投資建議：建議重點關(guān)注天岳先進(688234.SH)(國內(nèi)半絕緣型襯底龍頭，加速發(fā)展導(dǎo)電型)、三安光電(600703.SH)(SiC客戶開拓進程快)、新潔能(605111.SH)(擬入股SiC襯底提供商，力求打通產(chǎn)業(yè)鏈);建議關(guān)注露笑科技(002617.SZ)(國內(nèi)先進研究團隊加盟)。
東方財富主要觀點如下：
碳化硅性能優(yōu)勢顯著，國內(nèi)外廠商加速布局。
SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，更適用于高壓、高溫、高頻環(huán)境。當(dāng)前SiC市場仍被海外廠商主導(dǎo)，我國在該領(lǐng)域已催生出一批優(yōu)質(zhì)企業(yè)，并實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋。襯底作為產(chǎn)業(yè)鏈核心，當(dāng)前以PVT法為主流技術(shù)。
新能源提效迫切，800V強勢催化打開SiC廣闊空間。
SiC器件應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋新能源汽車、光伏、軌道交通、5G等景氣市場。在新能源車載模塊，SiC器件主要應(yīng)用于電機驅(qū)動系統(tǒng)逆變器、車載DC/DC、車載充電系統(tǒng)，助力整車提升加速度、降低系統(tǒng)成本、增加續(xù)航里程、實現(xiàn)輕量化。車用充電樁方面，我國存在巨大市場缺口，截至2021H1車樁比僅為3.1：1，且快速直流充電樁不足半數(shù)。因此需求端，充電問題造成的“里程焦慮”阻礙了新能源車進一步普及，800V需求迫切;供給端，主流車廠加速布局800V平臺及碳化硅模塊。此外，光伏市場高增，軌交中SiC器件占比快速提升將進一步打開SiC市場空間。據(jù)該行測算，到2027年全球SiC市場規(guī)模有望達到481-675億元。
國產(chǎn)替代、成本下降、良率提升持續(xù)推進。
國產(chǎn)替代方面，我國SiC研發(fā)及工業(yè)化起步晚，海外廠商仍占主導(dǎo)，2021年全球SiC襯底市場僅美國廠商就占據(jù)逾76%的份額。但我國廠商產(chǎn)品迭代加速，研發(fā)時間較海外廠商更短，且性能參數(shù)均可對標(biāo)，市占率呈快速上升趨勢。成本方面，后道的冷切割、高速拋光等工藝及尺寸的擴大提升了晶片的加工效率及使用效率，使SiC器件與Si器件價差逐漸縮小。良率方面，針對影響良率的溫度控制、晶型控制等難題，國內(nèi)已有先進設(shè)備和專利技術(shù)，隨著學(xué)界和業(yè)界的持續(xù)探索，SiC良率提升未來可期。
風(fēng)險提示：受消費市場影響，新能源汽車需求不及預(yù)期;SiC工藝難度大，研發(fā)不及預(yù)期;襯底成本下降不及預(yù)期，影響SiC滲透率;產(chǎn)能擴張不及預(yù)期。
