設(shè)備業(yè)者透露，EUV機(jī)臺(tái)供應(yīng)吃緊，交期長(zhǎng)達(dá)16至20個(gè)月，因此2024年訂單大部分會(huì)于后年開(kāi)始交付；據(jù)法人估計(jì)，今年臺(tái)積電EUV訂單達(dá)30臺(tái)、明年35臺(tái)，不過(guò)會(huì)因?yàn)橘Y本支出進(jìn)行微幅調(diào)整。而除了研發(fā)中心之外，High-NA EUV明后年尚無(wú)量產(chǎn)設(shè)備規(guī)劃。

ASML因應(yīng)客戶需求，于去年規(guī)劃新產(chǎn)能，明年交付數(shù)量成長(zhǎng)性明確。今年預(yù)估總交付數(shù)量達(dá)53臺(tái)，而明年預(yù)計(jì)達(dá)到72臺(tái)以上。

供應(yīng)鏈指出，ASML對(duì)2025年度產(chǎn)能規(guī)劃，EUV 90臺(tái)、DUV 600臺(tái)、High-NA EUV 20臺(tái)目標(biāo)并未改變，今年11月14將舉行2024 Investor Day，將對(duì)下個(gè)五年提出最新藍(lán)圖。

臺(tái)積電先進(jìn)制程產(chǎn)能逐漸開(kāi)出，以3納米臺(tái)南廠來(lái)說(shuō)，第三季將進(jìn)入量產(chǎn)，明年P(guān)8廠也會(huì)有EUV機(jī)臺(tái)陸續(xù)導(dǎo)入，新竹寶山2納米在接續(xù)三年EUV拉貨動(dòng)能強(qiáng)勁、高雄2納米也同步進(jìn)行。

供應(yīng)鏈同時(shí)透露，臺(tái)積美國(guó)P1A工程追加款項(xiàng)有望第三季到位，且該廠區(qū)已進(jìn)入建設(shè)尾聲，加上臺(tái)積在國(guó)內(nèi)外其余廠區(qū)建設(shè)需求，如新竹寶山、日本熊本、高雄楠梓及封測(cè)廠等、CSP資料中心建置需求，設(shè)備需求不看淡。

臺(tái)積電EUV經(jīng)驗(yàn)豐富，力壓對(duì)手

盡管臺(tái)積電不是第一家使用極紫外線(EUV) 微影的晶圓廠，第一頭銜為韓國(guó)三星拿下，但可確定臺(tái)積電仍是全世界EUV 用量最大代工廠。臺(tái)積電多年來(lái)累積豐富EUV 經(jīng)驗(yàn)，改善EUV 工具，提高效率與產(chǎn)能，并降低成本。臺(tái)積電年度技術(shù)論壇歐洲場(chǎng)詳細(xì)說(shuō)明。

外媒報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電2019 年開(kāi)始N7+ 制程改用EUV 生產(chǎn)，當(dāng)時(shí)臺(tái)積電的EUV 設(shè)備占全球市場(chǎng)42%。即使ASML 2020 年增加EUV 出貨量，臺(tái)積電的EUV 還占全球50%。今年臺(tái)積電EUV 比2019 年增加十倍，雖三星和英特爾都在提高EUV 產(chǎn)能，但臺(tái)積電仍占全球EUV 總數(shù)56%�？烧f(shuō)臺(tái)積電很早就決定大規(guī)模使用EUV。

臺(tái)積電EUV 生產(chǎn)晶圓量增幅，比EUV 擁有數(shù)更大，臺(tái)積電以EUV 生產(chǎn)晶圓量是2019 年30 倍。顯然都透過(guò)臺(tái)積電開(kāi)發(fā)的創(chuàng)新技術(shù)。

臺(tái)積電2019 年以來(lái)，透過(guò)EUV 生產(chǎn)晶圓產(chǎn)能提高兩倍，還大幅改善EUV 光罩，壽命提高四倍，光罩產(chǎn)量提高4.5 倍，并缺陷率大幅降低80 倍。雖EUV 耗電量驚人，但臺(tái)積電設(shè)計(jì)未公開(kāi)節(jié)能技術(shù)，將EUV 功耗降低24%。臺(tái)積電還計(jì)劃2030 年每套EUV 每片晶圓生產(chǎn)能效提高1.5 倍。

考慮到臺(tái)積電已用標(biāo)準(zhǔn)型EUV 達(dá)成所有制程改進(jìn)，有信心繼續(xù)生產(chǎn)尖端晶片。盡管對(duì)手英特爾Intel 18A 以下節(jié)點(diǎn)全力采用Hgih NA EUV，反觀臺(tái)積電，經(jīng)過(guò)時(shí)間考驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)型EUV 推動(dòng)先進(jìn)制程發(fā)展，避免陷入過(guò)快轉(zhuǎn)換制程的成本陷阱，同時(shí)也獲成熟技術(shù)效益。

