奮起直追！國內(nèi)IGBT企業(yè)名單一覽
已有14274次閱讀2023-02-07標簽:
在新能源汽車的成千上萬樣零部件中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是最為重要的一部分。這是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，與MOSFET（絕緣柵型場效應(yīng)管）結(jié)構(gòu)功能相似，可控制的電壓范圍更高。作為一種分立器件，IGBT可以被認為是一個MOSFET和一個BJT（雙極型極管）混合形成的器件，但相比于MOSFET制造難度更高、結(jié)構(gòu)更復(fù)雜，可承受的電壓也更大。一般MOSFET器件或模組的可承受電壓范圍為20－800V，而IGBT可承受1000V以上的高電壓，因而是電力電子領(lǐng)域較為理想的開關(guān)器件。它可以通過脈寬調(diào)制，可以把輸入的直流電變成人們所需要頻率的交流電，或者反過來，主要用于變頻逆變和其他逆變電路，因此它又被稱作電力電子裝置的“CPU”。由于IGBT產(chǎn)品迭代速率不追求摩爾定律，使用周期較長。所以盡管很多老一代產(chǎn)品損耗較大，但其芯片面積大，穩(wěn)定性較好，因此部分領(lǐng)域仍會選擇使用舊代產(chǎn)品。目前看來，IGBT的發(fā)展大致可分為三大主要技術(shù)階段：第一階段：第一、第二代IGBT為代表的平面柵型IGBT，其中第一代由于工藝復(fù)雜且成本高，已基本被淘汰。第二代部分類型產(chǎn)品目前仍有銷售；第二階段：以第三代、第四代IGBT 為代表的溝槽柵型IGBT。該類型產(chǎn)品通過創(chuàng)新的溝槽設(shè)計，大大減小了IGBT的體積和使用功耗，因此被廣泛使用。第五代、第六代的IGBT，屬于對溝槽柵型的改進，結(jié)構(gòu)并未有很大的變動；第三階段：2018年以后出現(xiàn)的第七代微槽型IGBT，該類型產(chǎn)品更大程度地減小了器件的體積和功耗，目前英飛凌等廠商技術(shù)已達量產(chǎn)水平。IGBT能夠根據(jù)工業(yè)裝置中的信號指令來調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，實現(xiàn)精準調(diào)控的目的，被廣泛應(yīng)用于電機節(jié)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發(fā)電、新能源汽車等領(lǐng)域。數(shù)據(jù)顯示，從中國市場來看新能源汽車相關(guān)領(lǐng)域是IGBT最大應(yīng)用領(lǐng)域，市場占比達31％，其次為消費電子、工業(yè)控制及新能源發(fā)電等。新老交替，國內(nèi)IGBT企業(yè)奮起直追由于IGBT技術(shù)的門檻較高，早期更是由海外老牌廠商率先占領(lǐng)市場，比如英飛凌、富士電機等可以說是形成了壟斷之勢。具體來看，位列第一的英飛凌處在絕對領(lǐng)先地位，模組產(chǎn)品市占率35．6％、分立器件產(chǎn)品市占率32．5％。隨著近些年國內(nèi)新能源汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，相關(guān)IGBT企業(yè)也因此受益，不僅涌入了眾多新參與者，其技術(shù)水平的拔高也使其在國際上站穩(wěn)了腳跟，作用一席之地。此外，有很多終端廠商也開始沿著供應(yīng)鏈向上游拓展，最典型的就是比亞迪，自2005年進入IGBT產(chǎn)業(yè)，目前已成為國內(nèi)IGBT龍頭之一。以下為國內(nèi)部分IGBT企業(yè)信息（名單排名不分先后）：國內(nèi)領(lǐng)先的IDM企業(yè)，主要從事功率半導(dǎo)體、智能控制IC、智能傳感器、光電半導(dǎo)體，半導(dǎo)體制造及服務(wù)，覆蓋了對光、電、磁等信號的感應(yīng)、處理及控制， 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車、能源、工業(yè)和消費電子等領(lǐng)域，具有廣闊的市場前景。比亞迪半導(dǎo)體2007 年建立 IGBT 模塊生產(chǎn)線，2009年完成首款車規(guī)級IGBT芯片開發(fā)，可提供包含裸芯片、單管、功率模塊等不同形式的產(chǎn)品。2018 年底發(fā)布其自研車規(guī)級IGBT 4．0 技術(shù)。中國中車旗下股份制企業(yè)，公司是我國唯一一家全面掌握晶閘管、整流管、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、SiC（碳化硅）器件及功率組件全套技術(shù)的廠家，國內(nèi)唯一自主掌握了高鐵動力 IGBT 芯片及模塊技術(shù)的企業(yè)。專業(yè)從事集成電路芯片設(shè)計以及半導(dǎo)體微電子相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)的高新技術(shù)企業(yè)。