據(jù)介紹，中國電科（山西）SiC材料產(chǎn)業(yè)基地二期項(xiàng)目于2023年9月份開始建設(shè)，10月份進(jìn)入主體鋼結(jié)構(gòu)施工，11月主體完成封頂，現(xiàn)在已具備設(shè)備進(jìn)廠條件，預(yù)計(jì)將在今年1月底前開始設(shè)備進(jìn)場，3 月可投入試生產(chǎn)，預(yù)計(jì)2025年投產(chǎn)，投產(chǎn)后年產(chǎn)能可達(dá)30萬片SiC襯底。

據(jù)悉，中國電科（山西）SiC材料產(chǎn)業(yè)基地二期項(xiàng)目投資5億元，主要建設(shè)包括單晶生產(chǎn)車間、動(dòng)力配套等在內(nèi)的總面積1.6萬平方米的綜合性廠房。此前，中國電科（山西）SiC材料產(chǎn)業(yè)基地一期項(xiàng)目于2019年4月開工建設(shè)，9月主體封頂，12月設(shè)備開始搬入，2020年2月實(shí)現(xiàn)項(xiàng)目投產(chǎn)。一期項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，將形成年產(chǎn)18萬片N型SiC單晶襯底、5萬片高純半絕緣型SiC單晶襯底的產(chǎn)能。

source:爍科晶體

資料顯示，爍科晶體成立于2018年，從事第三代半導(dǎo)體材料SiC生產(chǎn)和研發(fā)。公司通過自主創(chuàng)新和自主研發(fā)掌握了SiC生長裝備制造、高純SiC粉料制備工藝，N型SiC單晶襯底和高純半絕緣SiC單晶襯底的制備工藝，形成了SiC粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產(chǎn)線，并在國內(nèi)率先完成4、6、8英寸高純半絕緣SiC單晶襯底技術(shù)攻關(guān)。

2021年8月，爍科晶體成功研制出8英寸SiC晶體。2022年1月，爍科晶體實(shí)現(xiàn)8英寸N型SiC襯底小批量生產(chǎn)，向8英寸國產(chǎn)N型SiC襯底的批量化生產(chǎn)邁出了關(guān)鍵一步。成立至今，爍科晶體共完成兩輪融資，分別是2019年12月的A輪和2023年1月的B輪，投資方分別為中國電科和電科投資。近年來，中電科在SiC領(lǐng)域動(dòng)作頻頻。

例如：2023年11月，中電科半導(dǎo)體材料有限公司南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地宣布正式投產(chǎn)運(yùn)行。

據(jù)悉，中電科半導(dǎo)體材料有限公司南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目于2021年9月27日簽約落戶南京江寧開發(fā)區(qū)綜合保稅區(qū)，占地面積約10萬平方米。2022年11月，中電科南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地實(shí)現(xiàn)了首片硅外延和SiC外延下線，標(biāo)志著該產(chǎn)業(yè)基地進(jìn)入試生產(chǎn)和驗(yàn)證階段。該項(xiàng)目分兩期實(shí)施，其中一期投資19.3億元，將建設(shè)成立第三代化合物外延材料產(chǎn)業(yè)基地等，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，將形成6-8英寸化合物外延片12.6萬片/年的產(chǎn)能。

此外，據(jù)中國電科2023年7月消息，隨著中國新能源汽車生產(chǎn)量突破2000萬輛大關(guān)，中國電科國基南方、55所研制的新能源汽車用650V-1200V SiC MOSFET出貨量突破1200萬只，實(shí)現(xiàn)大批量穩(wěn)定供貨。