近期，日本佳能公司宣布推出FPA-1200NZ2C納米壓印半導(dǎo)體制造設(shè)備。
佳能表示，該設(shè)備采用不同于復(fù)雜光刻技術(shù)的方案，可以制造5nm芯片。而且經(jīng)過改良，未來可用于生產(chǎn)2nm芯片。
據(jù)悉，佳能于2014年收購了MII公司，將其更名為Canon Nanotechnologies，從此正式進入納米壓印技術(shù)市場。
納米壓印技術(shù)，即Nanoimprint Lithography（NIL），是一種新型的微納加工技術(shù)，最先由華裔科學(xué)家周郁（Stephen Chou）教授于1995年首次提出納米壓印概念。直到2003年，NIL作為一項微納加工技術(shù)，被納入國際半導(dǎo)體技術(shù)藍圖（ITRS）。該技術(shù)將設(shè)計并制作在模板上的微小圖形，通過壓印等技術(shù)轉(zhuǎn)移到涂有高分子材料的硅基板上。
佳能介紹稱，傳統(tǒng)的光刻設(shè)備通過將電路圖案投射到涂有抗蝕劑的晶圓上，新產(chǎn)品則通過在晶圓上的抗蝕劑上壓印有電路圖案的掩模來實現(xiàn)這一點。由于其電路圖案轉(zhuǎn)移過程不經(jīng)過光學(xué)機構(gòu)，因此可以在晶圓上忠實地再現(xiàn)掩模上的精細電路圖案。
日媒報道，佳能目標(biāo)是借NIL設(shè)備挑戰(zhàn)荷蘭光刻機龍頭ASML，后者是全球唯一一家可以生產(chǎn)EUV光刻機的廠商。
業(yè)界人士透露，與EUV光刻機相比，NIL技術(shù)可大幅減少耗能，并降低設(shè)備成本，這是NIL的優(yōu)勢。不過，NIL目前仍需要克服一些技術(shù)瓶頸，比如在導(dǎo)入量產(chǎn)環(huán)節(jié)容易因空氣中的細微塵埃影響而行程瑕疵。
