近日，山東煙臺開發(fā)區(qū)經(jīng)發(fā)科創(chuàng)局發(fā)布《黃渤海新區(qū)關(guān)于加快特色半導體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干措施》（征求意見稿）（以下簡稱“《征求意見稿》”），擬促進該區(qū)特色半導體產(chǎn)業(yè)重點突破和整體提升，培育完善的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，增強產(chǎn)業(yè)核心競爭力，打造中國北方最具競爭力的特色半導體產(chǎn)業(yè)新高地。
根據(jù)《征求意見稿》，山東煙臺黃渤海新區(qū)將聚焦光電、功率、高端通用芯片三個主攻方向，重點支持自主研發(fā)的CPU、GPU等高端通用芯片和人工智能等專用芯片設(shè)計環(huán)節(jié)，以IGBT器件、高端MEMS、半導體傳感器等為代表的制造、封測環(huán)節(jié)以及半導體關(guān)鍵設(shè)備、先進材料全產(chǎn)業(yè)鏈條要素生產(chǎn)領(lǐng)域。
《征求意見稿》明確指出了七大項扶持舉措，具體包括支持產(chǎn)品研發(fā)流片、支持購買EDA軟件和IP、支持降低運營成本、支持規(guī)�；l(fā)展、支持企業(yè)做優(yōu)做強、支持企業(yè)開拓市場、支持人才引進和培養(yǎng)。
支持產(chǎn)品研發(fā)流片：對擁有自主知識產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品開展多項目晶圓（MPW）流片的，按照不超過其MPW流片直接費用的70%補助，單個企業(yè)年度補助總額最高300萬元。對擁有自主知識產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品開展首輪全掩膜工程流片的，按照不超過其首輪流片費用的50%補助，單個企業(yè)年度補助總額最高500萬元。補貼年限自首次享受起連續(xù)計算，總年限不超過3年。
支持購買EDA軟件和IP：半導體設(shè)計企業(yè)購買電子設(shè)計自動化（EDA）工具軟件的，按照不超過實際發(fā)生費用的30%補助，每家企業(yè)年度補貼總額最高300萬元。對企業(yè)購買非關(guān)聯(lián)企業(yè)知識產(chǎn)權(quán)（IP）開展高端芯片或特色工藝芯片研發(fā)的，按照不超過直接費用的50%補助，每家企業(yè)年度補貼總額最高300萬元。補貼年限自首次享受起連續(xù)計算，總年限不超過3年。
支持降低運營成本：對入駐煙臺光電傳感產(chǎn)業(yè)園、創(chuàng)新苗圃等雙創(chuàng)載體、特色園區(qū)的給予辦公用房不超過500平方米、生產(chǎn)用房不超過1500平方米的5年房租補貼，每戶企業(yè)最高補貼200萬元。其中：辦公用房300平方米以內(nèi)，前3年補貼全額房租，后2年補貼50%；超過300平方米部分，前3年補貼房租的50%，后2年收取全價房租。生產(chǎn)用房前2年全額補貼，超出部分收取全價房租。企業(yè)（項目）建設(shè)萬級以上潔凈車間等研發(fā)生產(chǎn)用房的，按照不超過固定資產(chǎn)實際投資額（不含土地購買和廠房建設(shè)費用）30%給予補貼，每個企業(yè)補助總額不超過800萬元。
支持規(guī)�；l(fā)展：年度營業(yè)收入首次突破5000萬元、1億元、3億元、5億元、10億元的集成電路設(shè)計企業(yè)，分別給予不超過50萬元、100萬元、200萬元、300萬元、500萬元一次性獎勵。年度營業(yè)收入首次突破5億元、10億元、20億元的集成電路制造、封測等企業(yè)，分別給予不超過100萬元、300萬元、500萬元的一次性獎勵。對年度營業(yè)收入首次突破1億元、5億元、10億元的集成電路裝備、材料等企業(yè)，分別給予不超過100萬元、300萬元、500萬元的一次性獎勵。同一企業(yè)若滿足多項條件，按照“就高不重復、晉級補差”原則給予獎勵。
支持企業(yè)做優(yōu)做強：首次認定的省級、市級瞪羚企業(yè)，分別給予一次性獎勵50萬元、10萬元。首次認定的國家級專精特新“小巨人”企業(yè)，給予一次性獎勵200萬元。首次認定的省級、市級專精特新企業(yè)分別給予20萬元、5萬元獎勵。首次認定的省級獨角獸企業(yè)，按其上一年度區(qū)級地方經(jīng)濟貢獻的30%給予一次性獎勵，最高600萬元。
支持企業(yè)開拓市場：在半導體芯片、器件、模組等新產(chǎn)品在信創(chuàng)、國防軍工產(chǎn)業(yè)等高新技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)首次單筆訂單金額達到1000萬元以上的，經(jīng)審核認定后按照不超過訂單實際發(fā)生金額的10%給予支持，最高不超過500萬元。鼓勵企業(yè)應(yīng)用場景首試首用，對新開發(fā)的試制品和首次投向市場的新產(chǎn)品，財政性投資項目采購人依法采用單一來源采購方式開展采購活動。
支持人才引進和培養(yǎng)：鼓勵半導體企業(yè)招引產(chǎn)業(yè)相關(guān)專業(yè)畢業(yè)生來區(qū)就業(yè)，給予企業(yè)獎補，單個企業(yè)年度補貼總額最高20萬元。補貼年限自首次享受起連續(xù)計算，總年限不超過3年。鼓勵有條件的區(qū)內(nèi)半導體企業(yè)與高校合作共建高端人才和技能型人才培養(yǎng)基地，經(jīng)認定符合條件的培養(yǎng)基地項目，給予最高不超過200萬元一次性補助。