公司成立于1997年9月，總部在中國杭州。士蘭微電子建在杭州錢塘新區(qū)的集成電路芯片生產(chǎn)線目前實際月產(chǎn)出達到22萬片，在小于和等于6英寸的芯片制造產(chǎn)能中排在全球第二位。公司8英寸生產(chǎn)線于2015年開工建設(shè)，2017年投產(chǎn)，成為國內(nèi)第一家擁有8英寸生產(chǎn)線的IDM產(chǎn)品公司，2020年實際月產(chǎn)能達到5～6萬片。2018年，公司12英寸特色工藝晶圓生產(chǎn)線及先進化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線在廈門開工建設(shè)。2020年，士蘭化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線正式投產(chǎn)，士蘭12英寸芯片生產(chǎn)線開始試產(chǎn)。IDM公司，公司產(chǎn)品聚焦于功率半導(dǎo)體、智能傳感器領(lǐng)域，為客戶提供系列化的半導(dǎo)體產(chǎn)品與服務(wù)。國內(nèi)少數(shù)集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計制造、器件封裝測試、終端銷售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的廠商。產(chǎn)品線含蓋分立器件芯片、整流器件、保護器件、小信號、MOSFET、功率模塊、碳化硅等，為客戶提供一攬子產(chǎn)品解決方案。于2018年3月控股一條宜興 6 英寸生產(chǎn)線，目前已開始量產(chǎn)用于電磁爐等小家電的IGBT芯片。擁有4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導(dǎo)體分立器件及IC芯片生產(chǎn)線，芯片加工能力為每年500萬片，封裝資源為每年24億只，模塊每年1800萬塊。公司主要生產(chǎn)功率半導(dǎo)體器件及IC，目前公司已形成IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等為營銷主線的系列產(chǎn)品，產(chǎn)品種類基本覆蓋功率半導(dǎo)體器件全部范圍，廣泛應(yīng)用于汽車電子、電力電子、光伏逆變、工業(yè)控制與LED照明等領(lǐng)域，并不斷在新能源汽車、光伏、變頻等戰(zhàn)略性新興領(lǐng)域快速拓展。公司成立于2005年4月，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體芯片和模塊尤其是IGBT芯片和模塊研發(fā)、生產(chǎn)和銷售服務(wù)的國家級高新技術(shù)企業(yè)，公司總部位于浙江嘉興，在上海和歐洲均設(shè)有子公司，并在國內(nèi)和歐洲設(shè)有研發(fā)中心，是目前國內(nèi)IGBT領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。南京銀茂微電子專注于工業(yè)和其他應(yīng)用的功率IGBT和MOSFET模塊產(chǎn)品的設(shè)計和制造。通過采用現(xiàn)代化的設(shè)備來處理和表征高達3．3kV的電源模塊，建立了先進的電源模塊制造能力。自2009年以來，已通過ISO9001和ISO14001認證，并且大多數(shù)產(chǎn)品還通過了UL認證。能夠執(zhí)行電源模塊鑒定測試，例如室內(nèi)電氣和環(huán)境壽命測試。于2016年獲得TS16949認證。達新半導(dǎo)體有限公司是由海歸博士創(chuàng)立的一家中外合資的國家級高新技術(shù)企業(yè)，公司從事IGBT、MOSFET、FRD等功率半導(dǎo)體芯片與器件的設(shè)計、制造和銷售，并提供相關(guān)的應(yīng)用解決方案。公司建有一條制造手段先進IGBT模塊產(chǎn)線，在上海有芯片設(shè)計中心，負責(zé)芯片設(shè)計和制造管理。公司具備芯片設(shè)計、晶圓制造、模塊制造及應(yīng)用的完整IGBT產(chǎn)業(yè)鏈，在IGBT芯片開發(fā)，模塊制造和產(chǎn)品應(yīng)用具有自己獨特優(yōu)勢。江蘇宏微是由一批長期在國內(nèi)外從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)，具有多種專項技術(shù)的科技人員組建的國家重點高新技術(shù)企業(yè)。是國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程基地，國家IGBT和FRED標準起草單位。廣東芯聚能是一家車規(guī)級功率半導(dǎo)體元器件研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。