ST還與三安合資建設碳化硅器件工廠，并由三安配套供應碳化硅襯底。另一方面產(chǎn)能擴張速度也較快，今年以來國內(nèi)碳化硅襯底產(chǎn)能逐步落地，多家廠商的擴產(chǎn)項目都在2023年實現(xiàn)量產(chǎn)或是在產(chǎn)能爬坡過程中。與之相匹配的是，不少碳化硅功率器件初創(chuàng)企業(yè)也在這一年里從fabless轉(zhuǎn)型為IDM，也有一些IDM初創(chuàng)公司建成了自己的碳化硅晶圓廠，加上碳化硅晶圓代工的產(chǎn)能提升，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)上下游的產(chǎn)能在過去一年里提升明顯。

當然在SiC功率器件方面，國產(chǎn)廠商在2023年也迎來了車規(guī)產(chǎn)品大爆發(fā)，眾多廠商宣布入局或是推出車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品，尋求打進汽車供應鏈。確實去年來看，SiC在新能源汽車領(lǐng)域上大放異彩，800V車型開始下沉到20萬元市場，SiC模塊的滲透率迎來大幅增長。

這也使得市場上對車規(guī)SiC MOSFET需求量高速膨脹，同時以往海外巨頭壟斷的車規(guī)SiC MOSFET市場，也開始有越來越多的Tier 1和整車廠接受國產(chǎn)車規(guī)SiC MOSFET產(chǎn)品，給國產(chǎn)SiC器件廠商帶來了新的機遇。

2023年國產(chǎn)廠商推出的車規(guī)SiC MOSFET產(chǎn)品

去年國內(nèi)廠商有從模擬芯片入局到SiC功率器件領(lǐng)域，有初創(chuàng)公司推出首款車規(guī)SiC MOSFET產(chǎn)品，也有一些廠商的SiC MOSFET產(chǎn)品成功導入到主驅(qū)逆變器應用并量產(chǎn)。下面就來盤點一下2023年國內(nèi)廠商推出的車規(guī)SiC MOSFET產(chǎn)品（排名不分先后）。

飛锃半導體

飛锃半導體在11月就展出了車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品，其中包括1200V 35/70/160mΩ和650V 30/45/60mΩ規(guī)格，除了已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)之外，所有車規(guī)級產(chǎn)品還通過了第三方車規(guī)AEC-Q101可靠性驗證，并且通過了960V高壓H3TRB加嚴測試。

據(jù)稱目前飛锃半導體的車規(guī)級SiC MOSFET是第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，通過工藝優(yōu)化，降低了單位晶圓面積內(nèi)的導通電阻，開關(guān)性能也進一步得到了優(yōu)化。另外，還采用了開爾文Source封裝，避免了驅(qū)動回路和功率回路共用源極線路，器件的開關(guān)速度、抗干擾能力均得到了明顯提升，為提高開關(guān)頻率、提升系統(tǒng)效率功率密度提供了更多的可能性。

飛锃半導體成立于2018年，是國內(nèi)首家在硅晶圓代工廠成功生產(chǎn)6英寸碳化硅器件的功率器件廠商，目前公司主要產(chǎn)品線包括碳化硅二極管和碳化硅MOSFET，已批量供應給光伏行業(yè)、車載電源等頭部企業(yè)。除此之外，全碳化硅半橋模塊產(chǎn)品也在研發(fā)中。

芯塔電子

12月芯塔電子宣布自主研發(fā)的1200V/80mΩTO-263-7封裝 SiC MOSFET器件成功獲得第三方權(quán)威檢測機構(gòu)（廣電計量）全套AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。目前，芯塔電子1200V/80mΩ SiC MOSFET在頭部OBC企業(yè)通過測試，已進入批量導入階段。

據(jù)了解，芯塔電子SiC MOSFET器件近期已導入多家充電樁、光伏儲能等領(lǐng)域客戶，并實現(xiàn)批量出貨。已經(jīng)批量生產(chǎn)的芯塔電子第二代SiC MOSFET在器件優(yōu)值因子和柵極抗串擾性能業(yè)界領(lǐng)先，而即將發(fā)布的第三代SiC MOSFET會在元胞層面實現(xiàn)重大技術(shù)創(chuàng)新及整體性能提升。

