作為秦創(chuàng)原總窗口入駐企業(yè)，其在研的技術(shù)產(chǎn)品主要面向第四代半導體材料、器件及5G通訊等行業(yè)，對于提升我國半導體材料器件行業(yè)水平，促進新一代半導體技術(shù)代差更迭具有重要意義。

在半導體制備原理中，襯底是由半導體單晶材料制造而成的晶圓片，不同襯底材料可以生產(chǎn)包括單晶金剛石等在內(nèi)的半導體芯片。而單晶金剛石被稱為“終極半導體”，與硅同為單質(zhì)半導體，性能完全超越現(xiàn)有半導體，可以克服“擊穿場強不足”和“自熱效應”瓶頸。

在超高電壓、超大電流、超大功率、高效、耐輻照和超高頻工作且無需冷卻的電子器件方面，單晶金剛石具有得天獨厚的優(yōu)勢。

作為國內(nèi)長期從事單晶金剛石寬禁帶半導體材料及器件研究工作的專家，王宏興帶領(lǐng)團隊經(jīng)過長期科研攻關(guān)，獨立自主開發(fā)了系列具有自主知識產(chǎn)權(quán)的單晶金剛石微波等離子體化學氣相沉積設備，掌握了有關(guān)技術(shù)，并已全面完成了原理性創(chuàng)新、實驗室試驗研究和中試實驗，可批量化提供1-2英寸的大面積高質(zhì)量單晶金剛石襯底，進而有效保證國內(nèi)功率電子器件、導熱、雷達探測等領(lǐng)域?qū)τ诟哔|(zhì)量、大尺寸電子級單晶金剛石的需求，同時滿足院�？蒲袑Ω哔|(zhì)量晶種的需求。

在西安交通大學的支持下，王宏興項目團隊入駐秦創(chuàng)原創(chuàng)新驅(qū)動平臺總窗口，校方將該項目所涉及的設備、金剛石材料、器件外延等21項核心專利全部投入，通過秦創(chuàng)原平臺對接各類產(chǎn)業(yè)研資源，全力推進其產(chǎn)業(yè)化。此外，來自陜西地市產(chǎn)業(yè)創(chuàng)投基金的投資，也為加速實現(xiàn)科研成果落地提供了支持。