全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，第四季Mobile DRAM合約價(jià)季漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13~18%，NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價(jià)漲幅約10~15%。展望2024年第一季，預(yù)估整體存儲(chǔ)器的漲勢將延續(xù)，其中Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）合約價(jià)仍會(huì)續(xù)漲，漲幅則視后續(xù)原廠是否維持保守的投產(chǎn)策略，以及終端是否有實(shí)質(zhì)買氣支撐而定。

經(jīng)歷過“寒冬”的存儲(chǔ)器市場正在逐漸釋放暖意，除了漲價(jià)之外，業(yè)界預(yù)估以下因素也將持續(xù)推動(dòng)存儲(chǔ)器市場轉(zhuǎn)好。

AI推動(dòng)手機(jī)內(nèi)存容量提升

據(jù)外媒 Wccftech 報(bào)道，2024 年流行趨勢之一是終端 AI，現(xiàn)內(nèi)建于多款芯片組，如 Snapdragon 8 Gen 3、天璣 9300 和 Exynos 2400。有AI功能的智能手機(jī)需要更多內(nèi)存，內(nèi)建AI功能的Android手機(jī)內(nèi)存容量至少將達(dá)到20GB RAM。

8GB RAM 雖仍是 Android 智能手機(jī)標(biāo)準(zhǔn)，但市場上已經(jīng)出現(xiàn)比多數(shù)筆電或 PC更高內(nèi)存的手機(jī)，雖還沒成為標(biāo)配。業(yè)界指出，為了讓將來設(shè)備 AI 影像功能順利執(zhí)行，Android 手機(jī)需要至少 12GB RAM，加上 AI 應(yīng)用及其他功能，手機(jī)需要超過20GB RAM才能流暢運(yùn)作。

考慮到多家 Android 手機(jī)商正持續(xù)投資 AI，2024 年AI將成為設(shè)備重點(diǎn)。因此，業(yè)界認(rèn)為RAM 要求更高后，硬件規(guī)格對(duì)現(xiàn)代AI設(shè)備來說比以往都更重要。
 

DDR5市場需求將明顯成長

業(yè)界認(rèn)為，隨著DDR5價(jià)格向下，原廠良率不斷提升，未來DDR5市場需求將明顯成長。

DDR5作為高附加值DRAM芯片，正持續(xù)受到大廠青睞。今年10月美光科技宣布推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存，速率高達(dá) 7200 MT/s，現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及 PC 市場的所有客戶出貨。近期，美光又帶來了采用32Gb芯片的128GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存，該系列內(nèi)存具有高達(dá) 8000 MT/s 的速度，適用于服務(wù)器和工作站平臺(tái)。該款芯片同樣采用美光的1β 技術(shù)，能源效率提高達(dá)24%，延遲降低高達(dá)16%。此外，美光計(jì)劃2024年開始推出速度為4800 MT/s、5600 MT/s 和 6400 MT/s 型號(hào)，未來將推出 8000 MT/s 的型號(hào)。

三星方面，據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星內(nèi)部正在考慮擴(kuò)大DDR5生產(chǎn)線。鑒于DDR5的高價(jià)值及其在PC和服務(wù)器市場的采用，今年基本上被視為“DDR5的大規(guī)模采用年”。
 

HBM供給情況將大幅改善

與DDR5一樣，HBM作為高附加值DRAM芯片，今年也受到市場極大關(guān)注。AI大勢之下，HBM市場需求高漲，而原廠產(chǎn)能供不應(yīng)求，HBM擴(kuò)產(chǎn)潮開啟。

展望2024年，基于各原廠積極擴(kuò)產(chǎn)的策略，HBM供需比（Sufficiency Ratio）有望獲改善，預(yù)估將從2023年的-2.4%，轉(zhuǎn)為0.6%。

隨著AI熱潮帶動(dòng)AI芯片需求，對(duì)HBM需求量在2023年與2024年也隨之提升，促使原廠也紛紛加大HBM產(chǎn)能，展望2024年，HBM供給情況可望大幅改善。而以規(guī)格而言，伴隨AI芯片需要更高的效能，HBM主流也將在2024年移轉(zhuǎn)至HBM3與HBM3e。整體而言，在需求位元提高以及HBM3與HBM3e平均銷售價(jià)格高于前代產(chǎn)品的情形下，2024年HBM營收可望有顯著的成長。