許多原定于 2024 年開(kāi)始運(yùn)營(yíng)的晶圓廠(chǎng)于 2022 年開(kāi)始建設(shè)，但由于當(dāng)年開(kāi)始的市場(chǎng)低迷，一些晶圓廠(chǎng)的開(kāi)工日期被推遲到 2025 年，與許多其他原定于當(dāng)年投產(chǎn)的晶圓廠(chǎng)一樣。

預(yù)計(jì) 2025 年上線(xiàn)的發(fā)電容量將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的水平。
 

報(bào)告顯示，預(yù)計(jì)2025年將有2310萬(wàn)片200毫米當(dāng)量晶圓/年的產(chǎn)能投入生產(chǎn)，超過(guò)2021年的1850萬(wàn)片晶圓的先前最高水平。

以300毫米晶圓當(dāng)量表示，2025年每年將有1030萬(wàn)片晶圓的產(chǎn)能上線(xiàn)。從增長(zhǎng)率來(lái)看，與2024年的產(chǎn)能水平相比，這一數(shù)字增長(zhǎng)了8%。

預(yù)計(jì) 2025 年將有 17 條新的 IC 生產(chǎn)生產(chǎn)線(xiàn)投入運(yùn)營(yíng)。其中包括：
 

HH Grace – 中國(guó)無(wú)錫 – 300 毫米晶圓代工服務(wù)

英特爾 – 美國(guó)俄亥俄州新奧爾巴尼 – 用于高級(jí)邏輯和代工的 300 毫米晶圓

JS Foundry – 日本新潟縣小千谷市 – 200 毫米 IC（和分立器件）晶圓

Kioxia – 日本巖手縣北上市 – 用于 3D NAND 的 300 毫米晶圓

Micron – 美國(guó)愛(ài)達(dá)荷州博伊西 – DRAM 300 毫米晶圓

PXW電子 – 中國(guó)深圳 – 300mm 晶圓代工

三星 – 韓國(guó)平澤（P4 晶圓廠(chǎng)）– 用于 3D NAND 和 DRAM 的 300 毫米晶圓
 

SK Hynix – 中國(guó)大連（Fab 68 擴(kuò)建）– 用于 3D NAND 的 300 毫米晶圓
 

中芯國(guó)際 – 中國(guó)上海 (SN2 晶圓廠(chǎng)) – 300 毫米晶圓代工
 

TI – 美國(guó)德克薩斯州謝爾曼 – 用于模擬和混合信號(hào)的 300 毫米晶圓
 

臺(tái)積電 – 中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)南（Fab 18，第 8 階段） – 300 毫米晶圓代工
 

UMC – 新加坡 (Fab 12i，第 3 階段) – 300 毫米晶圓代工

集邦：美國(guó)晶圓廠(chǎng)將崛起

TrendForce最新研究顯示，截至2024年，中國(guó)臺(tái)灣預(yù)計(jì)將以66%的市場(chǎng)份額領(lǐng)先全球先進(jìn)制程（包括16/14nm及更先進(jìn)技術(shù)）的半導(dǎo)體代工產(chǎn)能，其次是韓國(guó)（11%）、美國(guó)（10%）和中國(guó)（9%）。不過(guò)，到2027年，中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)能預(yù)計(jì)將分別下降到55%和8%。

值得注意的是，雖然臺(tái)積電、SK海力士、三星等半導(dǎo)體巨頭不斷加大投資額度，但作為先進(jìn)制程市場(chǎng)份額最高的兩個(gè)地區(qū)，中國(guó)臺(tái)灣與韓國(guó)的市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將出現(xiàn)下滑。

另一方面，在政府大力推行激勵(lì)和補(bǔ)貼政策的美國(guó)，其先進(jìn)制造工藝的全球產(chǎn)能份額預(yù)計(jì)將從 2024 年的 10% 躍升至 2027 年的 22%。
 

從整體晶圓代工產(chǎn)能來(lái)看，預(yù)計(jì)到 2024 年，中國(guó)臺(tái)灣將占據(jù)全球約 44% 的市場(chǎng)份額，其次是中國(guó)大陸 (28%)、韓國(guó) (12%)、美國(guó) (6%) 和日本 (2%)。預(yù)計(jì)總體趨勢(shì)將與先進(jìn)節(jié)點(diǎn)保持一致。相比之下，預(yù)計(jì)到 2027 年，中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)的整體半導(dǎo)體產(chǎn)能將分別下降至 40% 和 10%。

中國(guó)大陸的晶圓代工廠(chǎng)更注重?cái)U(kuò)大成熟工藝產(chǎn)能，并有政府補(bǔ)貼的支持，預(yù)計(jì)在全球整體市場(chǎng)份額中表現(xiàn)相對(duì)強(qiáng)勁，從 2024 年的 28% 增長(zhǎng)到 2027 年的 31%。其成熟工藝（包括≥28nm 節(jié)點(diǎn)）產(chǎn)能的市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將從 2024 年的 33% 上升到 2027 年的 45%。

據(jù)朝鮮日?qǐng)?bào)5月10日?qǐng)?bào)道，根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）和波士頓咨詢(xún)集團(tuán)（BCG）的預(yù)測(cè)，2022年臺(tái)灣和韓國(guó)在10納米以下最先進(jìn)半導(dǎo)體生產(chǎn)中的份額分別為69％和31％，而到2032年，兩國(guó)在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上的市場(chǎng)份額可能分別下降到47％和9％。

報(bào)道稱(chēng)，韓國(guó)半導(dǎo)體生產(chǎn)份額大幅下降主要?dú)w因于三星電子和SK海力士等主要廠(chǎng)商，它們目前與臺(tái)積電一起主導(dǎo)著全球先進(jìn)半導(dǎo)體市場(chǎng)。然而，它們沒(méi)有在韓國(guó)投資，而是選擇在美國(guó)建立最新的工廠(chǎng)。

美國(guó)政府4月早些時(shí)候宣布，將向三星提供高達(dá)64億美元的補(bǔ)貼，用于擴(kuò)大其德州工廠(chǎng)的先進(jìn)芯片產(chǎn)能。此外，SK海力士計(jì)劃斥資38.7億美元在印第安納州建設(shè)先進(jìn)封裝廠(chǎng)和人工智能產(chǎn)品研究中心。