新的產(chǎn)業(yè)，新的應(yīng)用，市場(chǎng)前景有目共睹。但最近特斯拉傳出消息，車用碳化硅將減少75%的用量，引發(fā)國內(nèi)行業(yè)巨震。

不想踩熱點(diǎn)，不愿隨大流，客觀理性來看待特斯拉減少75%碳化硅用量。寫本文的目的不是做分析和結(jié)論，更多是提供一些信息和數(shù)據(jù)供大家參考。

特斯拉在Model 3中開創(chuàng)了使用碳化硅的先河，并看到了比許多競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手更高效的好處。然而，隨著其他人趕上特斯拉，成本變得越來越重要。

與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比，特斯拉逆變器規(guī)格過高。雖然特斯拉允許“狂暴模式/Ludicrous mode”這樣的功能/特性，但它是以額外的 SiC 為代價(jià)的，只有一小部分客戶實(shí)際使用。這一點(diǎn)尤其重要，因?yàn)橛雄E象表明這將在他們新的低成本平臺(tái)上改變，該平臺(tái)可能不需要相同的功率水平。

當(dāng)特斯拉推出時(shí)，這項(xiàng)技術(shù)是新技術(shù)，長(zhǎng)期可靠性和穩(wěn)定性是未知的，因此對(duì)逆變器進(jìn)行高額定值可以降低這種風(fēng)險(xiǎn)�？煽啃院头�(wěn)定性現(xiàn)在得到了更好的理解，因此不再以同樣的方式存在風(fēng)險(xiǎn)，并且允許更適當(dāng)?shù)南到y(tǒng)規(guī)模調(diào)整。

此外，所有SiC 制造商都在提高其器件的電流容量，同時(shí)減小芯片尺寸，轉(zhuǎn)向下一代技術(shù)是顯而易見的事情。

這也可能表明特斯拉可能轉(zhuǎn)向 800V 架構(gòu)。與 400V 架構(gòu)相比，800V 架構(gòu)的裸片更少。

因此，“特斯拉將碳化硅含量減少75%”是對(duì)該行業(yè)近年來取得的進(jìn)展以其能力的展示，甚至意味著特斯拉在汽車動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)中占據(jù)主導(dǎo)地位。

目前比較明確的說法是特斯拉將采用硅基IGBT+碳化硅替代之前的碳化硅，從而減少75%的用量。車用碳化硅，主要是MOSFET，少量Diode。第三代半導(dǎo)體碳化硅60%~70%應(yīng)用在新能源車。

這里也分享一下New Streat Research 的說法：我們了解到新動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)的逆變器將采用混合 SiC MOSFET 和硅基IGBT的混合架構(gòu)。基本設(shè)計(jì)原則是大部分時(shí)間僅運(yùn)行SiC MOSFET，并且僅在峰值負(fù)載（加速）時(shí)將它們與 IGBT 組合，從而在大多數(shù)時(shí)間受益于碳化硅的更高效率。這種混合架構(gòu)僅適用于新平臺(tái)，即低成本、小型、性能較低的汽車。

特斯拉model3采用24個(gè)模組有圖為證，芯片大小是systemplus 逆向分析的結(jié)果。

從而推算出下面這張表格，假定良率是50%、60%、70%、80%，分別對(duì)應(yīng)于一張6英寸碳化硅晶圓可以滿足特斯拉7.3臺(tái)車、8.7臺(tái)車、10.2臺(tái)車、11.7臺(tái)車。

來源：鐘林談芯

換一張圖來做說明：假設(shè)芯片大小不變只有良率上升，紫色線假設(shè)芯片的平均大小每年有2%的遞減，可以看出來在一臺(tái)特斯拉車上總體趨勢(shì)是襯底的用量越來越小。

根據(jù)之前Yole的預(yù)測(cè)，碳化硅襯底的出貨量在未來將大幅增長(zhǎng)。不管如何，即使所有的新能源車跟隨特斯拉減少碳化硅的用量，碳化硅襯底的出貨量在未來仍然是增長(zhǎng)的。

科技不斷變化，科技充滿希望�？萍嫉陌l(fā)展存在未知性，我們無法預(yù)料在不斷變化的過程中科技最終會(huì)發(fā)展成什么樣，但是可以堅(jiān)信，科技正在讓我們的生活更美好。