1nm 才會(huì)采用High NA EUV

在芯片制造機(jī)器領(lǐng)域，荷蘭的 ASML 占據(jù)主導(dǎo)地位，生產(chǎn)最先進(jìn)的機(jī)器。就像代工廠隨著時(shí)間的推移轉(zhuǎn)向更小的節(jié)點(diǎn)一樣，ASML 也制造了具有更先進(jìn)技術(shù)的新機(jī)器，臺(tái)積電和英特爾等公司需要購(gòu)買這些機(jī)器才能保持領(lǐng)先地位。最先進(jìn)的機(jī)器是高數(shù)值孔徑 (高 NA) EUV 機(jī)器，英特爾已經(jīng)宣布將購(gòu)買這些機(jī)器。盡管人們可能預(yù)計(jì)臺(tái)積電也會(huì)加入這趟列車，但新報(bào)告表明，它計(jì)劃等到 1nm 工藝到來(lái)后再這樣做，預(yù)計(jì) 1nm 工藝將在 2030 年左右問(wèn)世。

有關(guān)臺(tái)積電計(jì)劃的報(bào)道來(lái)自多個(gè)來(lái)源，最新的是《電子時(shí)報(bào)》。該出版物報(bào)道稱，根據(jù)“晶圓廠工具制造商”的消息來(lái)源，臺(tái)積電預(yù)計(jì)不會(huì)在其即將推出的 2nm 和 1.4nm 節(jié)點(diǎn)上使用High NA 機(jī)器，這兩個(gè)節(jié)點(diǎn)預(yù)計(jì)將在 2025 年和 2027 年左右推出。相反，它將等到 1nm，這可能在大約六年后出現(xiàn)，這使得臺(tái)積電在采用最新芯片制造技術(shù)時(shí)落后其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手幾年。

這家全球最大半導(dǎo)體工廠的延遲令人十分好奇，據(jù)Tom's Hardware 稱，這可能與成本有關(guān)。這些機(jī)器價(jià)格高得離譜，類似于《WarGames》中的 WOPR 等房間大小的計(jì)算機(jī)，因此購(gòu)買和安裝它們是一項(xiàng)艱巨的任務(wù)。此前，分析師還表示，考慮到成本，采用High NA 機(jī)器在財(cái)務(wù)上沒(méi)有什么意義——據(jù)報(bào)道，每臺(tái)機(jī)器的成本是現(xiàn)有Low NA 機(jī)器的兩倍，為 3 億至 4 億美元——但 ASML 斷然否認(rèn)了這一說(shuō)法。Tom's Hardware指出，ASML 高管指責(zé)分析師低估了改用高 NA 機(jī)器的好處。
 

選擇Low NA 還是High NA 的關(guān)鍵在于，人們爭(zhēng)論制作掩模版是一次曝光還是多次曝光。Low NA 機(jī)器需要多次曝光，這會(huì)增加出現(xiàn)缺陷的幾率，從而降低產(chǎn)量。High NA 機(jī)器只需一次曝光即可完成，從而降低了復(fù)雜性和出現(xiàn)錯(cuò)誤的幾率，同時(shí)還節(jié)省了制造過(guò)程的時(shí)間。正如 Tom 所說(shuō)，現(xiàn)有的 13nm 機(jī)器兩次曝光就能制作出與High NA 8nm 機(jī)器一次曝光相同的掩模版�，F(xiàn)在升級(jí)并不是保持領(lǐng)先地位的必要條件，這就是為什么像臺(tái)積電這樣的公司可能想要等待一段時(shí)間。
 

盡管采用這項(xiàng)技術(shù)涉及無(wú)數(shù)因素，但英特爾和 ASML 于 2022 年宣布將合作開(kāi)發(fā)高 NA 機(jī)器，預(yù)計(jì)這些機(jī)器將于 2025 年投入使用。英特爾預(yù)計(jì)將在英特爾 18A 之后的節(jié)點(diǎn)上開(kāi)始使用這些機(jī)器，這可能是 1.4nm 工藝，但英特爾尚未正式透露這一點(diǎn)。不過(guò)，該公司將于 2 月 21 日舉辦代工廠活動(dòng)，預(yù)計(jì)將在活動(dòng)中擴(kuò)展其工藝路線圖，因此我們很快就會(huì)知道英特爾的發(fā)展方向。