又有一批12個不同型號的EasyPACK™和EasyDUAL™ 1B和2B CoolSiC™ MOSFET模塊上市，他們采用CoolSiC™ MOSFET增強型1代，適用于電動汽車充電、UPS和光伏、儲能。
這些模塊采用PressFIT壓接技術(shù)并帶NTC溫度檢測，有Al2O3/AlN DCB兩種版本，型號中帶P的是預(yù)涂TIM材料。
產(chǎn)品型號：
▪️ F4-8MR12W2M1H_B70
8毫歐 H橋 AlN DCB
▪️ F4-8MR12W2M1HP_B76
8毫歐 H橋TIM
▪️ F4-11MR12W2M1H_B70
11毫歐 H橋 AlN DCB
▪️ F4-11MR12W2M1HP_B76
11毫歐 H橋 TIM
▪️ F4-33MR12W1M1H_B76
33毫歐 H橋
▪️ F4-17MR12W1M1H_B76
17毫歐 H橋
▪️ F4-17MR12W1M1HP_B76
17毫歐 H橋 TIM
▪️ F3L11MR12W2M1HP_B19
11毫歐 T-三電平 TIM
▪️ FF11MR12W2M1H_B70
11毫歐 半橋 AIN DCB
▪️ FF11MR12W2M1HP_B11
11毫歐 半橋 TIM
▪️ FS13MR12W2M1H_C55
13毫歐 三相橋 AIN DCB
▪️ FS13MR12W2M1HP_B11
13毫歐 三相橋 TIM
產(chǎn)品特點
1200V CoolSiC™ MOSFET
Easy1B，Easy2B封裝
非常低的模塊寄生電感
RBSOA反向工作安全區(qū)寬
柵極驅(qū)動電壓窗口大
PressFIT引腳
應(yīng)用價值
擴展了柵源電壓最大值：+23V到-10V
在過載條件下，Tvjop最高可達175°C
最佳的性價比，可降低系統(tǒng)成本
可工作在高開關(guān)頻率，并改善對冷卻要求
競爭優(yōu)勢
完整的半橋SiC模塊產(chǎn)品組合，包括標(biāo)準(zhǔn)Al2O3 DCB和低熱阻高性能AIN DCB
應(yīng)用領(lǐng)域
電動汽車充電
儲能系統(tǒng)
光伏
UPS
