同時，各大廠商多年來孜孜不倦地追求閃存更高層數和內存更先進制程。業(yè)界擔心，三星主導地位未來將被動搖。在這之下，未來存儲器市場格局是否將發(fā)生改變？
美光、SK海力士、三星等廠商一直不斷地追逐NAND閃存更高層數，在跨越100層后便開始向200+層邁進，以達到性能的提高。
從去年的技術成績來看，美光方面，2022年7月，美光全球首款232層NAND閃存在新加坡工廠正式量產，而當時的三星正在苦研176層NAND閃存。同年12月，美光成功向PC OEM客戶出貨232層NAND客戶端SSD，該產品適用于主流筆記本電腦和臺式機。
SK海力士方面，2022年8月，SK海力士成功開發(fā)出238層NAND閃存，這是目前世界最高層數，該公司已向客戶發(fā)送238層512Gb TLC 4D NAND閃存的樣品，并計劃在2023年上半年投入量產。
三星方面，隨著業(yè)界不斷傳出閃存技術的新動態(tài)，三星也不免跟著著急，面對各種雜音，三星曾表示將在2022年內發(fā)布236層NAND閃存產品。為進一步加大研發(fā)力度，三星還計劃開設一個新的研發(fā)中心，該中心將負責開發(fā)更先進的NAND閃存產品。
終于在2022年11月，三星宣布量產236層3D NAND閃存芯片，這是三星產品中具有最高存儲密度的1Tb（128GB）三比特單元（TLC）的第8代V-NAND。而三星的第九代V-NAND目前尚在開發(fā)中，并計劃從2024年開始量產第9代NAND閃存。
三星曾預計，到2030年公司將打造出堆疊層數超1000層的V-NAND。并且為了實現這一目標，三星正在從當前的TLC架構過渡到四級單元（QLC）架構，以提高密度和啟用更多層數。
而西數/鎧俠方面，西數于去年5月表示，未來將與鎧俠推出200層以上（BiCS+）的閃存產品，2032年之前還將陸續(xù)推出300層以上、400層以上與500層以上的閃存技術。不過目前西數和鎧俠暫無最新的消息。
從市場份額上看，據TrendForce集邦咨詢2022年11月23日研究顯示，截止2022年第三季度，在NAND閃存市場，三星的市場份額為31.4%，排行第一；其次是鎧俠、20.6%；后面是SK海力士、18.5%，西部數據、12.6%，美光、12.3%。
雖然看起來市場份額仍然差距較大，但在競爭對手的猛烈追趕下，三星三星難免感受到壓力。
值得注意的是，西部數據近日宣布，將獲得由Apollo全球管理公司牽頭的9億美元投資。對于此次投資，有消息人士表示，這是西部數據與日本Kioxia（鎧俠）合并的前兆。
DRAM是半導體存儲器的大宗產品之一，經過幾十年的大浪淘沙，英特爾、東芝、松下、德州儀器、IBM、Motorola等曾經的強者退出DRAM江湖，如今DRAM市場形成了三足鼎立的格局，主要由三星、SK海力士、美光三大巨頭所領導。
據TrendForce集邦咨詢2022年11月16日研究顯示，截止2022年第三季度，在DRAM市場中，三星份額為40.7%，仍占據全球第一，SK海力士為28.8%，排位第二，美光為26.4%，居第三。
在DRAM先進制程競賽道上，存儲大廠為搶占技術先機，也是一刻也不停緩。
美光方面，2022年11月初，美光已經將1β DRAM（第五代10nm級別DRAM）產品送往了客戶的產品驗證流水線，這也意味著10納米級別的芯片工藝已經來到了第五代。相較于1α（alpha），1β（beta）在16G bit的容量下，能效提高約15%、內存密度提升35%以上。
同年11月中旬，美光尖端存儲器1β DRAM在日本廣島量產。美光日本廣島工廠一直致力于尖端技術產品DRAM的生產，目前，該廠投產制程主要為1Z納米（占比50%以上）和1Y納米（占比約35%）。
美光DRAM制程已經實現了1Xnm、1Ynm、1Znm、1α四個節(jié)點，并率先進入了1β節(jié)點。據悉，美光正在對下一代1γ（gamma）工藝進行初步的研發(fā)設計。
三星方面，2022年10月，三星在Samsung Foundry Forum 2022活動上公布DRAM技術路線圖。根據路線圖，三星預計，2023年進入1b nm工藝階段，即第五代10nm級別DRAM產品，芯片容量將達到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度將在6.4-7.2Gbp之間。
同年12月，三星開發(fā)出首款采用12nm級工藝技術打造的16Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產品評估。
自此來看，業(yè)界表示，10納米級別的DRAM制程經過了依次為1X（16nm-19nm）、1Y（（14nm-16nm））、1Z（12nm-14nm）、1α（約13nm），目前來到1β（10-12nm）、1γ（約10nm，1β的增強版）的節(jié)點。
對DRAM芯片來說，隨著晶體管尺寸越來越小，芯片上集中的晶體管就越多，也就是說一片芯片能實現更高的內存容量。
而從產品價格上看，去年以來，DRAM價格持續(xù)下跌。據TrendForce集邦咨詢1月9日研究指出，由于消費需求疲弱，存儲器賣方庫存壓力持續(xù)，僅三星（Samsung）在競價策略下庫存略降。為避免DRAM產品再大幅跌價，諸如美光（Micron）等多家供應商已開始積極減產，預估2023年第一季DRAM價格跌幅可因此收斂至13~18%，但仍不見下行周期的終點。
DRAM產品可廣泛應用于手機、服務器、PC等下游領域，近年來，消費終端需求不振，DRAM市場持續(xù)蕭條。面對未來，內存廠商唯有持續(xù)研發(fā)推出1β、1γ...或更先進制程的DRAM產品，擁有高新技術，才能在逆境中站穩(wěn)每一步腳跟。
