森未科技正式發(fā)布GA系列首發(fā)產(chǎn)品：S3L225R12GA7H_C20，可用于200kW+儲(chǔ)能，產(chǎn)品外形及引腳分布如下圖所示。
外形圖
針腳分布圖
S3L225R12GA7H_C20為三電平INPC拓?fù)�，采用森�?代1200V IGBT芯片和軟恢復(fù)FRD，針對(duì)ESS雙向能量變換應(yīng)用進(jìn)行了芯片優(yōu)化。模塊采用銅基板，并聯(lián)使用可以實(shí)現(xiàn)200kW+，滿足工商業(yè)儲(chǔ)能1500VDC系統(tǒng)的功率變換。
電路拓?fù)洌?/font>INPC
一、產(chǎn)品特點(diǎn)
GA系列封裝（兼容Easy3B）
采用第7代IGBT芯片技術(shù)，并針對(duì)儲(chǔ)能應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
低開(kāi)關(guān)損耗
低寄生電感的模塊設(shè)計(jì)
帶銅基板，增加輸出能力
二、應(yīng)用領(lǐng)域
儲(chǔ)能系統(tǒng)
光伏系統(tǒng)
UPS等其他三電平應(yīng)用
三、仿真對(duì)比
1、仿真條件：額定 Vdc=1500Vdc，Po=200kW, Vo=690Vac， Io=168Arms，PF=1，F(xiàn)sw=16kHz, SVPWM，Th=90℃。
S3L225R12GA7H總損耗為619.54*2*3(W)，效率為98.14%；國(guó)際競(jìng)品***225（_B11）總損耗為636.58*2*3(W)，效率為98.09% 。
2、仿真條件：額定 Vdc=1500Vdc，Po=200kW, Vo=690Vac， Io=168Arms，PF=-1，F(xiàn)sw=16kHz, SVPWM，Th=90℃。
S3L225R12GA7H總損耗為570.58*2*3(W)，效率為98.28%；國(guó)際競(jìng)品***225（_B11）總損耗為583.8*2*3(W)，效率為98.25%。
S3L225R12GA7H_C20整體損耗優(yōu)于進(jìn)口品牌，并增加了銅基板，輸出能力和長(zhǎng)期可靠性進(jìn)一步得到提升。
