股價(jià)暴跌、市場(chǎng)被蠶食、投資者施壓，

SiC老大Wolfspeed的無(wú)奈

手握全球六成SiC襯底材料供應(yīng)，是第一家大型的8英寸SiC晶圓廠，也是唯一一家純粹的垂直一體化SiC公司，在新能源汽車對(duì) SiC 材料需求旺盛的情況下，Wolfspeed 本應(yīng)是一家光芒萬(wàn)丈的公司。然而，Wolfspeed 的股價(jià)卻從 2021 年 11 月的峰值 139 美元暴跌至 2024 年 5 月的 25 美元，跌幅高達(dá) 82%，股價(jià)與市場(chǎng)地位嚴(yán)重不符。

過(guò)去5年WolfSpeed的股價(jià)走勢(shì)一覽

作為SiC襯底的先驅(qū)和市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者，Wolfspeed近年來(lái)經(jīng)歷了頻繁瘦身、業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型，成為一家專注于SiC的廠商。但是業(yè)績(jī)似乎有點(diǎn)不溫不火。

自2017年到現(xiàn)在，Wolfspeed的營(yíng)收都沒(méi)有超過(guò)10億美元。2024財(cái)年前三季度的合并收入分別為1.97億美元、2.08億美元、2.01億美元，結(jié)合第四季度的財(cái)報(bào)預(yù)測(cè)，大約2024年收入為8億美元。2023財(cái)年，Wolfspeed公司的收入為近五年來(lái)最高，達(dá)到9.219億美元。

然而，Wolfspeed正在實(shí)施一項(xiàng)總投資達(dá)65 億美元的產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。這種豪賭的策略也導(dǎo)致了財(cái)報(bào)中的明顯虧損。2023財(cái)年，根據(jù)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則（GAAP）計(jì)算，Wolfspeed的凈虧損達(dá)到了3.299億美元。2024財(cái)年，按照通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則計(jì)算，Wolfspeed持續(xù)經(jīng)營(yíng)部門的凈虧損目標(biāo)為1.66億美元至1.89億美元。因此，Wolfspeed目前尚未實(shí)現(xiàn)盈利。

通過(guò)美國(guó)莫霍克谷工廠的建設(shè)，Wolfspeed在從6英寸晶圓向8英寸晶圓過(guò)渡方面具有先發(fā)優(yōu)勢(shì)。莫霍克谷工廠已經(jīng)開(kāi)始貢獻(xiàn)收入，2024財(cái)年的前三季度分別貢獻(xiàn)了400萬(wàn)美元、1200萬(wàn)美元、約2,800萬(wàn)美元的收入，較上一季度增長(zhǎng)超過(guò)兩倍多。

從Wolfspeed霍克谷8英寸工廠的利用率來(lái)看，并不是很高，4月份的時(shí)候剛剛達(dá)到16%的利用率，該公司預(yù)計(jì)到2024年6月將實(shí)現(xiàn)20%的利用率。這說(shuō)明一大部分產(chǎn)能處于閑置狀態(tài)，因此Wolfspeed的毛利率很低，2024財(cái)年前三季度大約都在15% 左右。晶圓廠本身就具有巨大的折舊成本，按照這個(gè)利用率的情況來(lái)看，這將導(dǎo)致單位生產(chǎn)的晶圓成本增加，資金回報(bào)率也會(huì)低。

前景廣闊的SiC市場(chǎng)，瑞薩和英飛凌與WolfSpeed的長(zhǎng)約、不斷創(chuàng)紀(jì)錄的功率器件設(shè)計(jì)營(yíng)收記錄（2024財(cái)年前三季度WolfSpeed這部分的營(yíng)收分別是22億美元、21億美元、28億美元）、利用率不斷增高的霍克谷工廠，并沒(méi)有得到投資者的買賬。

巨額資本支出和緩慢的投資回報(bào)，投資者有點(diǎn)坐不住了。Wolfspeed的一個(gè)大股東Jana Partners甚至給Wolfspeed董事會(huì)發(fā)信要其考慮出售的方案來(lái)改善股東的價(jià)值回報(bào)。并且，Jana還呼吁董事會(huì)為 Wolfspeed 位于莫霍克谷和錫勒城的兩家芯片制造工廠制定并執(zhí)行指標(biāo)和關(guān)鍵里程碑，并為未來(lái)支出確定“明確的融資路徑”，包括CHIPS法案資金。對(duì)此，Wolfspeed董事會(huì)表示將仔細(xì)審查JANA的信件。

