當(dāng)前,憑借可為芯片提供更高性能和更低功耗優(yōu)勢(shì),2nm技術(shù)被業(yè)界視為下一代半導(dǎo)體制程的關(guān)鍵性突破。目前,加入2nm芯片戰(zhàn)局的代表性廠商包括臺(tái)積電、三星、英特爾以及晶圓代工初創(chuàng)公司Rapidus。
Rapidus:2nm芯片成本是目前日本主流芯片的10倍
資料顯示,Rapidus成立于2022年11月,由索尼集團(tuán)、豐田汽車(chē)、軟銀、鎧俠、三菱日本電裝等八家日企共同投資成立。同年12月,Rapidus宣布與IBM公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開(kāi)發(fā)2nm芯片生產(chǎn)技術(shù)。
今年5月,Rapidus公布了最新的生產(chǎn)計(jì)劃,預(yù)計(jì)將在2025年試產(chǎn)2nm芯片。試產(chǎn)產(chǎn)線開(kāi)始生產(chǎn)的時(shí)間預(yù)估會(huì)落在2025年3-4月左右。Rapidus位于北海道千歲市的2nm芯片工廠目標(biāo)在2027年開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)。
近日,據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道,Rapidus首席執(zhí)行官小池淳義預(yù)計(jì),與目前日廠生產(chǎn)的主流芯片相比,未來(lái)2納米芯片的生產(chǎn)成本將大幅度提高,差距達(dá)到了10倍。
小池淳義強(qiáng)調(diào),截至4月,Rapidus已招募百名半導(dǎo)體工程師,并計(jì)劃年底前倍增。首批工程師正在IBM的Albany NanoTech Complex接受培訓(xùn);2025年進(jìn)入試產(chǎn)時(shí)需約300~500名工程師。
英特爾:Intel 18A制程有新客戶
自宣布實(shí)施IDM2.0戰(zhàn)略以來(lái),英特爾便開(kāi)始不遺余力地拓展晶圓代工業(yè)務(wù),并宣布了多宗建廠計(jì)劃。英特爾的目標(biāo)是,超越三星成為全球第二大晶圓代工廠商。
而在先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)中,英特爾亦不甘示弱,加入2nm芯片研發(fā)賽道。此前,英特爾對(duì)重要工藝制程的命名進(jìn)行了修改,并提出了“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo),分別為Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A、Intel 18A,其中Intel 20A和Intel 18A分別對(duì)應(yīng)2nm和1.8nm制程。
據(jù)英特爾中國(guó)總裁兼董事長(zhǎng)王銳此前透露,英特爾已經(jīng)完成了Intel 20A和Intel 18A制程工藝的開(kāi)發(fā)。英特爾表示,將于2024年量產(chǎn)Intel 20A以及Intel 18A。根據(jù)英特爾的說(shuō)法,Intel 18A的性能會(huì)超過(guò)臺(tái)積電和三星的2nm工藝。
在今年6月舉辦的線上活動(dòng)中,英特爾宣布18A工藝將于2024年下半年量產(chǎn),并計(jì)劃在2025年推出至少5款處理器。
最新消息是,英特爾公司官方宣布將與愛(ài)立信合作,采用其最先進(jìn)的Intel 18A制程,為愛(ài)立信的5G網(wǎng)絡(luò)設(shè)備制造定制芯片。英特爾表示,愛(ài)立信是英特爾首批使用該技術(shù)的外部客戶芯片之一。
三星:從2nm技術(shù)開(kāi)始,5年內(nèi)超過(guò)臺(tái)積電
眾所周知,三星是全球第二大晶圓代工廠商,排名僅次于臺(tái)積電。而在先進(jìn)制程研發(fā)方面,雙方也暗自較勁,爭(zhēng)奪的焦點(diǎn)也一直延續(xù)到2nm先進(jìn)制程。
7月27日,三星電子在其最新公布的第二季度財(cái)報(bào)中表示,2納米GAA技術(shù)的開(kāi)發(fā)已步入正軌并進(jìn)展順利。
此前,三星已經(jīng)公布了2納米先進(jìn)制程量產(chǎn)時(shí)間節(jié)點(diǎn):預(yù)計(jì)2025年起量產(chǎn)2納米工藝半導(dǎo)體產(chǎn)品。而今年6月底在美國(guó)加州硅谷舉辦的“2023晶圓代工論壇”上,三星則提出了關(guān)于2納米工藝半導(dǎo)體的具體時(shí)間表:自2025年起首先將該技術(shù)用于移動(dòng)終端;到2026年將適用于高性能計(jì)算機(jī)集群(HPC);并于2027年將其用途擴(kuò)至車(chē)用芯片。
與目前最先進(jìn)的3納米技術(shù)比較,三星電子的2納米制程性能將提高12%、功效提高25%,面積減少5%。
三星DS部門(mén)總裁Kyung Kye-hyun此前表示,三星計(jì)劃超越臺(tái)積電,目標(biāo)就是從比臺(tái)積電更早使用GAA技術(shù)的2納米制程開(kāi)始,并預(yù)測(cè)將在5年內(nèi)超過(guò)臺(tái)積電。
臺(tái)積電:高雄廠改建2納米廠?
臺(tái)積電作為全球最大的晶圓代工廠商,曾多次對(duì)外介紹了其2nm先進(jìn)制程的量產(chǎn)時(shí)程。
而今年7月初,臺(tái)積電在日本就最新制程技術(shù)召開(kāi)了新聞發(fā)布會(huì)上又再次重申了2納米工藝路線圖:N2在2nm工藝中的技術(shù)開(kāi)發(fā)正在有序進(jìn)行,預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)。
值得一提的是,近兩個(gè)月以來(lái),市場(chǎng)上關(guān)于臺(tái)積電2nm制程的消息頻繁傳出。
例如,今年6月,市場(chǎng)消息稱(chēng)臺(tái)積電已經(jīng)開(kāi)始準(zhǔn)備為蘋(píng)果和英偉達(dá)試產(chǎn)2納米產(chǎn)品;7月,臺(tái)積電供應(yīng)鏈透露,其已通知設(shè)備商于明年第三季開(kāi)始交付2nm相關(guān)機(jī)器,更有消息人士透露,臺(tái)積電為應(yīng)對(duì)AI浪潮,將改變高雄廠建廠計(jì)劃,由原來(lái)的成熟制程改為更先進(jìn)的2納米制程,預(yù)計(jì)2025年下半年量產(chǎn)。
據(jù)臺(tái)積電此前介紹,相較于3nm制程技術(shù),在相同功耗下,2nm技術(shù)速度快10~15%;在相同速度下功耗降低25~30%,同時(shí)芯片密度增加逾15%。
在這場(chǎng)先進(jìn)制程競(jìng)賽中,各自為政的上述四大代工廠商似乎已經(jīng)組成了一副“多米諾骨牌”,至于未來(lái)是否能成功推倒,還需拭目以待!









