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迎接SiC晶圓前端設(shè)備數(shù)十億美元市場飆升

已有800次閱讀2024-05-31標(biāo)簽:
 
在電動汽車(EV)及光儲充等需求驅(qū)動下,功率碳化硅(SiC)晶圓前端設(shè)備市場正在快速增長。該市場規(guī)模的持續(xù)擴(kuò)大主要得益于SiC材料的優(yōu)異性能和廣泛的應(yīng)用前景,特別是在耐高溫、耐高壓及高頻應(yīng)用領(lǐng)域。

然而,這個(gè)市場也面臨著技術(shù)更新、市場競爭加劇等方面的挑戰(zhàn)。盡管如此,多家廠商仍在積極投入研發(fā),以期在這一前景廣闊的市場中占據(jù)有利地位。

市場規(guī)模與增長

根據(jù)Yole Developpement的預(yù)測,到2029年,功率SiC器件市場預(yù)計(jì)將超過100億美元,2023-2029年復(fù)合年增長率為25%。由于產(chǎn)能擴(kuò)張的推動,功率SiC晶圓前端設(shè)備市場將在2026年達(dá)到51億美元峰值,這一市場的迅猛增長吸引了包括器件、外延片和晶圓制造在內(nèi)的全方位重大投資和產(chǎn)能擴(kuò)張。全球各地的設(shè)備廠商正在積極進(jìn)行設(shè)施建設(shè),以充足產(chǎn)能滿足不斷增長的需求。

該市場的增長主要由SiC材料的獨(dú)特性質(zhì)所驅(qū)動,這些性質(zhì)使得SiC在耐高溫、耐高壓和高頻應(yīng)用方面顯示出顯著優(yōu)勢。電動汽車需求是SiC市場快速擴(kuò)張的主要驅(qū)動力,在電源控制、電機(jī)驅(qū)動、車載空調(diào)等零部件中有廣泛應(yīng)用潛力。除了電動汽車,工業(yè)、能源、鐵路等應(yīng)用領(lǐng)域,特別是儲能,也在持續(xù)增長,進(jìn)一步推動了SiC晶圓前端設(shè)備市場的發(fā)展。

盡管存在技術(shù)更新?lián)Q代速度快、市場競爭加劇以及潛在的產(chǎn)能過剩等問題,意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed、羅姆、安森美等全球主要生產(chǎn)商仍在積極投資研發(fā),以應(yīng)對這些挑戰(zhàn)并鞏固市場地位,中國的設(shè)備廠商也在積極尋求市場份額。

SiC的特定材料屬性要求專用的晶圓制造設(shè)備(WFE)和生產(chǎn)線來處理功率SiC器件。因此,外延設(shè)備、離子注入機(jī)、擴(kuò)散爐和熱氧化機(jī)械等設(shè)備的市場需求也在持續(xù)增長,預(yù)計(jì)未來五年將累計(jì)產(chǎn)生14億美元。

SiC材料特定工具和工藝方面,目前生產(chǎn)SiC晶圓的主要方法是PVT(物理氣相傳輸),市場規(guī)模預(yù)計(jì)將超過20億美元。外延設(shè)備市場預(yù)計(jì)將從2024年到2029年累計(jì)產(chǎn)生43億美元的收入,而SiC離子注入機(jī)市場預(yù)計(jì)將產(chǎn)生49億美元的收入。

此外,SiC晶圓和器件的加工過程需要精確的計(jì)量與檢驗(yàn)(M&I)來檢測表面和亞表面缺陷,這將進(jìn)一步推動相關(guān)設(shè)備市場的發(fā)展。2024-2029年期間,M&I市場的累計(jì)收入預(yù)計(jì)將達(dá)到57億美元。

作為晶圓的原材料,SiC粉末市場預(yù)計(jì)到2029年將增長至3600萬美元以上。值得注意的是,PVT工具和粉末市場目前主要由少數(shù)幾家廠商壟斷,這些廠商能夠在內(nèi)部控制產(chǎn)品質(zhì)量。

對不斷增長的SiC市場做出貢獻(xiàn)的其他工具包括老化測試、圖案化、晶圓鍵合機(jī)、減薄和CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)工具。2024-2029年,整個(gè)SiC WFE制造工具市場預(yù)計(jì)將有5%的復(fù)合年增長率,到2029年將超過44億美元。

 

SiC晶圓加工設(shè)備收入預(yù)測(百萬美元)

SiC投資將再創(chuàng)新高

為了緊跟SiC技術(shù)的發(fā)展步伐,工具制造商唯有不斷創(chuàng)新和調(diào)整生產(chǎn)策略,積極投資以擴(kuò)大產(chǎn)能。鑒于SiC器件收入預(yù)測不斷增長,市場玩家一直在提前加大相關(guān)投資。2023年,全球功率SiC業(yè)務(wù)的資本支出是SiC器件市場的兩倍。資本支出預(yù)計(jì)將在2026年達(dá)到峰值,屆時(shí)將有多家公司完成正在進(jìn)行的產(chǎn)能建設(shè)。

Yole認(rèn)為,WFE的總收入遵循資本支出趨勢,每年將增長50-60%。該公司預(yù)計(jì),資本支出(SiC單晶生長設(shè)備前端、后端、封裝、基礎(chǔ)設(shè)施)將在2026年達(dá)到創(chuàng)出新高,SiC器件收入將在2027年超過整體資本支出。

