)亞始終以客戶需求為優(yōu)先考慮，對(duì)于產(chǎn)品質(zhì)量與顧客服務(wù)，在公司核心價(jià)值的帶動(dòng)下，我們所提供的產(chǎn)品不僅符合國(guó)際工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，亦能滿足專業(yè)使用的要求，并透過優(yōu)良的研發(fā)團(tuán)隊(duì)與精湛的制造技術(shù)，不斷地開發(fā)更多創(chuàng)新的設(shè)計(jì)與性能卓越的商品。
除了次世代感測(cè)元件，臺(tái)亞2021年開始籌建積亞半導(dǎo)體（Pro-Asia Semiconductor Corporation）專注開發(fā)以碳化硅（SiC）襯底的高功率元件。今年更進(jìn)一步規(guī)劃下半年擴(kuò)大臺(tái)亞現(xiàn)有廠房潔凈室區(qū)域，投入氮化鎵（GaN）磊晶及元件的研發(fā)及生產(chǎn)，預(yù)計(jì)于2023年前提供樣品供合作客戶進(jìn)行驗(yàn)證。
臺(tái)亞新任總經(jīng)理衣冠君表示，臺(tái)亞過去在磊晶及分離器件制造技術(shù)上已有相當(dāng)深厚的基礎(chǔ)，將擴(kuò)大加強(qiáng)與上游IC設(shè)計(jì)公司及下游封測(cè)及產(chǎn)品的合作，將可于短時(shí)間內(nèi)制作出高電子遷移率晶體管（Power HEMT）樣品，提供給客戶進(jìn)行驗(yàn)證。
臺(tái)亞將以氮化鎵為基礎(chǔ)的第三代半導(dǎo)體的功率器件作為主要產(chǎn)品，其相對(duì)于硅基的元件可以耐更高的電壓，比起碳化硅的元件能有有更低的功耗，未來將結(jié)合氮化鎵與碳化硅，發(fā)展出高頻高效的射頻器件及模塊。
臺(tái)亞新總經(jīng)理衣冠君曾任半導(dǎo)體設(shè)備大廠科林研發(fā)資深總監(jiān)、德州儀器、茂德、茂硅等半導(dǎo)體公司，擁有超過20年豐富半導(dǎo)體制造廠管理經(jīng)驗(yàn)。臺(tái)亞半導(dǎo)體公司自2019年由光磊科技更名以后，持續(xù)推動(dòng)產(chǎn)品由光電朝向硅電多元化發(fā)展。而為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求成長(zhǎng)，臺(tái)亞于今年將投入8億元新臺(tái)幣擴(kuò)產(chǎn)高階產(chǎn)品，包括高性能光耦元件、長(zhǎng)波長(zhǎng)VCSEL/LED、與長(zhǎng)波長(zhǎng)PD等，新產(chǎn)能自今年上半年開始拉升。
衣冠君進(jìn)一步透露，臺(tái)亞在于第三代半導(dǎo)體的時(shí)程規(guī)劃與目標(biāo)，未來將持續(xù)采穩(wěn)健的投資以支持第三代半導(dǎo)體研發(fā)及應(yīng)用，爭(zhēng)取在全球眾多競(jìng)爭(zhēng)者中脫穎而出。
