在《自然電子》雜志上發(fā)表的一篇論文中，洛桑聯(lián)邦理工學院納米電子與結構實驗室 (LANES) 工程學院的研究人員提出了一種新處理器，通過將數(shù)據(jù)處理和存儲集成到單個設備上來解決這種低效率問題，即所謂的“處理器”。內(nèi)存處理器。

他們開辟了新天地，創(chuàng)造了第一個基于二維半導體材料的內(nèi)存處理器，包含 1,000 多個晶體管，這是工業(yè)生產(chǎn)道路上的一個重要里程碑。

該研究的領導者 Andras Kis 表示，當今 CPU 效率低下的罪魁禍首是普遍采用的馮·諾依曼架構。具體來說，用于執(zhí)行計算和存儲數(shù)據(jù)的組件的物理分離。由于這種分離，處理器需要從內(nèi)存中檢索數(shù)據(jù)來執(zhí)行計算，這涉及移動電荷、對電容器充電和放電以及沿線路傳輸電流，所有這些都會消耗能量。

直到大約 20 年前，這種架構才有意義，因為數(shù)據(jù)存儲和處理需要不同類型的設備。但馮諾依曼架構越來越受到更高效替代方案的挑戰(zhàn)。

“如今，人們正在不斷努力將存儲和處理合并到更通用的內(nèi)存處理器中，其中包含既可以用作內(nèi)存也可以用作晶體管的元件，”Kis 解釋道。他的實驗室一直在探索使用半導體材料二硫化鉬 (MoS2) 來實現(xiàn)這一目標的方法。

LANES 博士助理 Guilherme Migliato Marega 及其合著者在《自然電子》論文中提出了一種基于 MoS2的內(nèi)存處理器，專用于數(shù)據(jù)處理中的基本運算之一：向量矩陣乘法。這種操作在數(shù)字信號處理和人工智能模型的實現(xiàn)中無處不在。其效率的提高可以為整個 ICT 行業(yè)帶來大量的能源節(jié)約。

他們的處理器將 1,024 個元件組合到一個一厘米的芯片上。每個元件都包含一個 2D MoS 2晶體管以及一個浮動柵極，用于在其存儲器中存儲電荷，以控制每個晶體管的導電性。以這種方式耦合處理和內(nèi)存從根本上改變了處理器執(zhí)行計算的方式。

“通過設置每個晶體管的電導率，我們可以通過向處理器施加電壓并測量輸出來一步執(zhí)行模擬矢量矩陣乘法，”Kis 解釋道。

材料 MoS 2的選擇在內(nèi)存處理器的開發(fā)中發(fā)揮了至關重要的作用。首先，MoS 2是一種半導體——這是晶體管發(fā)展的要求。與當今計算機處理器中使用最廣泛的半導體硅不同，MoS 2形成穩(wěn)定的單層，只有三個原子厚，僅與周圍環(huán)境發(fā)生微弱的相互作用。

它的薄度提供了生產(chǎn)極其緊湊的設備的潛力。最后，這是基斯實驗室熟悉的材料。2010 年，他們使用透明膠帶從晶體上剝離的單層材料 創(chuàng)建了第一個單 MoS2晶體管。

在過去13年中，他們的流程已顯著成熟，其中 Migliato Marega 的貢獻發(fā)揮了關鍵作用。“從單個晶體管發(fā)展到超過 1,000 個晶體管的關鍵進步在于我們可以沉積的材料的質量。經(jīng)過大量工藝優(yōu)化，我們現(xiàn)在可以生產(chǎn)覆蓋有均勻 MoS 2 均質層的整個晶圓。這讓我們能夠采用行業(yè)標準工具在計算機上設計集成電路，并將這些設計轉化為物理電路，為大規(guī)模生產(chǎn)打開了大門。”Kis 說道。

除了純粹的科學價值外，基斯還認為這一結果證明了瑞士和歐盟之間密切科學合作的重要性，特別是在《歐洲芯片法案》的背景下，該法案旨在增強歐洲在半導體技術和芯片領域的競爭力和彈性。應用程序。

“與此同時，它表明在瑞士開展的工作如何能夠使歐盟受益，因為歐盟尋求重振電子制造。例如，歐盟可以專注于開發(fā)非馮·諾依曼技術，而不是與其他國家進行同樣的競賽。”他總結道。