《通知》顯示，與半導體產(chǎn)業(yè)相關的重點方向包括軌道交通高性能控制芯片、半導體刻蝕氣、4-6英寸氮化鎵微波毫米波器件以及集成電路用濺射靶材及高純金屬提純技術等。
其中，軌道交通高性能控制芯片的推進機構為中國鐵道科學院集團有限公司，參與單位包括時代電氣、北京交通大學、西南交通大學、龍芯中科、飛騰信息、兆易創(chuàng)新、智芯微電子等。
半導體刻蝕氣方向的推進單位為中國昊華化工集團，參與單位包括中化藍天、昊華氣體、浙江省化工研究院有限公司等。
4-6英寸氮化鎵微波毫米波器件的推進單位為國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（中電科第三代半導體科技有限公司），參與單位包括北京大學、西安電子科技大學、華大九天、天科合達、中電科第十三研究所、中電科第五十五研究所、博威集成電路、國聯(lián)萬眾、國博電子、北芯半導體等。
集成電路用濺射靶材及高純金屬提純技術推進單位為中關村集成電路材料產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新聯(lián)盟，參與單位包括江豐電子、有研億金、中芯國際、長江存儲、長鑫存儲、長電科技等。
