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HBM需求激增,增長(zhǎng)率高達(dá)82%

已有6170次閱讀2023-09-12標(biāo)簽:
 

SK海力士公司和三星電子公司相信,由于生成式人工智能的轟動(dòng),新的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)即將復(fù)興即將來(lái)臨,這正在加速定制、高性能下一代芯片的開(kāi)發(fā)。

 

SK海力士DRAM營(yíng)銷(xiāo)主管Park Myung-soo在一次發(fā)布會(huì)上表示:“人工智能服務(wù)器需要 500 GB 或更大的高帶寬內(nèi)存 (HBM) 芯片以及至少 2 TB 的 DDR5 芯片。” 。

 “人工智能競(jìng)爭(zhēng)是存儲(chǔ)芯片需求增長(zhǎng)的強(qiáng)勁推動(dòng)力。”  

 

SK海力士預(yù)測(cè),AI芯片熱潮帶動(dòng)HBM市場(chǎng)到2027年將達(dá)82%的復(fù)合年增長(zhǎng)。   三星電子和其同城競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的觀點(diǎn),預(yù)計(jì)明年HBM市場(chǎng)將比今年增長(zhǎng)一倍以上。

三星電子DRAM產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Hwang Sang-joon同日在KIW 2023上表示:“我們客戶當(dāng)前的(HBM)訂單決定比去年增加了一倍多。”“無(wú)縫HBM生產(chǎn)、封裝和制造能力將比較。”

 

HBM 是一種高性能、高性能半導(dǎo)體,由于它被為生成型人工智能設(shè)備、高性能數(shù)據(jù)中心和機(jī)器學(xué)習(xí)平臺(tái)提供動(dòng)力,因此其需求量正在激增。其需求預(yù)計(jì)將進(jìn)一步增長(zhǎng),因?yàn)樵撔枨髮⑦M(jìn)一步

 

增長(zhǎng)芯片與圖形處理單元(GPU)一起使用,以增強(qiáng)生成式人工智能的能力,例如ChatGPT,這是OpenAI開(kāi)發(fā)的人工智能聊天機(jī)器人,被認(rèn)為是下一個(gè)將統(tǒng)治世界的重大事物。這相當(dāng)于韓國(guó)   

內(nèi)存派對(duì),也是全球排名靠前的廠商,都在 HBM 芯片上下了重注,該芯片垂直互連多個(gè) DRAM 芯片,與傳統(tǒng) DRAM 產(chǎn)品相比,可大幅提高數(shù)據(jù)處理速度。它們至少貴五倍。

 

市場(chǎng)追蹤機(jī)構(gòu)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示,SK海力士于2013年推出了全球HBM芯片,截至2022年,該公司在全球HBM市場(chǎng)中捐贈(zèng)了50%的份額。三星電子緊隨其后,占40 %,其次是美光科技公司,占10%。

 

AI驅(qū)動(dòng)的HBM芯片需求增長(zhǎng)為高附加值、定制DRAM芯片創(chuàng)造了新的內(nèi)存市場(chǎng),包括內(nèi)存處理(PIM)、計(jì)算快速隊(duì)列(CXL)和根據(jù)行業(yè)專(zhuān)家的說(shuō)法,雙倍數(shù)據(jù)速率 5 (DDR5)。

“我們提前大約兩到三年開(kāi)始討論(芯片開(kāi)發(fā))路線圖,”Park說(shuō)。“這增加了鎖定效應(yīng)。”為了在新市場(chǎng)保持對(duì)手領(lǐng)先,SK海力士和三星電子將全力開(kāi)發(fā)下一代存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品。

SK 海力士周一公布了計(jì)劃于 2026 年推出第六代 HBM HBM4。目前該公司正在向美國(guó) GPU 廠商 Nvidia 公司供應(yīng) HBM3 芯片,上個(gè)月向美國(guó)無(wú)晶圓廠公司提供了 HBM3E 的樣品,即 HBM3的擴(kuò)展版本。

 

它還計(jì)劃與制造公司合作生產(chǎn)HBM4。

其更大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子也將重點(diǎn)開(kāi)發(fā)性能主內(nèi)存DDR5和超大容量?jī)?nèi)存CXL,以及近內(nèi)存HBM。“加速器PIM與CXL接口的集成將進(jìn)一步擴(kuò)大DRAM的使用,”Hwang說(shuō)。

 “我們的客戶需要高性能 DRAM,而不是預(yù)算 DRAM,”他說(shuō)。 

 

CXL DRAM是下一代接口,可以提高內(nèi)存資源的有效分配,并且可以起到外部硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的作用。PIM是一種輔助CPU數(shù)據(jù)處理的DRAM。韓國(guó)董事總經(jīng)理Na Seung -joo 預(yù)測(cè),明年下半年英特爾下一代高性能 CPU(稱(chēng)為 Granite Rapids)的發(fā)布將刺激 CXL DRAM 要求。

 

雖然下一代內(nèi)存產(chǎn)品預(yù)計(jì)將打開(kāi)一個(gè)新的 DRAM 市場(chǎng),但內(nèi)存廣泛市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在今年晚些時(shí)候進(jìn)入升級(jí)周期,部分原因是市場(chǎng)今年年初提出的晶圓裁剪工作。

Hwang表示,“內(nèi)存芯片市場(chǎng)本應(yīng)在2021年進(jìn)入下行周期,但供應(yīng)鏈導(dǎo)致我們的客戶囤積崩潰庫(kù)存”,這導(dǎo)致去年內(nèi)存行業(yè)的庫(kù)存積壓導(dǎo)致內(nèi)存行業(yè)但延遲嚴(yán)重的現(xiàn)象   。供應(yīng)預(yù)計(jì)將在今年第三季度達(dá)到平衡,部分原因是產(chǎn)量減少,其需求預(yù)計(jì)第四季度開(kāi)始增加。”英特爾韓國(guó)公司 Na 表示,英特爾第四代 CPU(稱(chēng)為 SapphireRapids)針對(duì)整個(gè) DRAM 的推出業(yè)界稱(chēng)也是好兆頭。

 

他還補(bǔ)充說(shuō),英特爾在8月中旬出貨了100萬(wàn)顆Sapphire Rapids,這對(duì)DDR5需求來(lái)說(shuō)是一個(gè)福音。 

 

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