盡管Wolfspeed正在推動(dòng)8英寸晶圓產(chǎn)能的增長(zhǎng)，但6英寸SiC晶圓相對(duì)于市場(chǎng)其他產(chǎn)品而言正變得更具成本競(jìng)爭(zhēng)力。“SiC 制造很復(fù)雜，過(guò)渡到 8 英寸也很困難。即使主要SiC器件制造商轉(zhuǎn)向8英寸，我們也不認(rèn)為8英寸會(huì)成為未來(lái)五年的主要平臺(tái)。”Yole Group 半導(dǎo)體基板和材料高級(jí)技術(shù)和市場(chǎng)分析師Poshun Chiu表示。

因此，該WolfSpeed的份額被進(jìn)入該市場(chǎng)的中國(guó)企業(yè)搶走，經(jīng)過(guò)幾年的快速發(fā)展，中國(guó)企業(yè)正在迅速搶占6英寸SiC市場(chǎng)。

據(jù)日本權(quán)威行業(yè)調(diào)研機(jī)構(gòu)富士經(jīng)濟(jì)發(fā)布的《2024版下一代功率器件&相關(guān)市場(chǎng)現(xiàn)狀及未來(lái)展望》報(bào)告，2023年全球?qū)щ娦吞蓟�硅襯底材料市場(chǎng)占有率前三的公司有1家來(lái)自中國(guó)，天岳先進(jìn)（SICC）超過(guò)千年老二高意(Coherent)躍居全球第二，僅次于Wolfspeed。

2023年度天岳先進(jìn)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入12.51億元，較2022年增長(zhǎng)199.90%。公司的2023年年度報(bào)告中指出，全球前十大功率半導(dǎo)體企業(yè)超過(guò) 50%已成為其客戶，包括拿下了英飛凌、博世等國(guó)際知名客戶。天岳先進(jìn)主要向英飛凌提供 6 英寸導(dǎo)電型襯底和晶棒，占英飛凌需求的兩位數(shù)水平。

綜上，可以看出，Wolfspeed面臨多方面的挑戰(zhàn)，包括來(lái)自股東的壓力、中國(guó)企業(yè)的激烈競(jìng)爭(zhēng)，以及8英寸晶圓產(chǎn)能利用率低和毛利率低的問(wèn)題。未來(lái)，Wolfspeed可能需要加快8英寸晶圓產(chǎn)能的提升速度，以提高利用率，并降低生產(chǎn)成本，從而提高毛利率。同時(shí)，公司需要加強(qiáng)研發(fā)創(chuàng)新，推出更具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品，并積極拓展市場(chǎng)，擴(kuò)大客戶群。

安森美躍居SiC供應(yīng)商第二

SiC市場(chǎng)目前正處于穩(wěn)步增長(zhǎng)階段，廠商之間競(jìng)爭(zhēng)異常激烈。此前據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，2022年SiC功率半導(dǎo)體前五名廠商分別為意法半導(dǎo)體（36.5%）、英飛凌（17.9%）、Wolfspeed（16.3%）、安森美（11.6%）和ROHM（8.1%），其余為企業(yè)占比僅為9.6%。

而2023年，這一市場(chǎng)營(yíng)收排名情況發(fā)生了很大的變化。根據(jù)各家SiC功率半導(dǎo)體公布的公開(kāi)數(shù)據(jù)測(cè)算，2023年，安森美將躍居SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)收第二名。

2023年，意法半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品營(yíng)收達(dá)到11.4億美元，比2022年同比增長(zhǎng)60%。安森美碳化硅業(yè)務(wù)2023年的收入達(dá)到8億美元，同比增長(zhǎng)四倍，預(yù)計(jì)市場(chǎng)份額為25%。英飛凌2023財(cái)年SiC業(yè)務(wù)營(yíng)收5億歐元（約5.4億美元），同比增長(zhǎng)超10%。

