據(jù)Yole Group預測，未來五年GaN器件市場的年復合增長率（CAGR）將達到46%。隨著2023年對GaN Systems公司的成功收購，英飛凌今年陸續(xù)發(fā)布多款氮化鎵系列新品，并表示將擴大CoolGaN™的優(yōu)勢和產(chǎn)能，確保英飛凌在GaN器件市場供應鏈的穩(wěn)定性。
2024年7月9日，英飛凌在慕尼黑電子展（Electronica）期間召開媒體發(fā)布會，重磅發(fā)布了多款CoolGaN™系列新品。英飛凌科技大中華區(qū)消費、計算與通訊業(yè)務市場總監(jiān)程文濤（圖左）、高級首席工程師宋清亮（圖右）出席了本次媒體會，為與會嘉賓帶來新產(chǎn)品的詳細介紹并回答了相關提問。
新品詳情
使客戶能夠?qū)⒌墸?/font>GaN）的應用范圍擴大到40 V至700 V電壓的新一代中壓 CoolGaN™ G3 系列晶體管，及高壓 CoolGaN™ G5 系列晶體管。
新一代CoolGaN™ G3和CoolGaN™ G5系列采用英飛凌自主研發(fā)的高性能 8 英寸晶圓工藝制造
CoolGaN™ G3 中壓晶體管，覆蓋了 60 V、80 V、100 V 和 120 V 的 CoolGaN™ 晶體管電壓等級，以及 40 V 雙向開關（BDS）器件，主要面向電機驅(qū)動、電信、數(shù)據(jù)中心、太陽能和消費應用
基于GIT的新一代高壓產(chǎn)品650 V G5系列適用于消費、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)和太陽能領域的應用
CoolGaN™ G3系列晶體管和CoolGaN™ G5系列晶體管
擁有出色的軟開關和硬開關性能，提供40 V、650 V 和 850 V電壓的CoolGaN™ 雙向開關（BDS）。
CoolGaN™ BDS 650 V 和 850 V：采用真正的常閉單片雙向開關，具有四種工作模式。通過使用一個BDS代替四個傳統(tǒng)晶體管，可提高效率、密度和可靠性，使應用能夠從中受益并大幅節(jié)約成本
CoolGaN™ BDS 40 V：基于英飛凌肖特基柵極氮化鎵自主技術(shù)的常閉單片雙向開關，能阻斷兩個方向的電壓，并且通過單柵極共源極的設計進行了優(yōu)化，以取代電池供電消費產(chǎn)品中用作斷開開關的背對背 MOSFET
相比背對背硅FET，使用40 V GaN BDS的優(yōu)點包括節(jié)省50% - 75%的PCB面積、降低50%以上的功率損耗，以及減少成本
目標應用和市場涵蓋移動設備USB端口、電池管理系統(tǒng)、逆變器和整流器等
具有無損電流檢測功能，簡化了設計并進一步降低了功率損耗的CoolGaN™ 智能感應 Smart Sense。
2 kV 的靜電放電耐受能力，可連接到控制器電流感應以實現(xiàn)峰值電流控制和過流保護
電流檢測響應時間約為200 ns，小于等于普通控制器的消隱時間
具有極高的兼容性
目標應用和市場涵蓋消費電子設備的充電器和適配器
CoolGaN™ BDS和CoolGaN™ Smart Sense
目前，新產(chǎn)品供貨期已公布
