在動(dòng)力、能源與通訊革新下，部分受限于材料特性的 Si 組件逐漸被SiC、GaN 組件取代之趨勢(shì)無(wú)可逆轉(zhuǎn)。本篇報(bào)告主要在分析中國(guó)對(duì)于SiC、GaN 組件的長(zhǎng)線需求背景，同時(shí)聚焦于中國(guó)本土供應(yīng)鏈的發(fā)展機(jī)會(huì)與動(dòng)態(tài)。

在數(shù)字化浪潮下，半導(dǎo)體已是云端與各式終端設(shè)備不可或缺的關(guān)鍵組件，其中云端運(yùn)算平臺(tái)、智能型手機(jī)與個(gè)人計(jì)算機(jī)搭載的運(yùn)算和儲(chǔ)存單元，更是多元數(shù)字應(yīng)用持續(xù)升級(jí)、擴(kuò)展、深化的推手之一。

如今搭載于云端、終端設(shè)備的運(yùn)算、儲(chǔ)存單元多是由硅（Si）制成，在半導(dǎo)體制程、封裝技術(shù)持續(xù)發(fā)展下，也讓Si芯片能滿足日益復(fù)雜的云端、終端應(yīng)用需求。

但在部分領(lǐng)域，Si芯片卻受限于物理特性，逐漸無(wú)法跟上應(yīng)用需求。首先是電動(dòng)車迅速崛起，電池取代燃油成為汽車的動(dòng)力來(lái)源，掀起一波動(dòng)力革新，此轉(zhuǎn)變讓汽車必須仰賴多種DC—DC轉(zhuǎn)換器、AC—DC 轉(zhuǎn)換器與主逆變器，而上述部件又須搭載耐高溫、耐高壓的功率半導(dǎo)體組件，方能有效率的運(yùn)作。

不過(guò)因Si的單位厚度擊穿電壓值僅0.3x107V／cm，在高壓下的工作穩(wěn)定度不佳，且因?yàn)槠淠芟吨禐?.1eV、熱導(dǎo)率僅1.5W／cm℃，亦不利在高溫環(huán)境下工作。為了突破Si材料的瓶頸，業(yè)界乃轉(zhuǎn)向化合物半導(dǎo)體，而具有耐高壓、耐高溫的碳化硅（SiC）也成為取代Si的首選。

除了動(dòng)力革新之外，再生能源系統(tǒng)的優(yōu)化亦促使SiC 組件逐步取代Si組件。為了加快實(shí)現(xiàn)碳中和，許多國(guó)家加速布建太陽(yáng)能、風(fēng)能等再生能源系統(tǒng)，但是在能源轉(zhuǎn)換效率難以顯著爬升的情況下，降低電力傳輸過(guò)程中的耗損以提高發(fā)電效率就成為目前主要的努力方向。

由于SiC的物理特性能有效降低發(fā)熱與能源耗損，因此搭載SiC 組件的電力相關(guān)設(shè)備如逆變器、DC—DC轉(zhuǎn)換器、AC—DC轉(zhuǎn)換器，也比搭載Si組件的設(shè)備更能優(yōu)化電力傳輸效率，成為主要的替代方案。

未來(lái)將有更多工業(yè)機(jī)電設(shè)備、交通設(shè)施、儲(chǔ)能設(shè)備導(dǎo)入搭載SiC組件的逆變器、DC—DC轉(zhuǎn)換器或AC—DC轉(zhuǎn)換器；而GaN組件不僅見于快速充電、無(wú)線通信設(shè)備，亦將擴(kuò)大切入電動(dòng)車、電網(wǎng)、照明、雷射等領(lǐng)域。