盡管安森美在功率 SiC器件市場(chǎng)上的布局相對(duì)較晚，但是安森美在SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)上仍確立了強(qiáng)大的地位。在其首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury的帶領(lǐng)下，安森美無(wú)疑采用了積極而敏捷的戰(zhàn)略。通過(guò)在2021年收購(gòu)美國(guó)GT Advanced Technologies，安森美獲得了自己的內(nèi)部晶圓供應(yīng)。這幾年來(lái)，安森美不斷擴(kuò)張產(chǎn)能，安森美將其年收入的約 10% 至 15% 用于產(chǎn)能擴(kuò)張。到 2026 年，該公司的目標(biāo)是希望產(chǎn)能增加五倍（相比2022年）。2023年安森美實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的汽車收入，并與現(xiàn)代（韓國(guó)）、Zeekr（中國(guó)）以及德國(guó)大眾和寶馬等整車廠建立了合作伙伴關(guān)系。

未來(lái)SiC的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)仍然愈發(fā)激烈。各家SiC廠商也有著很明確的目標(biāo)，意法半導(dǎo)體到2025年實(shí)現(xiàn)SiC營(yíng)收20億美元，2030年?duì)I收達(dá)50億美元。羅姆在今年調(diào)低了碳化硅的營(yíng)收預(yù)期目標(biāo)，最新的目標(biāo)是，預(yù)計(jì)到2025年SiC收入達(dá)到1100億日元（~7億美元），2027年達(dá)到2200億日元（~14億美元）。英飛凌預(yù)計(jì)2025 年SiC 收入將達(dá)10 億美元，市占率目標(biāo)達(dá)30%。

GaN產(chǎn)業(yè)并購(gòu)浪潮來(lái)襲，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇

隨著GaN（氮化鎵）材料在射頻、電力電子等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，GaN產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)出快速發(fā)展態(tài)勢(shì)。marketsandmarkets的報(bào)告分析，預(yù)計(jì)2023年全球GaN半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到211億美元，到2028年將達(dá)到283億美元，預(yù)測(cè)期內(nèi)復(fù)合年增長(zhǎng)率為6.1%。為了搶占市場(chǎng)份額，提升技術(shù)實(shí)力，全球各大芯片廠商紛紛加碼GaN領(lǐng)域的投資，并掀起了一股并購(gòu)狂潮。

Yole表示，雖然目前消費(fèi)行業(yè)是功率氮化鎵的最大市場(chǎng)領(lǐng)域，但汽車市場(chǎng)將會(huì)在未來(lái)幾年迎來(lái)最顯著的增長(zhǎng)。多家公司正在努力為電動(dòng)汽車（EV）提供 GaN 系統(tǒng)。Yole Group預(yù)測(cè)，到2028年，汽車GaN領(lǐng)域的價(jià)值將達(dá)到5.04億美元，復(fù)合年均增長(zhǎng)率為110%。

繼去年英飛凌收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)（GaN Systems）之后，1月11日，日本半導(dǎo)體大廠瑞薩電子發(fā)布公告稱，將以每股5.10美元的價(jià)格收購(gòu)Transphorm，總估值約為3.39億美元。這是功率氮化鎵行業(yè)一年內(nèi)發(fā)生的第二起重大收購(gòu)案。該交易預(yù)計(jì)將于2024年下半年完成，具體取決于Transphorm股東的批準(zhǔn)、所需的監(jiān)管許可以及其他慣例成交條件的滿足。

瑞薩收購(gòu)Transphorm就是為了開(kāi)發(fā)增強(qiáng)型電動(dòng)汽車電源解決方案。GaN Systems在汽車領(lǐng)域也有很大優(yōu)勢(shì)，這也是英飛凌在2023年收購(gòu)該公司的主要原因。因此，在汽車行業(yè)高利潤(rùn)的推動(dòng)下，預(yù)計(jì)在快速發(fā)展的功率GaN生態(tài)系統(tǒng)中將出現(xiàn)更多并購(gòu)。

從技術(shù)路徑上來(lái)看，垂直GaN，也就是GaN-On-GaN，是GaN市場(chǎng)中的一個(gè)高地。據(jù)悉。垂直GaN的性能和成本水平是碳化硅 (SiC) 的10倍，有望取代SiC，成為新興的高壓功率開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體材料的選擇。然而垂直GaN企業(yè)活的卻并沒(méi)有那么光彩。

2024年1月4日，位于美國(guó)紐約州德威特的NexGen Power Systems，在2023年圣誕節(jié)前夕倒閉，而其旗下總投資超過(guò)1億美元的晶圓廠也已關(guān)閉。NexGen主要研發(fā)垂直GaN (GaN-on-GaN)半導(dǎo)體技術(shù)，還是CHIPS法案旨在幫助的公司。NexGen剛開(kāi)始交付用于高功率應(yīng)用的全球首批700V和1200V垂直GaN器件的工程樣品，其關(guān)閉是如此突然。