芯塔電子成立于2018年，創(chuàng)始人倪煒江博士曾領(lǐng)導建設了國內(nèi)首條4英寸和6英寸的碳化硅器件產(chǎn)線，在碳化硅功率器件領(lǐng)域有豐富經(jīng)驗。目前公司主要產(chǎn)品線包括SiC SBD、SiC MOSFET，以及全SiC/混合SiC功率模塊等，同時還可以提供SiC SBD裸芯片，包括4/6英寸的裸晶圓產(chǎn)品。

另外芯塔電子還有功率模塊封裝產(chǎn)線的布局。去年6月，倪煒江表示芯塔電子車規(guī)級碳化硅模塊產(chǎn)業(yè)已經(jīng)在浙江湖州完成落地，新建的模塊封裝線將緊密結(jié)合新能源汽車對新型SiC MOSFET模塊的需求，已與戰(zhàn)略合作的整車廠以及T1廠商達成了產(chǎn)品合作的意向，產(chǎn)品量產(chǎn)后立刻進行完整的上車測試與整車驗證。

納芯微

7月，納芯微官宣了SiC MOSFET產(chǎn)品，全系1200V耐壓，包括Rdson（Vgs=18V）14/22/40/60mΩ四種規(guī)格，將經(jīng)過全面的車規(guī)級認證，以確保完全符合汽車級應用的需求。納芯微在投資者關(guān)系活動記錄表中表示，公司布局功率器件是希望圍繞著目標市場和應用，補全在客戶端的產(chǎn)品布局，為客戶提供完整的芯片級解決方案，其中SiC MOSFET產(chǎn)品正在逐步進行客戶送樣和驗證工作。

納芯微早期產(chǎn)品以信號感知芯片為主，后來逐步形成信號感知、隔離與接口、驅(qū)動與采樣三大產(chǎn)品線，其中隔離芯片發(fā)展迅速，目前已經(jīng)成為國內(nèi)隔離芯片龍頭。納芯微2022年開始布局SiC器件，包括SiC 二極管以及SiC MOSFET等產(chǎn)品，其中SiC MOSFET聚焦OBC應用，同時也在開發(fā)適用于主驅(qū)逆變器的產(chǎn)品。

澎芯半導體

5月，澎芯半導體官網(wǎng)發(fā)布了1200V車規(guī)級平臺SiC MOSFET新品，規(guī)格為1200V 40mΩ，公司表示該產(chǎn)品經(jīng)過6個月全面的設計開發(fā)和可靠性考核，封裝形式包括TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL。而此前澎芯半導體在該1200V 車規(guī)級平臺上已經(jīng)量產(chǎn)了80mΩ、60mΩ、32mΩ的SiC MOSFET產(chǎn)品。12月，澎芯半導體再次在1200V 車規(guī)級平臺上推出1200V/15mΩ的SiC MOSFET新品。

據(jù)稱，該產(chǎn)品由澎芯半導體聯(lián)手國內(nèi)標桿SiC晶圓廠制造完成，產(chǎn)品各項參數(shù)性能指標表現(xiàn)非常優(yōu)異，試產(chǎn)良率達到75%。同時已聯(lián)合模塊客戶（模塊封裝廠）和終端使用客戶共同定義開發(fā)出1200V/150A和1200V/400A的模塊產(chǎn)品，后續(xù)可提供晶圓和客制化模塊兩大類產(chǎn)品。

澎芯半導體有限公司成立于2020年，公司專注于SiC功率半導體器件的開發(fā)、銷售和技術(shù)服務，已與國內(nèi)外多家專業(yè)從事SiC功率器件產(chǎn)業(yè)鏈上下游業(yè)務的企業(yè)完成深度合作，并且建立了行業(yè)領(lǐng)先的SiC器件仿真設計、性能參數(shù)測試、可靠性測試和晶圓測試分析平臺。

中科漢韻

9月，中科漢韻宣布車規(guī)級SiC MOSFET晶圓成功實現(xiàn)交付，該產(chǎn)品包括1200V/17mΩ、750V/13mΩ兩種型號產(chǎn)品，并且將應用于電動汽車主驅(qū)系統(tǒng)中。據(jù)稱，經(jīng)過了工程批工藝開發(fā)、工藝平臺逐步穩(wěn)定、小批量交付客戶、器件參數(shù)穩(wěn)定以及客戶模塊參數(shù)驗證和模塊產(chǎn)品可靠性驗證等一系列的驗證后，中科漢韻于今年開始批量交付車規(guī)級SiC MOSFET晶圓產(chǎn)品，良率達到70%以上。

