英特爾將投資超200億美元在美建設(shè)兩家芯片工廠

英特爾9月30日表示，其計劃在美國俄亥俄州建設(shè)兩家新的尖端芯片工廠，投資額超200億美元（約合人民幣1460億元）。部分業(yè)界人士表示，英特爾此次巨額投資或是希望獲得美國半導(dǎo)體補(bǔ)貼資金。

英特爾此前表示，其目標(biāo)是在2030年前成為世界第二大晶圓代工廠。近幾年，其展開了瘋狂的擴(kuò)產(chǎn)研發(fā)路線，如“四年實現(xiàn)五個先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)追逐”，又或是在2030年實現(xiàn)在單個封裝中集成一萬億個晶體管，以及開展全球代工服務(wù)業(yè)務(wù)等。

公開消息顯示，英特爾目前在全球有10個制造廠，在現(xiàn)有的基地中，包括五個晶圓廠和四個裝配和測試設(shè)施。過去幾年，英特爾不斷在這些基地的基礎(chǔ)上進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)建廠。

今年，英特爾動態(tài)頻頻。9月29日，英特爾表示，其位于愛爾蘭價值185億美元的工廠已開始使用極紫外(EUV)光刻機(jī)進(jìn)行大批量生產(chǎn)，并稱這是其尋求重新奪回競爭對手地位的“里程碑”時刻。9月20日，英特爾舉辦“ON技術(shù)創(chuàng)新峰會”，定位為AI PC的酷睿Ultra處理器、AI計算芯片Gaudi2和Gaudi3、第五代至強(qiáng)處理器、先進(jìn)制程工藝以及先進(jìn)封裝技術(shù)進(jìn)展逐一公開亮相。8月28日，英特爾表示，將于明年推出的一款新數(shù)據(jù)中心芯片，每瓦特電能可處理的計算工作量將增加一倍以上，這是整個行業(yè)降低電力消耗努力的一部分。

格芯計劃投資80億美元，將德國德累斯頓芯片廠產(chǎn)能翻番

9月28日，格芯CEO Thomas Caulfield表示，格芯計劃投資80億美元，到本十年末將其位于德國德累斯頓的芯片制造廠的產(chǎn)能提高一倍。

Thomas Caulfield表示，正在尋求與其競爭對手臺積電同等水平的政府支持。

臺積電今年夏天批準(zhǔn)了一個價值100億歐元(105億美元)的工廠建設(shè)，德國政府預(yù)計將為該工廠提供高達(dá)50億歐元的補(bǔ)貼。今年8月，格芯法務(wù)長艾薩（Saam Azar）在接受采訪時曾表示，臺積電規(guī)模比格芯大10多倍，現(xiàn)在打算與格芯的3個主要客戶在旁邊生產(chǎn)芯片，直接與格芯競爭，為此獲得巨額補(bǔ)貼，“這樣公平和恰當(dāng)嗎？”其表示。

為加大全球競爭力，格芯近年也在加大擴(kuò)產(chǎn)力度。據(jù)路透社報道，9月12日，格芯宣布其在新加坡投資40億美元擴(kuò)建的制造廠正式啟用，進(jìn)一步擴(kuò)展全球產(chǎn)能。消息顯示，擴(kuò)建后的晶圓廠每年將額外生產(chǎn)45萬片300毫米晶圓，將格芯新加坡的總產(chǎn)能提高到每年約150萬片300毫米晶圓。

此前2月，格芯宣布與半導(dǎo)體封測廠商安靠（Amkor Technology）結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共建葡萄牙大型封裝項目。根據(jù)公告，格芯計劃將其德累斯頓工廠的12英寸晶圓級封裝產(chǎn)線轉(zhuǎn)移到安靠位于葡萄牙波爾圖的工廠，以建立歐洲第一個大規(guī)模的后端設(shè)施。同時，格芯將保留其在波爾圖轉(zhuǎn)讓的工具、流程和IP的所有權(quán)。雙方還計劃在葡萄牙的未來發(fā)展工作中進(jìn)行合作。

