近期，三星電子旗下晶圓代工事業(yè)Samsung Foundry 透露，已開始跟大型芯片客戶接洽，準(zhǔn)備提供1.4nm及2nm制程的服務(wù)。

據(jù)朝鮮日?qǐng)?bào)報(bào)道，對(duì)于三星率先量產(chǎn)3nm（環(huán)繞式閘極，gate-all-around，GAA）制程、大客戶方面卻不如臺(tái)積電的言論，Samsung Foundry科技長(zhǎng)Jeong Ki-tae近日在韓國(guó)國(guó)際會(huì)議暨展示中心（COEX）舉行的2023年半導(dǎo)體博覽會(huì)（Semiconductor Expo 2023）表示，晶圓代工客戶大約需要3年才能做出最終購買決定。三星正在跟大客戶接洽，可能在未來幾年展現(xiàn)成果。

Jeong表示，GAA制程是一種可以延續(xù)到未來的技術(shù)，鰭式場(chǎng)效電晶體（FinFET）制程則無法更加精進(jìn)，公司已在跟大客戶討論2nm、1.4nm等未來制程。

晶圓代工先進(jìn)制程進(jìn)展如何？
 

相較于成熟制程，先進(jìn)制程更適用于追求高性能、低功耗的領(lǐng)域。隨著AI、高性能計(jì)算等新興技術(shù)的驅(qū)動(dòng)下，先進(jìn)制程需求持續(xù)增長(zhǎng)，半導(dǎo)體巨頭們執(zhí)迷追求新技術(shù)研發(fā)，芯片先進(jìn)制程已從5nm、4nm、發(fā)展至3nm，未來還有可能到達(dá)2nm、1.4nm。

從當(dāng)前大廠研發(fā)進(jìn)度看，三星已量產(chǎn)第二代3nm芯片，并計(jì)劃2025年底前推出2nm制程、2027年底前推出1.4nm制程；

臺(tái)積電預(yù)計(jì)N3P將于2024年下半年投產(chǎn)，N3X、2nm工藝計(jì)劃2025年進(jìn)入量產(chǎn)階段。臺(tái)積電介紹，公司將在2nm制程節(jié)點(diǎn)首度使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管，相較于N3E ，該工藝在相同功耗下，速度最快將可增加至15% ；在相同速度下，功耗最多可降低30% ，同時(shí)芯片密度增加大于15% 。

英特爾正努力推進(jìn)“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃，目前其Intel 7和Intel 4已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)；Intel 3制程預(yù)計(jì)在今年下半年可進(jìn)入準(zhǔn)備量產(chǎn)階段，后續(xù)Intel 20A與18A制程則分別計(jì)劃于2024年上、下半年也進(jìn)入準(zhǔn)備量產(chǎn)階段。

此外，業(yè)界認(rèn)為，可能在接下來的短期內(nèi)，英特爾在先進(jìn)制程晶圓代工領(lǐng)域會(huì)以Intel 3制程為主打，以應(yīng)對(duì)臺(tái)積電、三星等業(yè)者的競(jìng)爭(zhēng)。