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兩大存儲原廠提高明年設(shè)備支出與產(chǎn)能?

已有2945次閱讀2023-12-21標簽:

 一石擊水,總會激起千層浪。近期,存儲芯片市場再次蕩起漣漪,除了芯片價格上漲、部分產(chǎn)品缺貨外,兩大存儲原廠三星和SK海力士分別針對未來的市場狀況進一步增加設(shè)備資支出與產(chǎn)能。業(yè)界認為,這兩家公司針對未來市場狀況做出的系列舉措,將牽動整體市場變化。

 

兩大原廠擬提高明年設(shè)備支出與產(chǎn)能

 

據(jù)韓國媒體《ETNews》18日報道,兩大存儲原廠三星和SK海力士正在計劃增加明年半導(dǎo)體設(shè)備投資,其中三星電子計劃投資約27萬億韓元,SK海力士計劃投資約5.3萬億韓元;與今年相比,投資額分別增長25%和100%。

 

同時,除了提高設(shè)備投資資本外,兩家公司還調(diào)高了明年的出貨量,三星計劃將DRAM和NAND產(chǎn)量分別擴大約24%,SK海力士則計劃擴大生產(chǎn),重點關(guān)注HBM等尖端DRAM,將DRAM產(chǎn)量提高到2022年底前的水平。

 

TrendForce集邦咨詢12月調(diào)查顯示,DRAM領(lǐng)域第四季三星減產(chǎn)幅度會擴大至30%,總投片量下滑,三星認為2024下半年旺季需求將有所回溫,故投片將于明年第二季開始提升。SK海力士受惠于HBM及DDR5出貨增長,產(chǎn)能小幅回升,投片量至今年底會小幅上升,搭配明年DDR5于終端滲透提升,預(yù)期總投片量將逐季上升。

 

SK海力士近日在IEDM 2023全球半導(dǎo)體大會上透露,其用于HBM制造的混合鍵合工藝已獲得可靠性認證。SK海力士第三代HBM(HBM2E)將DRAM堆疊成8層,在使用混合鍵合工藝制造后,通過了所有方面的可靠性測試。

 

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,在2023年第三季度NAND Flash市場中,三星以31.4%的市占率占據(jù)全球第一,其次是SK集團(SK海力士+Solidigm),市占率為20.2%;在DRAM市場中,三星(38.9%)仍是第一,SK集團(34.3%)位居第二。

 

業(yè)界認為,兩家公司增加設(shè)備投資和產(chǎn)量的原因是為改善行業(yè)狀況做好準備。因為盡管全球經(jīng)濟的不確定性依然存在,但有多種解讀認為今年存儲產(chǎn)業(yè)已經(jīng)觸底,回暖在即。

 

此外,摩根士丹利表示,設(shè)備上的 AI(人工智能)將創(chuàng)造新的需求。AI需要大容量存儲器,這也具有擴大高價值存儲器市場需求的作用。

 

存儲芯片漲勢持續(xù)

 

對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)影響巨大的存儲芯片市場,自第四季度開始上漲以來,該產(chǎn)業(yè)未來的走勢成為業(yè)界十分關(guān)注的問題。隨著今年原廠減產(chǎn)策略實施,加上AI和高性能計算對市場需求的提升,存儲器市場開始走向上行階段。另從上述原廠加大投資和產(chǎn)能來看,業(yè)界對存儲芯片復(fù)蘇還是比較樂觀的。

 

從市場價格上看,TrendForce集邦咨詢指出,供給方面,原廠漲價態(tài)度明確,預(yù)估第四季DRAM合約價上漲約13~18%;需求方面的回溫程度則不如過往旺季。

 

此外,TrendForce集邦咨詢表示,整體而言,買方雖有備貨需求,但以目前來說,服務(wù)器領(lǐng)域因庫存水位仍高,拉貨態(tài)度仍顯得被動,第四季DRAM產(chǎn)業(yè)的出貨成長幅度有限。

NAND Flash產(chǎn)品將量價齊漲,TrendForce集邦咨詢預(yù)估全產(chǎn)品平均銷售單價漲幅將來到13%,整體NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比增長幅度預(yù)估將逾兩成。

展望未來,TrendForce集邦咨詢預(yù)估明年第一季在手機品牌持續(xù)備料的帶動下,Mobile DRAM、eMMC/UFS均價漲幅將擴大至18~23%。

 

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