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成熟制程不香?三星全力進(jìn)攻先進(jìn)制程!

已有11913次閱讀2022-12-27標(biāo)簽:
 三星全力沖刺先進(jìn)制程,自用家電、手機(jī)與面板周邊IC等以成熟制程生產(chǎn)的芯片委外態(tài)勢(shì)更確立,臺(tái)廠中,聯(lián)電與三星合作多年,是其最重要成熟制程委外代工伙伴,南韓媒體更披露,三星有意增加力積電、世界兩家委外代工廠,借此滿足三星內(nèi)部龐大的成熟制程晶片生產(chǎn)需求。

 

另外,南韓政府昨(26)日傳出計(jì)劃在國(guó)家戰(zhàn)略技術(shù)中加入面板顯示技術(shù),沖刺O(píng)LED能量,三星身為全球OLED龍頭,預(yù)料將扮演要角,對(duì)OLED驅(qū)動(dòng)IC等周邊芯片需求大增,相關(guān)芯片都需仰賴成熟制程生產(chǎn),聯(lián)電、力積電、世界喜迎大單。

 

聯(lián)電承接三星成熟制程委外訂單多年,雙方合作緊密,去年三星釋出28納米影像訊號(hào)處理器(ISP)給聯(lián)電代工后,雙方又合作開(kāi)發(fā)最先進(jìn)的22納米高壓制程,代工三星最新的OLED驅(qū)動(dòng)IC(OLED DDI)。市場(chǎng)也傳出,聯(lián)電取得三星28納米OLED驅(qū)動(dòng)IC大單,另外,盡管景氣反轉(zhuǎn),業(yè)界透露,三星旗下邏輯芯片設(shè)計(jì)部門(mén),依循長(zhǎng)約規(guī)定,明年增加OLED面板驅(qū)動(dòng)IC、數(shù)字訊號(hào)處理器(ISP)等28納米及22納米下單。

 

力積電在面板驅(qū)動(dòng)IC、手機(jī)關(guān)鍵芯片生產(chǎn)都有獨(dú)到之處,其智能手機(jī)2M解析度CIS市占率為35%、手機(jī)電源管理IC市占率為30%、電子標(biāo)簽市占率為40%、手機(jī)光學(xué)防手震IC市占率為75%、物聯(lián)網(wǎng)記憶體市占率過(guò)半,都符合三星需求,是三星積極拉攏的合作對(duì)象。

 

世界不評(píng)論有望拿下三星代工訂單的消息。

 

三星逆勢(shì)大擴(kuò)產(chǎn)

 

不畏半導(dǎo)體景氣修正,南韓電子業(yè)巨擘三星逆勢(shì)大擴(kuò)產(chǎn),鎖定先進(jìn)制程晶圓代工與記憶體,急追臺(tái)積電,同時(shí)也恐打亂記憶體市場(chǎng)復(fù)蘇腳步,牽動(dòng)南亞科、華邦等臺(tái)廠后市。

 

法人指出,臺(tái)積電、英特爾、SK海力士、美光、南亞科等國(guó)際半導(dǎo)體大廠因應(yīng)市況調(diào)整,已陸續(xù)下修資本支出,三星卻逆勢(shì)操作,不僅記憶體擴(kuò)產(chǎn)不踩剎車(chē),晶圓代工也因基期低而大舉在南韓與美國(guó)擴(kuò)產(chǎn),牽動(dòng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

 

彭博資訊引述首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)導(dǎo),三星位于南韓平澤的P3廠將擴(kuò)增DRAM設(shè)備,每月可生產(chǎn)7萬(wàn)片的12吋晶圓,高于目前P3廠DRAM產(chǎn)線的每月2萬(wàn)片產(chǎn)能。三星將使用新的設(shè)備生產(chǎn)12納米DRAM,截至第3季,三星每月的DRAM晶圓總產(chǎn)量為66.5萬(wàn)片,以增產(chǎn)7萬(wàn)片計(jì)算,增幅達(dá)10.5%,手筆不小。

 

另一方面,報(bào)導(dǎo)指出,三星也規(guī)劃將P3廠每月晶圓代工產(chǎn)量提高3萬(wàn)片,并增加4納米產(chǎn)能,強(qiáng)攻先進(jìn)制程。截至第3季,三星的每月晶圓代工總產(chǎn)量為47.6萬(wàn)片,換算增幅約6.3%。因應(yīng)記憶體與晶圓代工先進(jìn)新產(chǎn)能需求,三星將新增至少10臺(tái)極紫外光設(shè)備(EUV),目前三星已有約40臺(tái)EUV,換算將增加25%。

 

業(yè)界認(rèn)為,三星晶圓代工因產(chǎn)能約五成自用與約五成對(duì)外接單而呈現(xiàn)供不應(yīng)求,其4納米制程已在本季陸續(xù)擴(kuò)產(chǎn)到位。即便三星在先進(jìn)制程產(chǎn)能規(guī)模仍僅約龍頭臺(tái)積電的五分之一,但三星展現(xiàn)強(qiáng)烈企圖心追趕臺(tái)積電。

 

南韓媒體infostockdaily報(bào)導(dǎo),三星晶圓代工4納米制程先前已將良率提升至近約六成,隨客戶需求提升而決議擴(kuò)充,相關(guān)投資挹注下,三星晶圓代工在4納米投資將達(dá)約5兆韓元(約新臺(tái)幣1,140億元)。

 

記憶體方面,受智能手機(jī)、PC等需求疲軟沖擊,DRAM和儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)價(jià)格持續(xù)走跌,盡管其他原廠和臺(tái)廠都祭出減產(chǎn)和縮減資本支出的策略,但業(yè)界龍頭三星始終逆勢(shì)運(yùn)作,雖然有助于三星本身規(guī)模擴(kuò)張,但對(duì)整體記憶體市場(chǎng)而言并非好事,不僅會(huì)拖延庫(kù)存去化的時(shí)間,也會(huì)使得相關(guān)同業(yè)營(yíng)運(yùn)更具壓力。

 

市調(diào)機(jī)構(gòu)Omdia統(tǒng)計(jì),三星在全球DRAM市場(chǎng)市占率節(jié)節(jié)攀升,從2021年第4季的41.9%,今年第2季擴(kuò)大到43.4%,穩(wěn)居龍頭。NAND Flash方面,三星今年第2季市占率達(dá)33.3%,排名第一。

 

今年以來(lái),DRAM與NAND Flash報(bào)價(jià)跌跌不休,美光上季財(cái)報(bào)更陷入虧損,并預(yù)告本季面臨連兩季虧損壓力,南亞科也坦言,本季可能陷入虧損。記憶體業(yè)界原本預(yù)期,隨著主要制造商減產(chǎn)、調(diào)降資本支出,市場(chǎng)可望在明年中過(guò)后逐步回歸正軌,如今三星又砸錢(qián)擴(kuò)產(chǎn),使得產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇步調(diào)出現(xiàn)變數(shù)。

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