中科漢韻成立于2019年，由中國科學院微電子研究所和徐州中科芯韻半導體產(chǎn)業(yè)投資基金共同投資，致力成為提供全面的車規(guī)級碳化硅芯片與功率器件組合產(chǎn)品的IDM廠商。

瀾芯半導體

11月，瀾芯半導體發(fā)布了業(yè)界最低導通電阻的SiC MOSFET單管產(chǎn)品，規(guī)格為1200V/6mΩ，采用瀾芯半導體最新的第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺，TO247-PLUS封裝，可以廣泛應用于光伏，儲能，高壓充電，以及單管集成主驅(qū)逆變器等領(lǐng)域。早前在8月，瀾芯半導體表示其首款SiC MOSFET產(chǎn)品1200V 80mΩ SiC MOSFET成功通過了1000小時175℃ 100%Vds HTRB和1000小時175℃ HTGB可靠性考核。
 

據(jù)稱瀾芯SiC MOSFET產(chǎn)品全部采用車規(guī)級產(chǎn)品設計，該測試是參考車規(guī)AEC-Q101的可靠性考核條件進行考核，參考依據(jù)為AEC-Q101-Rev-E-B1-2021/AEC-Q101-Rev-E-B2-2021。上海瀾芯半導體有限公司成立于2022年6月，是一家功率芯片設計公司，具體產(chǎn)品包括碳化硅功率器件，硅基IGBT，MOSFET相關(guān)的單管和功率模塊產(chǎn)品，研發(fā)團隊具備豐富的功率芯片開發(fā)經(jīng)驗和深厚的車規(guī)級功率半導體行業(yè)背景。

昕感科技

5月，昕感科技自主研發(fā)的1200V/80mΩ SiC MOSFET器件通過國內(nèi)第三方可靠性認證，成功獲得全套AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證�；�于昕感科技車��(guī)級工藝平臺，12月公司再面向新能源領(lǐng)域推出一款1200V/7mΩ規(guī)格的SiC MOSFET產(chǎn)品，該產(chǎn)品采用先進結(jié)構(gòu)和制造工藝，兼容18V柵壓驅(qū)動，采用TO-247-4L Plus封裝，同時也可封裝進定制化功率模塊，以支持在汽車主驅(qū)等新能源領(lǐng)域中的廣泛應用。昕感科技成立于2022年，聚焦于第三代半導體碳化硅功率器件和模塊設計開發(fā)和制造，總部位于北京，并分別在無錫和深圳設有器件生產(chǎn)線和研發(fā)中心。公司創(chuàng)始人有新能源汽車產(chǎn)業(yè)成功創(chuàng)業(yè)經(jīng)驗，前期創(chuàng)業(yè)公司是30余家主流車企一級供應商。

瞻芯電子

8月，瞻芯電子宣布依托自建的SiC晶圓產(chǎn)線，開發(fā)了第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，其中IV2Q12040T4Z (1200V 40mΩ SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證證書，而且通過了新能源行業(yè)頭部企業(yè)的導入測試，正式開啟量產(chǎn)交付。據(jù)了解，瞻芯電子第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET，但進一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設計，使器件比導通電阻降低約25%，并顯著降低開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率。

同時，第二代SiC MOSFET產(chǎn)品依然保持高可靠性與強魯棒性，在AEC-Q101車規(guī)可靠性認證、短路測試、浪涌測試等評估中表現(xiàn)優(yōu)良。在10月，瞻芯電子還通過了第三方認證機構(gòu)TUV的嚴格評審，正式獲得IATF16949汽車質(zhì)量管理體系認證。11月，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω，主要用于各類輔助電源，在新能源汽車、光儲充等領(lǐng)域有廣泛需要，現(xiàn)已通過多家知名客戶評估測試，逐步批量交付應用。

瞻芯電子成立于2017年，致力于開發(fā)碳化硅功率器件、驅(qū)動和控制芯片、碳化硅功率模塊產(chǎn)品，并圍繞碳化硅應用，為客戶提供一站式解決方案。據(jù)稱，瞻芯電子是中國第一家自主開發(fā)并掌握6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺的公司，其車規(guī)級SiC晶圓廠在2022年9月完成首批晶圓流片，成功打通6英寸SiC MOSFET工藝平臺。