3月13日，又一家美國(guó)垂直GaN器件廠商Odyssey在官網(wǎng)宣布，他們已與客戶簽署最終協(xié)議，將以952萬(wàn)美元（約合人民幣0.67億）現(xiàn)金，將其大部分資產(chǎn)出售給一家大型半導(dǎo)體公司，當(dāng)時(shí)買家信息處于保密狀態(tài)。Odyssey是一家總部位于美國(guó)紐約州的垂直GaN器件企業(yè)，運(yùn)營(yíng)著一座占地 10,000 平方英尺的半導(dǎo)體晶圓制造工廠，還可以提供代工服務(wù)。

5月7日，隨著Power Integrations宣布，他們收購(gòu)了氮化鎵企業(yè)Odyssey Semiconductor 的資產(chǎn)。這筆交易也浮出了水面，該交易預(yù)計(jì)將于 2024 年 7 月完成，之后 Odyssey 的所有主要員工預(yù)計(jì)將加入 Power Integrations。根據(jù)《2023氮化鎵產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書(shū)》，PI公司是全球營(yíng)收排名第二的氮化鎵企業(yè)。

3月1日，總部位于新加坡的射頻GaN芯片供應(yīng)商Gallium Semiconductor也釋放出了倒閉的信號(hào)，并解雇所有員工。Gallium Semiconductor是一家為蜂窩通信領(lǐng)域射頻、微波及相關(guān)應(yīng)用提供高性能GaN基射頻半導(dǎo)體的全球供應(yīng)商。關(guān)閉的緣由是因?yàn)槠湮ㄒ煌顿Y者兼母公司GaasLabs LLC的創(chuàng)始人約翰·奧坎波 (John Ocampo) 于 2023 年11月去世，GaasLabs 選擇不再繼續(xù)提供財(cái)務(wù)支持，導(dǎo)致該公司關(guān)閉。

好在，后來(lái)射頻芯片廠商Guerrilla RF將Gallium Semiconductor收入麾下。Guerrilla RF成立于2013年，總部位于北卡羅來(lái)納州格林斯伯勒，開(kāi)發(fā)和制造高性能單片微波集成電路（MMIC）。4月29日，Guerrilla RF公司宣布，已完成對(duì)Gallium Semiconductor整個(gè)GaN功率放大器和前端模塊產(chǎn)品組合的收購(gòu)。自2024年4月26日起，GUER收購(gòu)了所有已發(fā)布的組件以及Gallium Semiconductor正在開(kāi)發(fā)的新核心。此外，所有相關(guān)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）也已作為此次組合收購(gòu)的一部分轉(zhuǎn)讓給GUER。

GUER的首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人Ryan Pratt評(píng)論道：“隨著公司不斷發(fā)展為RFIC和MMIC供應(yīng)商，將GaN技術(shù)整合到我們不斷擴(kuò)展的產(chǎn)品組合中是至關(guān)重要的。GaN代表了我們?yōu)槟繕?biāo)市場(chǎng)提供完整信號(hào)鏈的關(guān)鍵進(jìn)步。”通過(guò)整合這些資產(chǎn)，公司計(jì)劃大力推動(dòng)新一代GaN器件的開(kāi)發(fā)和商業(yè)化，這些器件主要面向無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施、軍事和衛(wèi)星通信應(yīng)用。

GaN行業(yè)掀起的并購(gòu)狂潮反映了市場(chǎng)對(duì)該技術(shù)的高度認(rèn)可，這些并購(gòu)案例表明，GaN產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進(jìn)入了強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合、優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的新階段。通過(guò)并購(gòu)，芯片廠商可以快速獲取對(duì)方在技術(shù)、人才、市場(chǎng)等方面的優(yōu)勢(shì)，從而提升自身的競(jìng)爭(zhēng)力。

我國(guó)第三代半導(dǎo)體滲透率超過(guò)12%，進(jìn)入高速增長(zhǎng)階段

據(jù)CASA Research統(tǒng)計(jì)，2023年國(guó)內(nèi)SiC、GaN功率電子市場(chǎng)規(guī)模約為153.2億元，比去年增長(zhǎng)了45%。“2023年我國(guó)SiC、GaN功率器件整體滲透率超過(guò)12%，開(kāi)始進(jìn)入高速增長(zhǎng)階段。”第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書(shū)長(zhǎng)高偉近日在泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室活動(dòng)上分享到。