主營業(yè)務(wù)包括：面向新能源電動汽車（EV、HEV）主驅(qū)動器的核心功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計、器件與模塊產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售與服務(wù)支持中芯紹興是一家專注于功率， 傳感和傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，提供特色工藝集成電路芯片及模塊封裝的代工服務(wù)的制造商。技術(shù)上，立足于場截止型（Field Stop）IGBT結(jié)構(gòu)，采用業(yè)界先進的背面加工工藝，包括背面減薄工藝、離子注入、激光退火及特殊金屬沉積工藝。600V～1200V等器件工藝均已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。公司建設(shè)有中國大陸第一條8英寸集成電路生產(chǎn)線起步，目前在上海金橋和張江共有三條8英寸生產(chǎn)線（華虹一、二及三廠），月產(chǎn)能約18萬片。華虹宏力工藝技術(shù)覆蓋1微米至90納米各節(jié)點，其嵌入式非易失性存儲器、功率器件、模擬及電源管理和邏輯及射頻等差異化工藝平臺在全球業(yè)界極具競爭力，并擁有多年成功量產(chǎn)汽車電子芯片的經(jīng)驗。方正微電子是一家從事集成電路芯片制造的國家高新技術(shù)企業(yè)，專注于為客戶提供功率分立器件（如DMOS、IGBT、SBD和FRD）和功率集成電路（如BiCMOS、BCD和HV CMOS）等領(lǐng)域的晶圓制造技術(shù)。上海先進于1988年由中荷合資成立為上海飛利浦半導(dǎo)體公司，1995年易名為上海先進半導(dǎo)體制造有限公司，2004年改制為上海先進半導(dǎo)體制造股份有限公司，2019年被上海積塔半導(dǎo)體有限公司吸收合并，改制為上海先進半導(dǎo)體制造有限公司。華潤上華隸屬于華潤微電子，華潤上華擁有兩條六英寸代工線和一條八英寸代工線，其六英寸生產(chǎn)線是國內(nèi)首家開放式晶圓代工廠。以產(chǎn)能計為目前國內(nèi)最大的六英寸代工企業(yè)，月產(chǎn)能逾21萬片，工藝線寬在0．5微米以上；八英寸生產(chǎn)線目前月產(chǎn)能已達6．5萬片。深圳芯能成立于2013年，致力于IGBT芯片、IGBT驅(qū)動芯片以及大功率智能功率模塊的研發(fā)、應(yīng)用和銷售。主要人員都有十多年的行業(yè)積累，在國內(nèi)率先成功量產(chǎn)基于FST工藝的IGBT產(chǎn)品。上海陸芯專注于最新一代功率半導(dǎo)體器件，具有強勁的工藝開發(fā)技術(shù)和設(shè)計能力，是國內(nèi)新一代功率半導(dǎo)體技術(shù)的領(lǐng)航企業(yè)。陸芯科技的產(chǎn)品（IGBT、SJMOS、SiC）包括芯片、單管和模塊中科君芯是一家專注于IGBT、FRD等新型電力電子芯片研發(fā)的中外合資高科技企業(yè)。公司成立于2011年底，依托中國科學(xué)院的科研團隊和研發(fā)平臺，結(jié)合海內(nèi)外的技術(shù)精英以及專業(yè)的市場管理團隊共同組建而成。無錫新潔能專業(yè)從事半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)與銷售。目前公司主要產(chǎn)品包括：12V～200V溝槽型功率MOSFET（N溝道和P溝道）、30V～300V屏蔽柵功率MOSFET（N溝道和P溝道）、500V～900V超結(jié)功率MOSFET、600V～1350V溝槽柵場截止型IGBT。科達半導(dǎo)體主要從事IGBT、FRD、MOSFET等新型功率半導(dǎo)體器件（ 電力電子器件）的設(shè)計、生產(chǎn)和銷售。公司擁有國內(nèi)一流的設(shè)計研發(fā)團隊，所設(shè)計研發(fā)的IGBT及FRD產(chǎn)品國內(nèi)先進。西安芯派成立于2008年，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的高新技術(shù)企業(yè)，產(chǎn)品包含：中大功率場效應(yīng)管（MOSFET，低壓至高壓全系列產(chǎn)品）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、二極管（含快速恢復(fù)二極管及肖特基二極管）、橋堆以及電源管理IC等。無錫紫光微電子有限公司是由紫光同芯微電子有限公司投資的一家高新技術(shù)企業(yè)，是一家專注于先進半導(dǎo)體功率器件和集成電路的設(shè)計研發(fā)、芯片加工、封裝測試及產(chǎn)品銷售的集成電路設(shè)計企業(yè)。當然，上述企業(yè)只是國產(chǎn)IGBT產(chǎn)業(yè)中的一部分代表，作為新能源領(lǐng)域的重點發(fā)展產(chǎn)業(yè)之一，車用芯片不止于IGBT，還包括了車用傳感器、自動駕駛芯片等等。步入2023年，這些關(guān)鍵的芯片技術(shù)想必也發(fā)生了不少的升級和改變。
