大約一年前，三星正式開始采用其 SF3E（3nm 級、早期全柵）工藝技術(shù)大批量生產(chǎn)芯片，但沒有無晶圓廠芯片設(shè)計商證實其產(chǎn)品使用了該節(jié)點。但 TechInsights 最近發(fā)現(xiàn) ，比特微的 Whatsminer M56S++加密礦機使用的專用集成電路 (ASIC)，確實是采用三星 SF3E 工藝制造的。
用于挖掘加密貨幣的 ASIC 往往是晶體管數(shù)量相對較少的小型設(shè)備，具有類似的重復(fù)邏輯結(jié)構(gòu)和最少數(shù)量的 SRAM 位單元。這通常使得此類芯片，尤其是 Whatsminer M56S++，由于其生產(chǎn)簡單性，非常適合用作最先進制造技術(shù)的pipe cleaners。對于 Samsung Foundry 來說，將其 SF3E 用于加密貨幣挖掘 ASIC 等芯片是非常有意義的。
不幸的是，我們對Whatsminer M56S++ ASIC了解不多，只知道基于該芯片的MictoBT礦機具有240-256 Th/s算力和22J/T能效。
此外，我們目前也尚不清楚三星的 SF3E 目前是否用于加密貨幣挖礦芯片以外的應(yīng)用。但三星官方表示，它使用最新的工藝節(jié)點生產(chǎn)產(chǎn)品。
三星在之前發(fā)布財務(wù)報表中寫道：“我們正在批量生產(chǎn)第一代 3 納米工藝，產(chǎn)量穩(wěn)定，并且基于這一經(jīng)驗，我們正在開發(fā)第二代工藝，以確保更大的批量生產(chǎn)能力。”
與三星第二代 5nm 級技術(shù)（SF5、5LPP）相比， SF3E （又名 3GAE）有望在保持相同復(fù)雜性和頻率的同時將芯片功耗降低多達 45%，或者在類似的情況下將性能提高 23%。晶體管數(shù)量和時鐘。此外，它還可以將集成電路（IC）占用的面積減少16%。該公司最近詳細介紹了名為SF3的第二代 3nm 級工藝 。
三星3nm良率正在提升
目前，只有兩家代工廠為其客戶提供 3 納米和 4 納米級工藝技術(shù)：臺積電和三星代工廠。但商業(yè)媒體有時會將前沿節(jié)點的良率歸咎于三星代工，但這一點無法得到證實。但最近的一系列報告稱，三星現(xiàn)在正在向商業(yè)客戶交付首款基于 GAAFET 的 3 nm 芯片，并且三星 3 nm 和 4 nm 級節(jié)點的良率總體狀況良好。
三星代工的4納米級工藝技術(shù)良率現(xiàn)已高于75%。相比之下，據(jù)Kmib.co.kr報道，根據(jù) DGB 金融集團成員 Hi Investment & Securities 的報告估計，SF3E（3nm 級、早期全柵）芯片的良率現(xiàn)已超過 60% 。同一份報告稱，臺積電 N4 節(jié)點的良率接近 80%，但同樣，這是研究人員的估計。
一般來說，有關(guān)代工廠良率的信息無法得到驗證，因為合同晶圓廠幾乎從不公開談?wù)摿悸�。他們有時會公開披露與以前的節(jié)點相比的缺陷密度，但三星代工的 SF4E、SF4、SF4P 和 SF3E 的情況卻并非如此。
三星代工官方只表示其SF3E工藝技術(shù)已經(jīng)量產(chǎn)，良率穩(wěn)定（可能是為了回應(yīng)去年年底有媒體報道SF在SF3E上良率不穩(wěn)定的報道），下一代的工藝的開發(fā)正在進行中。
三星在一份聲明中寫道：“我們正在批量生產(chǎn)第一代 3nm 工藝，產(chǎn)量穩(wěn)定，并且基于這一經(jīng)驗，我們正在開發(fā)第二代工藝，以確保更大的批量生產(chǎn)能力。”
基于上文提到的礦機芯片，我們能間接證實三星 5 納米和 7 納米級制造工藝的良率正在提高。據(jù)DigiTimes 報道 ，三星代工廠 5 納米生產(chǎn)線的利用率已增至 80%，5 納米和 7 納米工廠的綜合利用率近期已從 2022 年的 60% 攀升至 90%。再次強調(diào)，該信息來自非官方來源。
通常，無晶圓廠芯片設(shè)計人員不傾向于使用高缺陷密度的節(jié)點，因此如果5納米級（三星的SF4源自SF5）的利用率變高，這可能表明它們現(xiàn)在被三星客戶更密集地使用�；蛘撸@可能表明三星代工廠的客戶迫切希望提高產(chǎn)量，盡管由于需求高而導(dǎo)致產(chǎn)量較低。然而，考慮到當前的市場狀況，情況可能并非如此。
