格芯今天宣布， 公司已收購瑞薩電子公司 (Renesas) 專有且經(jīng)過生產(chǎn)驗證的導電橋接隨機存取存儲器 (CBRAM) 技術(shù)，這是一種低功耗內(nèi)存解決方案旨在實現(xiàn)家庭和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)以及智能移動設備中的一系列應用。 

該交易進一步加強了 GF 的存儲器產(chǎn)品組合，并通過添加另一種相對容易集成到其他技術(shù)節(jié)點的可靠、可定制的嵌入式存儲器解決方案，擴展了其嵌入式非易失性存儲器 (NVM) 解決方案的路線圖。具體而言，該技術(shù)將使客戶能夠進一步實現(xiàn) SoC 設計的差異化，并推動新一代安全智能設備的發(fā)展。 

GF 首席商務官 Mike Hogan 表示：“我們致力于使我們的技術(shù)組合脫穎而出，成為我們客戶當今和未來幾十年節(jié)能物聯(lián)網(wǎng)應用的基礎。” “通過收購這種創(chuàng)新的存儲器技術(shù)，格芯現(xiàn)在在加速 NVM 解決方案的開發(fā)方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，這將使我們的客戶能夠設計下一代智能互聯(lián)設備。CBRAM 技術(shù)開啟了性能和超低能耗的新范式，支持從可穿戴設備到智能手機的廣泛應用，在特定用例中將電池充電間隔時間從數(shù)小時延長至數(shù)周甚至數(shù)年。” 

CBRAM 的低功耗、高讀/寫速度、降低的制造成本和對惡劣環(huán)境的耐受性使其特別適合消費、醫(yī)療和特定工業(yè)應用。2020 年，GF 與 Dialog Semiconductor 簽訂了許可協(xié)議，該公司于 2021 年被 Renesas 收購，以提供其 CBRAM 技術(shù)作為嵌入式 NVM 選項。今天，CBRAM 正在公司的 22FDX ®平臺上獲得認證，并計劃將其擴展到其他平臺。