如果從產(chǎn)值上來(lái)看，2023年，國(guó)內(nèi)SiC與GaN功率電子總產(chǎn)值達(dá)364.8億元，比2022年的222億元同比增長(zhǎng)63.7%。其中，襯底產(chǎn)值約為60.5億元，外延產(chǎn)值約為26.7億元，器件及模組產(chǎn)值約為55.5億元，裝置產(chǎn)值約為222億元。隨著市場(chǎng)的高速增長(zhǎng)，前幾年部署的產(chǎn)能開(kāi)始逐步釋放，襯底的增速最快，超過(guò)163.7%，外延增速為96.9%，器件及模組增速為63.9%。

然而，總體來(lái)看，我國(guó)的SiC產(chǎn)能供給仍顯不足。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的調(diào)研指出，2023年，國(guó)內(nèi)SiC襯底產(chǎn)能約為120萬(wàn)片，實(shí)際產(chǎn)量超過(guò)75萬(wàn)片（折6英寸，全球占比40%）；外延片產(chǎn)能約115萬(wàn)片，實(shí)際產(chǎn)量約65萬(wàn)片：晶圓制造產(chǎn)能近80萬(wàn)片，產(chǎn)量超過(guò)40萬(wàn)片（折6英寸，全球占比20%）。

隨著電動(dòng)汽車、充電樁、新能源發(fā)電、儲(chǔ)能等行業(yè)發(fā)展，半導(dǎo)體器件一方面仍然會(huì)向8英寸碳化硅產(chǎn)品前進(jìn)，另一方面6英寸碳化硅產(chǎn)品仍將在很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)繼續(xù)發(fā)展。

GaN功率產(chǎn)能則保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。2023年，我國(guó)GaN外延產(chǎn)能達(dá)到66萬(wàn)片/年（折合6英寸），其中用于功率電子的外延約為38.7萬(wàn)片/年，芯片器件產(chǎn)品為34.9萬(wàn)片/年，分別較2022年增長(zhǎng)40%和38%。

從應(yīng)用市場(chǎng)結(jié)構(gòu)上來(lái)看，新能源汽車成為第三代半導(dǎo)體功率電子最大的應(yīng)用領(lǐng)域。2023年，國(guó)內(nèi)新能源汽車（包括充電基礎(chǔ)設(shè)施）用SiC、GaN器件模組市場(chǎng)約104.1億元，整體市場(chǎng)占比70.7%，而800V 高壓平臺(tái)的規(guī)模應(yīng)用，正在加速SiC功率器件上車：預(yù)計(jì)到2027年這一市場(chǎng)將達(dá)到347億元。其中，充電基礎(chǔ)設(shè)施用第三代半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)約4.2億元。

其次，國(guó)內(nèi)消費(fèi)類電源用第三代半導(dǎo)體功率電子市場(chǎng)約為17.1億元，占比11.2%，預(yù)計(jì)到2028年將達(dá)到55.5億元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率約26.5%。光伏與儲(chǔ)能用第三代半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)6.05億元。

近幾年，國(guó)內(nèi)誕生了一批優(yōu)秀的SiC企業(yè)。在上游的襯底領(lǐng)域，代表性的有有天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、瀚天天成、三安光電。這些廠商在6英寸襯底方面已經(jīng)具備量產(chǎn)和供應(yīng)能力，而且在價(jià)格上占據(jù)優(yōu)勢(shì)，且在8英寸上已經(jīng)在布局當(dāng)中了。其中，天科合達(dá)和天岳先進(jìn)分別與英飛凌簽訂了SiC晶圓和晶晶錠供應(yīng)協(xié)議。而三安光電則獲得了意法半導(dǎo)體的認(rèn)可與合作，2023年6月7日，意法半導(dǎo)體與三安在中國(guó)重慶共同建立一個(gè)新的8英寸SiC器件合資制造工廠。

除了襯底企業(yè)之外，還有諸多SiC/GaN的器件、模組廠商，正在上車，打入中國(guó)本土產(chǎn)業(yè)鏈。國(guó)內(nèi)廠商在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中崛起的大勢(shì)不可阻擋。相信在不久的將來(lái)，將會(huì)有更多中國(guó)企業(yè)在這一領(lǐng)域取得突破，為全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)中國(guó)力量。