導語：早在去年底，有媒體從國內多家IGBT相關廠商獲悉，不少公司現(xiàn)有新產線多處于產能爬坡期，目前在手訂單充足，普遍存在訂單積壓問題，現(xiàn)有產能仍無法滿足市場整體需求。業(yè)內公司均認為，雖然各廠家都在忙擴產，但新擴建項目實際投產至少需要約24個月，預測供需平衡點到來言之尚早，后續(xù)新接訂單或隨行就市還會漲。
2月22日最新消息，據(jù)DIGITIMESResearch統(tǒng)計與分析，2022年IGBT因電動車與光伏發(fā)電市場的強勁需求，在供應端產能有限的情況下，整體供需缺口達13.6%。
展望2023年，全球IGBT業(yè)者產能持續(xù)擴張，加上經濟陰霾恐導致電動車市場增速走緩，其余IGBT相關應用中，僅新能源發(fā)電新增裝機量動能明確，因此2023年全球IGBT供需缺口將收窄，當前短缺現(xiàn)象逐漸邁入尾聲。
機構分析顯示，IGBT芯片市場價格由行業(yè)供應端、制造端及消費端共同作用而成、并逐級傳導。供應端的成本價格包括原材料及輔料價格、人力價格、設備廠房價格、燃料動力價格等，其中原材料價格受礦產資源、國際形勢、突發(fā)事件的影響極大，也是影響IGBT市場價格的重要因素；供應端價格傳導至制造端形成了生產成本，制造業(yè)綜合供需溢價、研發(fā)成本和企業(yè)利潤，形成“制造端價格”傳導至消費端，而消費市場需求彈性也反作用于供應端、制造端，形成“價格-需求-價格”的傳導路徑來影響IGBT芯片市場定價。
國內來看，資料顯示，目前中國IGBT芯片行業(yè)自給率較低，大部分依賴進口，國內主要市場份額被英飛凌、富士、三菱等企業(yè)壟斷。由于IGBT單管及模塊企業(yè)同樣是主要的IGBT芯片生產企業(yè)，故從IGBT單管及模塊市場集中度來大致反映國內IGBT芯片市場集中度狀況，2020年，全球IGBT單管市場CR3、CR5、CR10分別為54.2%、657.4%、85.7%；全球IGBT模塊市場CR3、CR5、CR10分別為57.6%、66.7%、79.1%。綜合來看，IGBT單管及模塊市場集中度高，市場份額被頭部企業(yè)壟斷，大致可以反映出我國IGBT芯片市場集中度同樣較高，國外頭部企業(yè)及國內代表性企業(yè)占據(jù)了主要市場份額。
另一方面，我國IGBT芯片廠商生產模式各有不同，其下游客戶及產品應用領域也有所差異。例如，士蘭微下游主要市場為白電、工控、新能源車、光伏領域；華潤微下游主要應用于工控、新能源車領域；時代電氣主要布局軌交、電網(wǎng)、新能源車、新能源發(fā)電領域；斯達半導主要開拓工業(yè)、新能源車、光伏下游領域；新潔能下游市場為光伏、白電領域；宏微科技主要布局工控、光伏、新能源車領域。
數(shù)據(jù)顯示，主要代表企業(yè)中，時代電氣2021年整體營業(yè)收入規(guī)模最大，為151億元，但IGBT業(yè)務收入占比較少，約為6%；斯達半導IGBT業(yè)務專注度較高，雖然整體營收規(guī)模一般（約為17億元），但IGBT收入達16億元，占比超過94%。從企業(yè)IGBT芯片業(yè)務的競爭力來看，斯達半導的綜合競爭能力較強。
從五力競爭模型角度分析，我國IGBT芯片行業(yè)上游國產化程度較低，供應能力有限，且定制化程度較高，供應上議價能力較強；IGBT芯片市場需求空間較大，產品同質化較低，對外依賴較大，消費者議價能力較弱；IGBT芯片行業(yè)對潛在進入者的吸引力較大，但面臨著資金、技術、人才等高壁壘，綜合來看，行業(yè)潛在進入者威脅一般；IGBT芯片是目前我國鼓勵的發(fā)展方向，在多個領域應用程度較深，在新能源汽車、新能源發(fā)電等領域的應用空間將逐漸擴大，因此，行業(yè)替代品威脅較低；此外，我國IGBT芯片行業(yè)處于成長期，國產替代的背景下，行業(yè)內現(xiàn)有競爭者競爭較為激烈。
據(jù)前瞻產業(yè)研究院，中國IGBT產品與國際巨頭英飛凌、三菱電機等差距在10年以上，步入第5代后，預計差距將縮短為10年，第6/7代產品差距將在5年以內。從中國IGBT芯片行業(yè)代表性企業(yè)從技術格局來看，斯達半導應用第七代IGBT技術，電壓覆蓋范圍為100-3300V；華微電子布局第六代IGBT技術，電壓覆蓋范圍為360-1350V；士蘭微、時代電氣、宏微科技應用第五代IGBT技術；新潔能主要應用第四代IGBT技術。