國星光電

10月，國星光電開發(fā)的1200V/80mΩ SiC MOSFET成功獲得了AEC-Q101車規(guī)級認證并通過高壓960V H3TRB （HV-H3TRB）可靠性考核，使公司成為國內(nèi)少數(shù)SiC功率分立器件產(chǎn)品通過雙重考核的廠商之一。據(jù)介紹，該車規(guī)器件采用了自主研發(fā)的國星NSiC-KS封裝技術(shù)，因避免了驅(qū)動回路和功率回路共用源極線路，實現(xiàn)了這兩個回路的解耦，器件的開關(guān)損耗、開通損耗均明顯降低，開關(guān)頻率更快，寄生電感與誤開啟風險更低。

國星光電成立于1969年，專業(yè)從事研發(fā)、生產(chǎn)、銷售LED及LED應用產(chǎn)品，是國內(nèi)第一家以LED為主業(yè)首發(fā)上市的企業(yè)，也是最早生產(chǎn)LED的企業(yè)之一，是國內(nèi)LED封裝龍頭。公司第三代半導體項目組成立于2019年，致力于高可靠性功率器件的封裝設計與生產(chǎn)制造，產(chǎn)品系列覆蓋碳化硅分立器件（SBD、MOS）、碳化硅功率模塊、氮化鎵分立器件等。

南瑞半導體

12月，南瑞半導體宣布其自主研發(fā)的1200V/40mΩ SiC MOSFET器件（NCM40S12T4K2）順利通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。該器件采用低比導微元胞芯片結(jié)構(gòu)設計技術(shù)：比導通電阻Ron,sp低至3.1mΩ·cm2，良率90%，達到國際一流水平。

在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET，但進一步優(yōu)化了工藝，使器件比導通電阻降低約25%，并顯著降低開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率。可耐受工作結(jié)溫高達175℃，在對比同類產(chǎn)品測試中，其比導通電阻較低，開關(guān)損耗更小，開關(guān)速度較高，寄生電容較低。

南瑞半導體是國電南瑞與國家電網(wǎng)有限公司下屬科研單位全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司在2019年共同投資設立的功率半導體企業(yè)，目前公司產(chǎn)品主要面向大功率應用，IGBT/FRD產(chǎn)品電壓等級涵蓋650V-6500V及SiC MOSFET產(chǎn)品電壓等級涵蓋1200V-3300V，產(chǎn)品已廣泛應用于高壓柔性輸電、電能質(zhì)量治理、特種電源、工業(yè)傳動、風力發(fā)電、光伏發(fā)電、新型儲能、制氫電源、充電設施和新能源汽車等領(lǐng)域。

國聯(lián)萬眾半導體

12月，中瓷電子在投資者互動平臺表示，公司子公司國聯(lián)萬眾半導體電驅(qū)用1200V SiC MOSFET芯片已研發(fā)成功交客戶上車驗證中，并有小批量銷售。據(jù)介紹，國聯(lián)萬眾現(xiàn)有的SiC功率模塊包括650V、1200V和1700V等系列產(chǎn)品，未來擬攻關(guān)高壓SiC功率模塊領(lǐng)域。目前，國聯(lián)萬眾車規(guī)級SiC MOSFET模塊已向國內(nèi)一線車企穩(wěn)定供貨數(shù)百萬只。與此同時，國聯(lián)萬眾OBC用SiC MOSFET芯片月產(chǎn)能已達5kk只以上，能夠保障車企需求。此前公司還透露，其主驅(qū)用大功率MOSFET產(chǎn)品主要面向比亞迪，其他客戶也在密接接觸、合作協(xié)商、送樣驗證等階段中。

國聯(lián)萬眾半導體成立于2015年3月，是由中國電子科技集團公司第十三研究所控股（中瓷電子實控人），中國電子科技集團公司、北京市投資公司、順義區(qū)投資公司、骨干團隊合伙制平臺等股東參股的混合所有制企業(yè)。

公司主營業(yè)務為第三代半導體器件，涵蓋設計、封裝、模塊、檢測、應用等產(chǎn)品，包括GaN射頻功放、SiC功率器件等。

中汽創(chuàng)智

11月，中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)的1200V 20mΩ SiC MOSFET在積塔工廠正式下線。本款芯片采用平面柵型結(jié)構(gòu)，具有獨立自主的知識產(chǎn)權(quán)、自主設計的新型終端結(jié)構(gòu)具有更高的工藝可靠性，在同等耐壓水平下，體積更小，可應用于新能源汽車主驅(qū)逆變器等車載電源系統(tǒng)。公司表示，未來將推出自研1200V 40mΩ及80mΩ SiC MOSFET等產(chǎn)品。

