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東芝推出具有更低導(dǎo)通電阻的小型化超薄封裝共漏極MOSFET,適用于快充設(shè)備

已有9351次閱讀2023-05-18標簽:
 

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”,該器件可用于移動設(shè)備鋰離子(Li-ion)電池組中的電池保護電路。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

 

 

 

鋰離子電池組依靠高度穩(wěn)定的保護電路來減少充放電時產(chǎn)生的熱量,以提高安全性。這些電路必須具有低功耗和高密度封裝的特性,同時要求MOSFET小巧纖薄,且具有更低的導(dǎo)通電阻。

SSM14N956L采用東芝專用的微加工工藝,已經(jīng)發(fā)布的SSM10N954L也采用該技術(shù)。憑借業(yè)界領(lǐng)先[1]的低導(dǎo)通電阻特性實現(xiàn)了低功耗,而業(yè)界領(lǐng)先[1]的低柵源漏電流特性又保證了低待機功耗。這些特性有助于延長電池的使用時間。此外,新產(chǎn)品還采用了一種新型的小巧纖薄的封裝TCSPED-302701(2.74mm×3.0mm,厚度=0.085mm(典型值)。

 

東芝將繼續(xù)開發(fā)用于鋰離子電池組供電設(shè)備中的保護電路的MOSFET產(chǎn)品。

 

應(yīng)用

家用電器采用鋰離子電池組的消費類電子產(chǎn)品以及辦公和個人設(shè)備,包括智能手機、平板電腦、充電寶、可穿戴設(shè)備、游戲控制器、電動牙刷、迷你數(shù)碼相機、數(shù)碼單反相機等。


特性

 業(yè)界領(lǐng)先的[1]低導(dǎo)通電阻:RSS(ON)=1.1mΩ(典型值)@VGS=3.8V

業(yè)界領(lǐng)先的[1]低柵源漏電流:IGSS=±1μA(最大值)@VGS=±8V

小型化超薄TCSPED-302701封裝:2.74mm×3.0mm,厚度=0.085mm(典型值)

 共漏極結(jié)構(gòu),可方便地用于電池保護電路


主要規(guī)格

(除非另有說明,Ta=25℃)

 

 

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