2022年SiC功率半導(dǎo)體主要廠商的市場份額占比TOP5分別是意法半導(dǎo)體（36.5%）、英飛凌（17.9%）、Wolfspeed（16.3%）、安森美（11.6%）、羅姆（8.1%），其他廠商僅占9.6%。
據(jù)UsineNouvelle報道，意法半導(dǎo)體繼與美商格羅方德在法國東南部Crolles的75億歐元（約588億人民幣）晶圓廠計(jì)劃后，為平衡集團(tuán)在意法兩國布署，將于意大利西西里島Catane投資50億歐元（約392億人民幣），新建一座碳化硅（SiC）超級半導(dǎo)體晶圓廠。該晶圓廠將專門生產(chǎn)SiC芯片，為電動車關(guān)鍵技術(shù)并具強(qiáng)大成長潛力。
近年來，8英寸碳化硅量產(chǎn)成為一個熱點(diǎn)話題，因?yàn)橐r底尺寸越大，單位襯底可制造的芯片數(shù)量越多，單位芯片成本就越低。相比6英寸襯底，同等條件下從8英寸襯底切出的合格芯片數(shù)會增加近90%。相比6英寸襯底，8英寸單片襯底制備的器件成本降低30%左右。為此，世界各地的芯片制造商都高度關(guān)注碳化硅襯底尺寸的轉(zhuǎn)變。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場的不斷擴(kuò)大，8英寸碳化硅的應(yīng)用需求越來越廣。
報道稱，意法半導(dǎo)體為維持其競爭力，擬自2024年起轉(zhuǎn)型升級至8英寸晶圓，并結(jié)合Soitec的SmartSiC技術(shù)，以提高效能，同時減少碳排放。同時，該公司積極提升產(chǎn)能、掌握內(nèi)部制造并與中國廠商三安光電合作，以期將SiC芯片相關(guān)營收由今年預(yù)期的12億美元（約85億人民幣）在2030年前提升至50億美元（約356億人民幣）。
今年6月，意法半導(dǎo)體和三安光電共同宣布，雙方已簽署協(xié)議，將在重慶建立一個新的8英寸SiC器件合資制造廠，投資總額預(yù)計(jì)達(dá)32億美元（約228億人民幣）。三安光電表示將利用自研SiC襯底工藝，單獨(dú)建造和運(yùn)營一個新的8英寸SiC襯底制造廠，以滿足上述合資廠的襯底需求，這有助于合作方意法半導(dǎo)體加速向8英寸進(jìn)軍。
8英寸碳化硅量產(chǎn)對功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有重要意義。首先，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大，半導(dǎo)體芯片對于高性能、高效率和低成本的需求越來越高；其次，隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變和新能源汽車的快速發(fā)展，對于高效能、高可靠性、低成本的功率半導(dǎo)體器件的需求也越來越大。8英寸碳化硅作為一種優(yōu)異的功率半導(dǎo)體材料，可以更好地滿足這些需求。
事實(shí)上，國際半導(dǎo)體巨頭英飛凌、安森美等也都在積極搶食市場大蛋糕。其中，英飛凌已經(jīng)在工廠制備了第一批8英寸晶圓工程樣品，很快將它們轉(zhuǎn)化為電子樣品，并計(jì)劃在2030年之前大規(guī)模量產(chǎn)應(yīng)用，安森美、羅姆等國際器件大廠都制定了8英寸SiC晶圓的發(fā)展規(guī)劃。
意法半導(dǎo)體此次在意大利投資建廠，不僅能夠平衡集團(tuán)在意法兩國布署，也有助于穩(wěn)固自身在SiC功率器件領(lǐng)域的優(yōu)勢。
