增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測(cè)NTC，并有使用預(yù)涂的熱界面材料（TIM）版本。
產(chǎn)品型號(hào)：
FF17MR12W1M1H_B11
17mΩ 1200V
FF17MR12W1M1H_B70
17mΩ 1200V 低熱阻
FF17MR12W1M1HP_B11
17mΩ 1200V TIM版本
FF33MR12W1M1H_B11
33mΩ 1200V
FF33MR12W1M1HP_B11
33mΩ 1200V TIM版本
產(chǎn)品特點(diǎn)
1200V CoolSiC™ MOSFET
Easy1B封裝
Best-in-class 12毫米高度模塊封裝
非常低的模塊寄生電感
RBSOA反向工作安全區(qū)寬
柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口大
PressFIT引腳
兩個(gè)阻值型號(hào)都有帶有熱界面材料版本
應(yīng)用價(jià)值
擴(kuò)展了柵源電壓最大值：+23V和-10V
在過(guò)載條件下，Tvjop最高可達(dá)175°C
最佳的性價(jià)比，可降低系統(tǒng)成本
可工作在高開(kāi)關(guān)頻率，并改善對(duì)冷卻要求
競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
引入新的M1H增強(qiáng)型1代芯片系列模塊，Best-in-class 1200V Easy1B模塊
采用英飛凌WBG材料，達(dá)到功率和效率的新水平
緊跟市場(chǎng)的新趨勢(shì)，支持多種目標(biāo)應(yīng)用
應(yīng)用領(lǐng)域
電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
不間斷電源(UPS)
電動(dòng)汽車充電
光伏系統(tǒng)的解決方案
儲(chǔ)能系統(tǒng)