中汽創(chuàng)智是由中國一汽、東風公司、兵器裝備集團、長安汽車及南京江寧經(jīng)開科技共同出資設立。圍繞“車端+云端+通信端”生態(tài)體系，實現(xiàn)新能源智能網(wǎng)聯(lián)汽車產(chǎn)業(yè)的智能底盤、新能動力、智能網(wǎng)聯(lián)技術(shù)突破，開創(chuàng)央企發(fā)展新模式。

中汽創(chuàng)智通過以SiC模塊為切入點，快速形成SiC功率模塊封裝、測試能力和基于SiC技術(shù)的車載集成電源系統(tǒng)開發(fā)能力，逐步建立起從上游芯片設計、模塊封裝，到下游應用支持的“一站式” 能力。

蓉矽半導體

4月，蓉矽半導體宣布200V 12mΩ NovuSiC® MOSFET開始量產(chǎn)，首批次量產(chǎn)平均良率高達80%，滿足車規(guī)主驅(qū)芯片的高可靠性要求。成都蓉矽半導體有限公司成立于2019年，是四川省首家專注碳化硅功率器件設計與開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)，擁有臺灣漢磊科技第一優(yōu)先級產(chǎn)能保障，致力于自主開發(fā)世界一流水平的車規(guī)級碳化硅器件。

蓉矽半導體擁有高性價比“NovuSiC®”和高可靠性“DuraSiC®”產(chǎn)品系列，涵蓋碳化硅二極管EJBS™與碳化硅MOSFET；硅基FR MOS與理想硅基二極管MCR®，應用于光伏逆變器、儲能、充電樁、OBC及新能源汽車等領(lǐng)域。

杰平方半導體

7月，杰平方半導體發(fā)布了自主研發(fā)的SiC MOSFET產(chǎn)品JPM120020B，該產(chǎn)品規(guī)格為1200V/20mΩ，穩(wěn)定工作溫度達到175℃，采用先進的減薄工藝，具有優(yōu)異的低阻抗特性，減小器件能量損耗，同時具備嚴苛的可靠性認證，包括大批量的HTRB、HTGB測試和HV-H3TRB測試，可應用于光伏逆變，新能源汽車，充電樁，儲能等應用。隨后杰平方在9月宣布獲得獨立第三方檢測、檢驗和認證機構(gòu)德國萊茵TÜV集團授予的ISO 26262 功能安全管理體系A(chǔ)SIL D認證證書，為設計符合功能安全要求的車規(guī)級芯片奠定了堅實的基礎(chǔ)。

10月，杰平方宣布正式啟動其位于香港的8英寸SiC IDM晶圓廠項目，計劃投資港幣69億元，到2028年達到年產(chǎn)量24萬片。同時這也是香港歷史上第一家具規(guī)模的半導體晶圓廠。杰平方半導體成立于2019年，是一家聚焦車載芯片研發(fā)的芯片設計企業(yè)，致力于滿足中國汽車產(chǎn)業(yè)對國產(chǎn)自主車載芯片的旺盛需求，主要面向電能轉(zhuǎn)換、通信等領(lǐng)域，提供高性能碳化硅（SiC）芯片、車載以太網(wǎng)芯片等前沿產(chǎn)品。

基本半導體

4月，基本半導體位于深圳光明區(qū)的車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線項目進行了通線儀式，該產(chǎn)線主要產(chǎn)品為6英寸碳化硅MOSFET晶圓等，產(chǎn)線達產(chǎn)后每年可保障約50萬輛新能源汽車的相關(guān)芯片需求。

5月，基本半導體發(fā)布了第二代SiC MOSFET系列新品，有1200V 65mΩ/40mΩ/35mΩ/20mΩ四種比導通電阻規(guī)格，同時提供TO-247-3、TO-247-4、TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227等封裝規(guī)格。

據(jù)介紹，第二代SiC MOSFET通過綜合優(yōu)化芯片設計方案，比導通電阻降低約40%、器件Qg降低了約60%，開關(guān)損耗降低了約30%，工作結(jié)溫也達到175°C�；�本半導體成立于2016年，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導體的材料制備、芯片設計與制造、封裝測試、驅(qū)動應用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、碳化硅驅(qū)動芯片等，性能達到國際先進水平。