為了在快速增長的功率SiC業(yè)務(wù)中占據(jù)競爭優(yōu)勢,一些公司更喜歡棕地投資,即通過收購工廠來快速獲得生產(chǎn)要素。在過去的三年里,博世、Vishay和羅姆等公司宣布了幾項(xiàng)棕地投資。這些用于硅器件加工的大部分折舊設(shè)備,如圖案化和金屬化工具,可以重新用于SiC制造。其他工具,如離子注入機(jī),需要購買并添加到生產(chǎn)線上。對新設(shè)備的需求主要取決于SiC晶圓的高溫工藝要求和M&I要求的透明度。

至于工具制造商的前景,每一步都會有所不同。例如,SiC離子注入機(jī)和退火工具供應(yīng)商市場將與公認(rèn)的領(lǐng)先玩家進(jìn)一步整合,而蝕刻工具供應(yīng)商的格局仍在演變,因?yàn)樵S多玩家試圖獲得更高的市場份額。

 

按制造步驟劃分的SiC器件晶圓前端工具制造商


SiC材料固有特性需要特定工具和器件加工

Si相比,寬禁帶SiC材料為高壓、高頻功率器件提供了優(yōu)越的性能,如3倍寬的帶隙、2倍高的電子漂移速度和5倍高的介電擊穿強(qiáng)度。功率SiC器件類型(SBD、平面和溝槽MOSFET)的生產(chǎn)已經(jīng)實(shí)現(xiàn),而硅半導(dǎo)體設(shè)備和耗材可以用于加工。然而,不同的材料特性需要對設(shè)備進(jìn)行調(diào)整或重新設(shè)計(jì)。

對于器件制造,關(guān)鍵參數(shù)是高溫要求和強(qiáng)Si-C之間的鍵合,這定義了每個(gè)步驟的各種工藝窗口。SiC外延工具需要高溫,這具有挑戰(zhàn)性且成本高昂。高吞吐量和高運(yùn)行間再現(xiàn)性要求也必須滿足。由于有多個(gè)供應(yīng)商、更容易維護(hù)和良好的生產(chǎn)能力,水平HTCVD比垂直HTCVD更受歡迎。

在室溫(RT)下,SiC的離子注入會導(dǎo)致高密度的缺陷和材料的非晶化。因此,SiC的離子注入通常在高溫下進(jìn)行(例如在400–1000℃的范圍內(nèi)的熱注入),以動態(tài)地消除離子產(chǎn)生的缺陷。類似地,所有的退火和熱氧化步驟都發(fā)生在高溫(>1200℃)下。一般來說,高溫要求采用特定的工具設(shè)計(jì),如工藝腔體幾何形狀、材料和加熱器類型,以確保良好的均勻性和良率。

2024年,大多數(shù)晶圓裝機(jī)容量都專門用于平面SiC器件生產(chǎn)(55%),其次是SBD(28%)和溝槽SiC MOSFET(17%)。展望2029年,預(yù)計(jì)溝槽SiC MOSFET的份額將增至31%。

 

功率SiC關(guān)鍵工藝挑戰(zhàn)

挑戰(zhàn)接踵而至

SiC晶圓制造一直被視為一個(gè)瓶頸,尤其是在中國,過去幾年里產(chǎn)能得到了大幅擴(kuò)張,從而推動了大量的設(shè)備訂單。這一動態(tài)變化對SiC制造工具市場產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。

作為碳化硅發(fā)電最活躍的國家之一,中國玩家已經(jīng)占據(jù)了全球超過三分之一的SiC晶圓和外延片市場。截至2024年,中國已有多家公司提供PVT(物理氣相傳輸法)和HTCVD(高溫化學(xué)氣相沉積法)國產(chǎn)化替代解決方案。然而,在價(jià)值鏈向設(shè)備轉(zhuǎn)移的過程中,中國的設(shè)備供應(yīng)尚未實(shí)現(xiàn)自給自足,因此國內(nèi)設(shè)備制造商仍需要時(shí)間和技術(shù)積累才能在國際市場上獲得更大的市場份額。

截至2024年,6英寸SiC晶圓仍是領(lǐng)先企業(yè)的主流產(chǎn)品,基于6英寸的產(chǎn)能正在大幅擴(kuò)張,直到2029年情況都將如此。8英寸平臺的研發(fā)和生產(chǎn)也在逐步推進(jìn)。多個(gè)IDM和SiC晶圓制造商已經(jīng)展示了8英寸樣品,并預(yù)計(jì)將于2025年開始初步發(fā)貨交付。這一變化將對設(shè)備市場產(chǎn)生新的需求和挑戰(zhàn)。不過,到目前為止,Wolfspeed仍是唯一一家在8英寸平臺上生產(chǎn)部分產(chǎn)品的玩家。

由于到2024年,在開放的SiC晶圓市場上8英寸的出貨量不足,8英寸SiC平臺被認(rèn)為是戰(zhàn)略性的專屬平臺。根據(jù)反饋,行業(yè)沒有過度關(guān)注用于8英寸過渡的制造工具,因?yàn)橐寻惭b的工具已兼容8英寸。

總的來說,功率SiC晶圓前端設(shè)備市場正處于快速發(fā)展階段,但供應(yīng)鏈中的企業(yè)正在降低庫存水平,等待市場的復(fù)蘇,這也可能對市場造成一定影響。為了在這個(gè)市場中脫穎而出,設(shè)備制造商需要密切關(guān)注市場動態(tài)和技術(shù)趨勢,不斷創(chuàng)新和調(diào)整戰(zhàn)略,才能適應(yīng)不斷變化的市場需求。

 

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