據(jù)TrendForce集邦咨詢表示，在2023年第二季度晶圓代工市場中，格芯（GlobalFoundries）以6.7%的市占率居位全球第三。從營收上看，第二季營收與第一季大致持平，環(huán)比增長僅0.2%，約18.5億美元，其中智能手機(jī)及車用領(lǐng)域等營收均有成長。

美光美國愛達(dá)荷州內(nèi)存工廠開工，其日本工廠獲得約13億美元補(bǔ)貼

10月6日，美光在美國愛達(dá)荷州的新內(nèi)存制造工廠正式開工建設(shè)。該工廠將與美光位于博伊西的研發(fā)中心位于同一地點(diǎn)。據(jù)悉，博伊西是美光公司總部、新擴(kuò)建的卓越技術(shù)創(chuàng)新中心以及北美唯一的DRAM研發(fā)制造工廠的所在地。

新晶圓廠的潔凈室空間預(yù)計將從2025年開始分階段投入使用，美光表示，DRAM產(chǎn)量將在本世紀(jì)下半葉隨著行業(yè)需求的增長而不斷增加。最終，潔凈室空間將達(dá)到600,000平方英尺，竣工后將成為美國有史以來最大的單一潔凈室。

此外，10月3日，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大臣西村康稔表示，日本將為美光科技(MU-US)廣島工廠的存儲器芯片計劃，提供高達(dá)1920億日元（約13億美元）的財政支持，作為確保半導(dǎo)體穩(wěn)定供應(yīng)行動的一部分。

“補(bǔ)貼將幫助美光安裝荷蘭公司ASML的極紫外微影(EUV)設(shè)備，來制造先進(jìn)的芯片，用于生成式人工智能(AI)、數(shù)據(jù)中心和自動駕駛上。”西村表示，日本這項支持計劃，涵蓋了美光在日本近40%的投資。

Soitec新工廠法國國內(nèi)落成，計劃年產(chǎn)50萬片SmartSiC晶圓

法國創(chuàng)新半導(dǎo)體材料領(lǐng)先企業(yè)Soitec近日發(fā)表公告，其在法國格勒諾布爾附近的伯寧舉行了新工廠落成儀式。

此前2022年3月消息，Soitec宣布在法國伯寧總部建設(shè)Bernin 4新工廠，致力于制造6英寸和8英寸的 SmartSiC晶圓。同年3月該工廠舉行了奠基儀式。

根據(jù)法國媒體的報道，該工廠投資額為3.8億歐元（約30億人民幣），其中30%由法國和歐洲援助承擔(dān)。根據(jù)公告，該工廠占地面積2500平方米，2028年全部達(dá)成后可年產(chǎn)50萬片，其中80%專用于SmartSiC晶圓，20%生產(chǎn)300mm SOI晶圓。

該公司表示，新工廠將專門生產(chǎn)電動汽車所需要的SmartSiC襯底，Soitec開發(fā)的SmartCut技術(shù)可使SiC器件電氣性能提高了15%-20%，襯底的消耗量減少了十分之一。具體而言，通過SmartSiC™技術(shù)的應(yīng)用，每個SiC襯底可以使用10次。因此，SmartSiC™使電動汽車的續(xù)航里程超過500公里，而使用硅基IGBT的汽車平均續(xù)航里程為350公里，同時與單晶SiC襯底相比，晶圓制造過程中的二氧化碳排放量減少了70%。

Soitec 首席執(zhí)行官Pierre Barnabé 表示：“我們比以往任何時候都更愿意將 SmartSiC技術(shù)建立為下一代電動汽車半導(dǎo)體材料的新標(biāo)準(zhǔn)。該工廠將使我們能夠滿足對碳化硅不斷增長的需求，并到2030年實現(xiàn)30%的市場份額，同時幫助提高電動汽車的效率和降低價格。”

現(xiàn)階段，Bernin 4新工廠主要生產(chǎn)6英寸SiC晶圓，計劃從2024年開始遷移到8英寸晶圓。新工廠的第一個測試樣品和資格認(rèn)證將在2個月內(nèi)開始發(fā)貨，計劃于2024年春末開始大批量交付。