CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC™技術(shù)的輸出電流能力強(qiáng)，可靠性提高。
產(chǎn)品型號(hào)：
▪️ IMYH200R012M1H
▪️ IMYH200R024M1H
▪️ IMYH200R050M1H
▪️ IMYH200R075M1H
▪️ IMYH200R0100M1H
產(chǎn)品特點(diǎn)
VDSS=2000V，可用于最高母線電壓為1500VDC系統(tǒng)
開(kāi)關(guān)損耗極低
創(chuàng)新的HCC封裝
針腳間爬電距離為14毫米
5.4毫米電氣間隙
柵極閾值電壓，VGS(th)=4.5V
用于硬換流的堅(jiān)固體二極管
.XT互聯(lián)技術(shù)可實(shí)現(xiàn)同類最佳的散熱性能
高耐濕性
應(yīng)用價(jià)值
市場(chǎng)上首款分立式碳化硅MOSFET器件，阻斷電壓高達(dá)2000V
1500V的DC的變流器可以用兩電平實(shí)現(xiàn)
與1700V SiC MOSFET相比，1500 VDC系統(tǒng)具有足夠的過(guò)壓裕量
創(chuàng)新的TO-247封裝，具有高爬電距離和間隙
應(yīng)用領(lǐng)域
光伏逆變器
儲(chǔ)能系統(tǒng)
電動(dòng)汽車(chē)充電
