“現(xiàn)有產(chǎn)能背景下，供需缺口仍然存在，可能有一半以上企業(yè)訂單完成率不到75%，”一位國內(nèi)頭部功率半導(dǎo)體廠商人士表示。
國內(nèi)IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）需求持續(xù)火熱，未見任何降溫趨勢。近期，不少IGBT頭部企業(yè)相繼宣布投建新產(chǎn)能，以應(yīng)對訂單積壓。有機構(gòu)近日調(diào)查也顯示，在車規(guī)、光伏以及工控三大應(yīng)用領(lǐng)域，均有超過四成企業(yè)下半年醞釀提價。
普遍存在訂單積壓問題
IGBT是電源轉(zhuǎn)換的核心器件，由雙極型三極管和MOSFET組成，適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)。IGBT是新能源與節(jié)能低碳經(jīng)濟的主要支撐技術(shù)，具有開關(guān)速度快、載流密度大等特點。IGBT廣泛用于新能源汽車、光伏以及智能制造領(lǐng)域，而以上均為當下炙手可熱的賽道，今年以來供需關(guān)系持續(xù)緊張。
除了下游需求旺盛以外，另一因素也不容忽視。“今年出現(xiàn)的缺芯潮在一定程度上加快了國產(chǎn)化替代，”上述半導(dǎo)體廠商人士認為。他表示，在供給不順暢時，下游客戶嘗試將訂單給予國內(nèi)IGBT廠商的意愿變強。
目前，全球IGBT市場格局主要由英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體、富士電機、三菱電機等海外功率半導(dǎo)體廠商主導(dǎo)，尤其在中高端市場。在缺芯潮影響下，國產(chǎn)IGBT產(chǎn)品進入國內(nèi)客戶的機會涌現(xiàn)。
訂單飽滿也反映在國內(nèi)IGBT公司上半年業(yè)績中，已披露業(yè)績預(yù)告的IGBT公司盈利均大幅增長。其中，斯達半導(dǎo)上半年凈利潤3.4-3.5億元，同比增長120.8%-127.29%；振華科技凈利潤預(yù)計11.8億-13.3億元，同比也增長128.96%-158.06%；而揚杰科技也實現(xiàn)了50%-80%凈利潤增長。
值得注意的是，IGBT供需緊張的局面短期扭轉(zhuǎn)可能性并不大。天風(fēng)證券近日對國內(nèi)25家IGBT企業(yè)作出調(diào)查。調(diào)查顯示，在車規(guī)領(lǐng)域，55%的企業(yè)訂單完成率不足75%；在光伏領(lǐng)域，65%的廠商訂單完成率不足75%。IGBT行業(yè)內(nèi)普遍存在訂單積壓問題，現(xiàn)有產(chǎn)能仍無法滿足市場整體需求。
供需關(guān)系緊張意味著價格或會迎來上漲。天風(fēng)證券調(diào)查同時顯示，未來1年內(nèi)，有42%的廠商表示會提高車規(guī)級IGBT產(chǎn)品價格，同時有40%的國內(nèi)廠商預(yù)計未來一年光伏級IGBT模塊產(chǎn)品價格將提高，50%的國內(nèi)廠商預(yù)計未來一年毛利率將提高。而在工控端，有42%的國內(nèi)廠商和57%的外資廠商預(yù)計未來一年價格將提高。
產(chǎn)能擴張在路上
無論從供需關(guān)系還是價格預(yù)期看，IGBT賽道背后均有較大增量空間。中信證券認為，2025年全球IGBT市場規(guī)模有望達954億元、2020-2025年復(fù)合增速為16%。而國內(nèi)IGBT市場規(guī)模達458億元、2020-2025年復(fù)合增速達21%。該機構(gòu)也認為，供需失衡將會貫穿全年，海外廠商擴產(chǎn)普遍謹慎、產(chǎn)能增量有限，看好新能源驅(qū)動IGBT需求快速增長，自產(chǎn)化率快速提升。
而在價格預(yù)期變化的同時，另一個解決方法也值得關(guān)注，即擴張產(chǎn)能。近期，國內(nèi)包括士蘭微、振華科技、時代電氣等頭部企業(yè)已經(jīng)紛紛走在產(chǎn)能擴張的路上。
士蘭微7月29日發(fā)布公告稱，公司子公司士蘭明鎵已啟動化合物半導(dǎo)體第二期建設(shè)，即實施“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目”。士蘭明鎵將建設(shè)一條6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線，項目總投資為15億元，建設(shè)周期3年，最終形成年產(chǎn)14.4萬片6英寸SiC功率器件芯片的產(chǎn)能。
在2021年底，士蘭明鎵已完成第一期20億元的投資，并形成了每月7.2萬片4英寸GaN和GaAS高端LED芯片的產(chǎn)能，其產(chǎn)品在小間距顯示、MiniLED顯示屏、紅外光耦、安防監(jiān)控、車用LED等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
時代電氣近期也宣布擬投入4.62億升級碳化硅產(chǎn)線。項目建成達產(chǎn)后，將把該公司現(xiàn)有的平面柵碳化硅MOSFET芯片技術(shù)能力提升到滿足溝槽柵碳化硅MOSFET芯片研發(fā)能力，現(xiàn)有4英寸碳化硅芯片線將提升到6英寸碳化硅芯片線，產(chǎn)能也將從1萬片/年提升到2.5萬片/年。目前，該公司IGBT一期設(shè)計年產(chǎn)能12萬片；IGBT二期產(chǎn)線，設(shè)計年產(chǎn)能24萬片，自2021年年底正式投產(chǎn)以來，今年初開始增產(chǎn)爬坡。
而振華科技也在今年4月宣布擬募資25.18億元，投向半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)能提升項目等。據(jù)悉，半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)能提升項目將建設(shè)一條12萬片/年產(chǎn)能的6英寸硅基/碳化硅基功率器件制造線。
天風(fēng)證券調(diào)查也顯示，車規(guī)IGBT下游需求旺盛，67%大陸廠商計劃擴張車規(guī)級IGBT模塊產(chǎn)線。而在雙碳政策驅(qū)動下，40%大陸廠商計劃擴張光伏級IGBT模塊產(chǎn)線。
