據(jù)臺灣集邦咨詢報(bào)道，臺積電、三星、英特爾等尖端制程代工廠紛紛發(fā)布2nm及以上制程路線圖，凸顯下一代GAA技術(shù)領(lǐng)先地位的開發(fā)競爭加速。
臺積電將于2025年在寶山工廠開始量產(chǎn)2nm工藝
關(guān)于產(chǎn)業(yè)龍頭臺積電，集邦科技將于2024年第二季開始在臺灣新竹科學(xué)園區(qū)寶山地區(qū)（新竹縣寶山鄉(xiāng)）的工廠安裝量產(chǎn)2納米（N2）制程的制造設(shè)備。). 計(jì)劃于2025年第四季度開始量產(chǎn)，月產(chǎn)量約為30,000片晶圓（300mm晶圓）。此外，新指定為2nm量產(chǎn)基地的高雄工廠，將于2026年（即N2開始量產(chǎn)一年后）開始量產(chǎn)HPC用背面供電技術(shù)的“N2P”。。順便說一句，與傳統(tǒng)技術(shù)相比，背面供電技術(shù)據(jù)稱可提高速度10%至12%，邏輯密度提高10%至15%。
臺積電似乎也計(jì)劃在臺灣北部（桃園）的龍?zhí)犊茖W(xué)園區(qū)建立一座2納米及以上的尖端半導(dǎo)體工廠（也許是為了增加2納米或1.4納米的產(chǎn)量？），但這一計(jì)劃遭到了來自臺灣的反對。當(dāng)?shù)鼐用瘛？磥硎┕ひ呀?jīng)被放棄了。10月17日，臺灣多家媒體同時報(bào)道。新工廠原定建在臺灣政府科學(xué)園區(qū)管理局為科技園區(qū)第三期擴(kuò)建而征用的土地上，但許多當(dāng)?shù)鼐用癖灰箅x開，以便為工廠擴(kuò)建讓路。由于遭到公眾強(qiáng)烈反對，這個想法不得不被放棄。細(xì)節(jié)尚未透露，但暫時計(jì)劃在兩家工廠量產(chǎn)2nm產(chǎn)品，放棄本次拿地不會影響公司2nm工藝產(chǎn)品的生產(chǎn)。
英特爾計(jì)劃在四年內(nèi)實(shí)現(xiàn)五個技術(shù)節(jié)點(diǎn)
另一方面，英特爾正在從 FinFET 快速發(fā)展到基于環(huán)柵 (GAA) FET 的 MBCFET 和 BSPDN（背面供電網(wǎng)絡(luò)）技術(shù)。該公司制定了“四年內(nèi)實(shí)現(xiàn)五個技術(shù)節(jié)點(diǎn)”的快速小型化目標(biāo)，并計(jì)劃在2024年趕上并超越其他公司（見圖2）。英特爾計(jì)劃于2024年上半年開始生產(chǎn)采用基于GAA技術(shù)的RibbonFET晶體管架構(gòu)的英特爾20A工藝，并宣布計(jì)劃將生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到其衍生的英特爾18A工藝。
該公司目前正在其愛爾蘭工廠量產(chǎn)Intel 4工藝，但尚不清楚該公司是否擁有足夠的EUV曝光設(shè)備，該公司是否能夠按計(jì)劃維持其路線圖還有待觀察。此外，該公司計(jì)劃領(lǐng)先于其他公司推出針對2納米左右制程的高NA（NA=0.55）的EUV曝光設(shè)備，但高NA EUV曝光設(shè)備也已如期推出，目前尚不清楚。它將投入實(shí)際使用。
三星從3nm開始采用GAA將是未來的試金石
三星的代工業(yè)務(wù)先于其他公司采用了 3nm 工藝的 GAA 架構(gòu)，但似乎正面臨良率低等問題。該公司計(jì)劃于2025年開始采用2nm工藝量產(chǎn)，并計(jì)劃于2027年開始采用1.4nm工藝量產(chǎn)。臺積電和英特爾計(jì)劃從2nm工藝開始采用GAA架構(gòu)，但較早引入GAA的三星如果能利用其在2nm的經(jīng)驗(yàn)，將獲得先發(fā)優(yōu)勢，提供比其他公司更高的良率并贏得市場。.還有可能提高你的地位。
此外，主要受到美國對中國半導(dǎo)體法規(guī)影響的中芯國際已暫停其小型化計(jì)劃。這是因?yàn)?/font>ASML的EUV光刻設(shè)備尚未可用，但他們似乎已經(jīng)利用現(xiàn)有的ArF浸沒式光刻設(shè)備實(shí)現(xiàn)了使用多重圖案化的7nm工藝，并且也有傳言要達(dá)到5nm工藝。此外，日本Rapidus計(jì)劃在合作伙伴IBM和imec的合作下，于2027年底在日本開始量產(chǎn)2nm工藝，但未來的路線圖仍在進(jìn)行中，直到2nm工藝推出為止。可見，因?yàn)樗豢梢�。此外，臺積電和三星還制定了2027年將1.4納米作為尖端工藝應(yīng)用于量產(chǎn)的路線圖。
