據(jù)鎵仁半導體介紹，公司聯(lián)合浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院、硅及先進半導體材料全國重點實驗室，采用自主開創(chuàng)的鑄造法，成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導電型氧化鎵單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。
與傳統(tǒng)的碳化硅半導體材料相比，第四代半導體材料氧化鎵的耐壓更高，成本更低，節(jié)能效率也更高。憑借優(yōu)異的性能和低成本制造等特點，氧化鎵主要用于制備功率器件、射頻器件及探測器件，被廣泛應用于軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車、光伏發(fā)電、5G移動通信、國防軍工等領域。
為推動氧化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展，科技部高新司早在2017年便將其列入重點研發(fā)計劃。此外，安徽、北京等省市也將氧化鎵列為了重點研發(fā)對象。
據(jù)北京青年報報道，按照市場分析，2025年將迎來氧化鎵市場爆發(fā)階段，市場總值約280億元。
在氧化鎵產(chǎn)業(yè)爆發(fā)期即將到來之際，各大廠商也在加速搶占市場。北京銘鎵半導體有限公司董事長近日介紹，近年來，氧化鎵訂單呈指數(shù)型增長，今年開年企業(yè)收到大量訂單，預計將突破千萬。
中國科學院院士郝躍認為，在未來的10年左右，氧化鎵器件有可能成為有競爭力的電力電子器件，會直接與碳化硅器件競爭。此外，業(yè)內(nèi)亦普遍認為，未來，氧化鎵有望替代碳化硅和氮化鎵成為新一代半導體材料的代表。
