據(jù)韓媒報道，三星電子正在加速進軍下一代功率半導(dǎo)體市場，在組建與SiC和GaN器件開發(fā)相關(guān)的功率半導(dǎo)體TF后，目前正積極投資研發(fā)和原型生產(chǎn)所需的設(shè)施。
報道稱，三星電子正試圖引進更先進的8英寸碳化硅工藝設(shè)備。據(jù)了解，迄今為止完成的投資約在1000億至2000億韓元（約6-12億人民幣）之間。投資規(guī)模足以實現(xiàn)原型的量產(chǎn)，而不僅僅是簡單的工藝開發(fā)。
與硅基半導(dǎo)體相比，SiC半導(dǎo)體具有優(yōu)越的高壓和高溫性能，作為用于電氣設(shè)備、可再生能源和工業(yè)用途的半導(dǎo)體器件，備受關(guān)注。該市場目前由德國、美國和日本的半導(dǎo)體公司主導(dǎo)。
隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達22.8億美元，年成長41.4%。
與此同時，受惠于下游應(yīng)用市場的強勁需求，TrendForce集邦咨詢預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)�？赏_53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動汽車及可再生能源。
事實上，韓國早在2000年就開始布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，并在近年來不斷加大力度，頻頻發(fā)力，政策發(fā)布，企業(yè)擴產(chǎn)收購不斷。
2000年韓國制訂了GaN開發(fā)計劃，政府在2004~2008年投入4.72億美元，企業(yè)投入7.36億美元以支持韓國進行光電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展，使韓國成為亞洲最大的光電子器件生產(chǎn)國。
2009年韓國發(fā)布《綠色成長國家戰(zhàn)略》，全力發(fā)展環(huán)保節(jié)能產(chǎn)業(yè)，并致力于使得該產(chǎn)業(yè)成為韓國經(jīng)濟增長的主要動力之一。
2010—2012年間投入約4500萬美金以推動MOCVD機臺實現(xiàn)國產(chǎn)化、引進制程自動化系統(tǒng)并開發(fā)高速封裝、監(jiān)測設(shè)備。
2016年，韓國圍繞Si基GaN和SiC器件啟動功率電子國家項目，同時重點圍繞高純SiC粉末制備、高純SiC多晶陶瓷、高質(zhì)量SiC單晶生長、高質(zhì)量SiC外延材料生長4個方向，開展了國家研發(fā)項目。
2017年，韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部（MOTIE）舉辦研討會，為了強化系統(tǒng)半導(dǎo)體的競爭力，產(chǎn)、官、學(xué)三界聯(lián)手投資4645億韓元（4.15億美元），開發(fā)低能源、超輕量和超高速的半導(dǎo)體芯片。
這當(dāng)中1326億韓元用于開發(fā)先進超輕量傳感器、837億韓元投入低耗能的SiC功率半導(dǎo)體，47億韓元投資超高速存儲器和系統(tǒng)整合設(shè)計技術(shù)。
2021年，韓國政府對第三代半導(dǎo)體的發(fā)展越來越重視，并于同年發(fā)布了一份先進功率半導(dǎo)體研發(fā)和產(chǎn)能提升計劃，計劃到2025年將市場競爭力提升到全球水平，以便到那一年韓國至少有5種先進的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品上市。
同時，韓國宣布啟動“X-band GaN半導(dǎo)體集成電路”國產(chǎn)化課題。韓國無線通信設(shè)備半導(dǎo)體企業(yè)RFHIC（艾爾福）被選定為課題牽頭企業(yè)，SK Siltron將參與SiC基板/GaN樹脂的制作，LIG nex1負責(zé)系統(tǒng)的驗證，韓國電子通信研究院(ETRI)的半導(dǎo)體工廠將被用來進行GaN MMIC的制作。
2022年，韓國推出其由國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)、大學(xué)、研究所等組成的“新一代晶體工程部”。以開發(fā)新一代功率半導(dǎo)體，應(yīng)對碳化硅 (SiC)、氮化鎵 (GaN) 和氧化鎵 (Ga203) 等快速增長的全球功率半導(dǎo)體市場。
其中，LX Semicon、SK siltron、Hana Materials、STI等30家功率半導(dǎo)體公司將參與材料、零件、設(shè)備的功率半導(dǎo)體開發(fā)。
目前，在全球第三代半導(dǎo)體的爭奪戰(zhàn)中，韓國正在向歐美日巨頭發(fā)起沖擊。
