三星輕薄型LPDDR5X DRAM的封裝厚度僅0.65mm，散熱控制能力更強(qiáng)，適合端側(cè)AI在移動(dòng)端的應(yīng)用
LPDDR封裝采用12納米級(jí)工藝，四層堆疊，在提升Die密度的同時(shí)，減少厚度，提高耐熱性
2024年8月6日，三星電子今日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級(jí)LPDDR5X DRAM（內(nèi)存）開(kāi)始量產(chǎn)，支持12GB和16GB容量。這將進(jìn)一步鞏固三星在低功耗內(nèi)存市場(chǎng)的地位。
三星LPDDR5X DRAM
憑借在芯片封裝領(lǐng)域豐富的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，三星可提供超薄的LPDDR5X DRAM封裝，使移動(dòng)設(shè)備內(nèi)有多余的空間，促進(jìn)空氣流動(dòng)。散熱控制能力因此得到提升，這一屬性對(duì)于像端側(cè)人工智能類(lèi)具有復(fù)雜功能的高性能應(yīng)用尤為關(guān)鍵。
三星LPDDR5X DRAM封裝示意圖
“LPDDR5X DRAM在具備卓越的移動(dòng)端低功耗性能的同時(shí)，還能在超輕薄的封裝中提供先進(jìn)的熱管理功能，為高性能端側(cè)AI解決方案樹(shù)立了新標(biāo)準(zhǔn)。”三星電子存儲(chǔ)器產(chǎn)品企劃團(tuán)隊(duì)執(zhí)行副總裁YongCheol Bae表示。“三星將持之以恒地與客戶密切合作，不斷創(chuàng)新，提供能夠滿足符合時(shí)代的低功耗DRAM解決方案。
憑借LPDDR5X DRAM的封裝技術(shù)，三星提供了其業(yè)內(nèi)最薄，采用四層堆疊結(jié)構(gòu)[1]的12納米級(jí)LPDDR DRAM。與上一代產(chǎn)品相比，厚度降低約9%，耐熱性能提升約21.2%。
三星LPDDR5X DRAM緊有0.65mm，薄如指甲
通過(guò)采用更先進(jìn)的印刷電路板(PCB)和環(huán)氧樹(shù)脂模塑料(EMC)[2]工藝，新一代LPDDR DRAM的封裝厚度僅0.65毫米(mm)，薄如指甲，超過(guò)之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。此外，三星優(yōu)化了背面研磨工藝[3]，進(jìn)一步壓縮了封裝厚度。
三星計(jì)劃通過(guò)向移動(dòng)處理器生產(chǎn)商，和移動(dòng)設(shè)備制造商供應(yīng)0.65mm的LPDDR5X DRAM芯片，繼續(xù)擴(kuò)大低功耗DRAM的市場(chǎng)。隨著市場(chǎng)對(duì)高性能、高密度且封裝尺寸更小的移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案的需求持續(xù)增長(zhǎng)，三星計(jì)劃開(kāi)發(fā)6層24GB和8層32GB的模組，為未來(lái)設(shè)備打造超薄的LPDDR DRAM封裝。
除非經(jīng)特殊說(shuō)明，本文中所涉及的數(shù)據(jù)均為三星內(nèi)部測(cè)試結(jié)果，涉及的對(duì)比均為與三星產(chǎn)品相比較。
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[1]四層堆疊封裝，每層均由兩片LPDDR DRAM芯片組成 |
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[2]用于保護(hù)半導(dǎo)體電路免受高溫、沖擊和潮濕等外部環(huán)境影響的材料。 |
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[3]研磨晶圓的背面使厚度變薄的工藝 |
關(guān)于三星電子
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