根據(jù)來自臺(tái)灣的一份新報(bào)告，臺(tái)積電 (TSMC) 將于 2025 年開始量產(chǎn)其 2 納米半導(dǎo)體工藝。該時(shí)間表與臺(tái)積電的時(shí)間表相符，其管理層已在分析師會(huì)議上多次提供該時(shí)間表。此外，這些傳言表明，臺(tái)積電還計(jì)劃推出名為 N2P 的新 2 納米節(jié)點(diǎn)，該節(jié)點(diǎn)將在 N2 之后的一年內(nèi)投入生產(chǎn)。臺(tái)積電尚未確認(rèn)名為 N2P 的新工藝，但它對(duì)其當(dāng)前的 3 納米半導(dǎo)體技術(shù)使用了類似的命名，N3P 是 N3 的增強(qiáng)版，反映了生產(chǎn)工藝的改進(jìn)。

摩根士丹利預(yù)計(jì)臺(tái)積電第二季度營(yíng)收將下降 5% 至 9%

今日?qǐng)?bào)導(dǎo)來自臺(tái)灣供應(yīng)鏈消息人士分享，臺(tái)積電2納米半導(dǎo)體量產(chǎn)如期進(jìn)行。該公司的高管多次概述了下一代制造工藝的時(shí)間表，包括在 2021 年的一次會(huì)議上，該公司首席執(zhí)行官 CC Wei 博士分享了他的公司對(duì) 2025 年 2 納米量產(chǎn)充滿信心。

此后，臺(tái)積電負(fù)責(zé)研發(fā)和技術(shù)的高級(jí)副總裁 YJ Mii 博士去年確認(rèn)了這一時(shí)間表，而魏博士最近對(duì)此事的看法是在 1 月份，當(dāng)時(shí)他透露該過程“提前”并在2024年進(jìn)入試產(chǎn)階段（也是臺(tái)積電時(shí)間線的一部分）。

最新的信息來源建立在這些聲明的基礎(chǔ)上，并補(bǔ)充說大規(guī)模生產(chǎn)將在臺(tái)積電位于新竹寶山的工廠進(jìn)行。新竹工廠是臺(tái)積電先進(jìn)技術(shù)的首選，該公司還在臺(tái)灣臺(tái)中地區(qū)建設(shè)第二家工廠。這個(gè)名為 Fab 20 的設(shè)施將分階段建設(shè)，并于 2021 年得到管理層的確認(rèn)——當(dāng)時(shí)該公司為該工廠購買了土地。

報(bào)告中另一個(gè)有趣的花絮是所謂的 N2P 生產(chǎn)過程。雖然臺(tái)積電已經(jīng)確認(rèn)了 N3 的高性能變體，稱為 N3P，但該晶圓廠尚未提供 N2 工藝節(jié)點(diǎn)的類似細(xì)節(jié)。供應(yīng)鏈消息稱，N2P 將使用 BSPD（背面供電）來提高性能。BSPD是業(yè)內(nèi)所謂的硅通孔 (TSV)的延伸。TSV 是穿過晶圓并允許多個(gè)半導(dǎo)體（例如存儲(chǔ)器和處理器）相互堆疊的連接。BSPDN（背面供電網(wǎng)絡(luò)）涉及將晶圓彼此粘合，并在電流通過更合適的電阻更低的背面輸送到芯片時(shí)產(chǎn)生功率效率。

半導(dǎo)體制造是一個(gè)復(fù)雜的過程。雖然比人類頭發(fā)小數(shù)千倍的印刷晶體管通常最受關(guān)注，但其他同樣復(fù)雜的領(lǐng)域限制了制造商提高芯片性能。

臺(tái)積電的目標(biāo)是使其新技術(shù)的性能比目前最新的 3nm 技術(shù)提高 10% 至 15%。此外，新技術(shù)還可以將功耗降低 25% 到 30%。

芯片制造的下一階段，臺(tái)積電將轉(zhuǎn)向具有更大鏡頭的機(jī)器。這些被稱為高 NA（數(shù)值孔徑）EUV光刻機(jī)，Mii 博士概述了他的公司將在 2024 年收到它們。由此看來，臺(tái)積電似乎將使用這些機(jī)器通過其 2 納米制造工藝制造芯片。

盡管有傳言稱采用了新的工藝技術(shù)，但投資銀行摩根士丹利認(rèn)為，臺(tái)積電第二季度的收入將下降 5% 至 9%。該銀行的最新報(bào)告增加了預(yù)期的降幅，最初預(yù)計(jì)該降幅為 4%。下降背后的原因是智能手機(jī)芯片公司的訂單減少，

摩根士丹利補(bǔ)充說，臺(tái)積電可以將其 2023 年全年收入指引從“輕微增長(zhǎng)”下調(diào)至持平，其主要客戶蘋果公司將不得不在今年晚些時(shí)候接受 3% 的晶圓價(jià)格上漲。根據(jù)研究報(bào)告，臺(tái)積電用于 iPhone 的 N3 工藝節(jié)點(diǎn)的良率也有所提高。