當(dāng)?shù)貢r間5月18日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)，可以滿足了運算市場對大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求。

與上一代產(chǎn)品相較，三星新的12納米等級DDR5 DRAM的速率達到了7.2Gbps，功耗降低了23%，同時將晶圓的生產(chǎn)效率提高了20%。 

此外，出色的電源效率也使其成為那些希望減少服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的能耗及碳足跡的全球IT公司的理想解決方案，以支持包括數(shù)據(jù)中心、人工智能和下一代運算解決方案在內(nèi)越來越多的應(yīng)用。

三星12納米級工藝技術(shù)的開發(fā)基于一種新型高κ材料，有助于提高電池電容。高電容使數(shù)據(jù)信號出現(xiàn)明顯的電位差，從而更易于準(zhǔn)確地區(qū)分。同時，三星在降低工作電壓和噪聲方面的成果，也讓此解決方案更加適用于客戶公司的需求。

據(jù)悉，2022年12月，三星成功開發(fā)出基于12nm級制程工藝的16Gb DDR5 DRAM，并與今年5月與AMD完成了兼容性測試。三星表示，這款產(chǎn)品是業(yè)界最先進的高性能且低能耗的DDR5 DRAM。

資料顯示，DDR5 DRAM是聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會（JEDEC）于2020年推出的最新DRAM規(guī)范，其性能比DDR4 DRAM高了一倍。

當(dāng)前，盡管DDR4占據(jù)DRAM領(lǐng)域大部分市場份額，但DDR5作為存儲領(lǐng)域的新產(chǎn)品，正逐漸成為各大廠商競逐的焦點。業(yè)界認為，近兩年將會是DDR5高速發(fā)展期，尤其是從今年開始，DDR5滲透率將大幅提升。

TrendForce集邦咨詢分析師吳雅婷表示，隨著時間的推移，預(yù)計自2023年起，服務(wù)器端將逐步導(dǎo)入DDR5，在server新平臺的帶動下，將會拉高DDR5比重。而隨著DDR5的快速普及，未來將有望取代DDR4。集邦咨詢認為，DDR5與DDR4成為主流應(yīng)用的交會點應(yīng)該在2024年底前或2025年初。