1、當下，“含SiC 量”成為新能源汽車比拼的一大指標，貴公司如何看待當下的新能源汽車市場？隨著市場對車規(guī)級SiC 功率器件的需求激增，貴公司將如何應(yīng)對市場需求的增長？
Doug Bailey：碳化硅(SiC)對新能源汽車市場非常重要，特別是當動力電池的電壓水平從400V轉(zhuǎn)向800V時。服務(wù)于800V市場的反激式電源要求半導體能夠耐受高達1700V的電壓，而這正是SiC的理想應(yīng)用領(lǐng)域。許多公司都瞄準了新能源汽車的傳動系統(tǒng)，但目前Power Integrations的汽車產(chǎn)品專注于EPS（應(yīng)急電源系統(tǒng)）和DC/DC應(yīng)用的高壓電源。我們在芯片上提供完整的電源子系統(tǒng)。
2、針對EV 市場，貴公司推出了哪些SiC 產(chǎn)品和技術(shù)？能否介紹下貴公司針對車規(guī)級SiC 器件的策略和規(guī)劃？
Doug Bailey：Power Integrations在其廣受歡迎的InnoSwitch™3-AQ產(chǎn)品系列中增添了符合AEC-Q100標準、1700V額定耐壓的器件版本。新IC內(nèi)部集成SiC初級開關(guān)MOSFET，可提供高達70W的輸出功率，主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車，以及電動巴士、卡車和各種工業(yè)電源應(yīng)用。
高度集成的InnoSwitch IC可將電源的元件數(shù)量減少多達50%，從而節(jié)省大量電路板空間、增強系統(tǒng)可靠性并緩解元器件采購所面臨的挑戰(zhàn)。我們的InnoSwitch產(chǎn)品系列屢獲殊榮，現(xiàn)在有高性價比硅器件、高效氮化鎵(GaN)器件和高壓SiC晶體管可供選擇，可幫助設(shè)計人員在廣泛的消費電子、計算機、通信、工業(yè)和汽車應(yīng)用中優(yōu)化其功率解決方案。
3、相較于其他企業(yè)，貴公司的SiC 產(chǎn)品和技術(shù)有著怎樣的“殺手锏”?目前，貴公司的SiC 產(chǎn)品和技術(shù)有哪些新的進展？
Doug Bailey：Power Integrations所提供的電源子系統(tǒng)采用與IC一樣的封裝。我們的整體思路是利用高度集成的器件解決系統(tǒng)級問題。我們采用SiC技術(shù)的InnoSwitch IC也是如此。
800V電池正在成為電動汽車的標準配置。多個車輛系統(tǒng)連接到這個強大的電源，但精巧的電子控制電路只需要幾伏電壓即可進行工作和通信。使用InnoSwitch器件的電路可以使用很小的電路板面積，安全地從主母線上汲取少許能量供控制電路使用，而不會造成能量的浪費。最值得一提的是，新器件還可以大幅簡化主牽引逆變器的應(yīng)急電源的設(shè)計。應(yīng)急電源需要隨時準備著在30V和1000V之間的任何電壓下工作。Power Integrations基于SiC的InnoSwitch3-AQ器件可以輕松應(yīng)對如此廣泛的工作電壓范圍。
1700V IC采用FluxLink™反饋技術(shù)，可為次級側(cè)控制提供高達5000V有效值電壓的加強絕緣。FluxLink技術(shù)可直接檢測輸出電壓，其優(yōu)勢在于可提供高精度的控制以及極其快速的動態(tài)響應(yīng)特性。在無需借助外部電路的情況下，電源在30V輸入電壓下即可工作，這對滿足功能安全的要求至關(guān)重要。其他保護功能包括輸入欠壓保護、輸出過壓保護和過流限制。新器件內(nèi)部還集成同步整流和準諧振(QR)/CCM反激式控制器，可實現(xiàn)90%以上的效率，輕松滿足最嚴格的OEM廠商要求。
4、面對逐漸爆發(fā)的 SiC 市場需求，貴公司有哪些舉措為客戶提供穩(wěn)定的產(chǎn)品供應(yīng)？
Doug Bailey：Power Integrations以長遠的眼光看待市場，因此始終小心確保供應(yīng)鏈穩(wěn)定，即使在充滿挑戰(zhàn)的條件下也是如此。我們與世界各地的晶圓廠簽訂了全球獨家協(xié)議，從而保護我們的客戶免受產(chǎn)業(yè)鏈波峰和波谷的影響，而其他同行公司卻深受其擾。
5、從硅基IGBT 切換到SiC MOSFET 的時間是否會提前？貴公司認為未來SiC 技術(shù)和產(chǎn)業(yè)鏈將如何演進？
Doug Bailey：我們確實看到SiC MOSFET在更高價值的應(yīng)用中取代IGBT。不過有趣的是，WBG的另一項主要技術(shù)氮化鎵(GaN)也有所發(fā)展，氮化鎵可能會在中期取代IBGT和碳化硅器件。GaN的生產(chǎn)成本比SiC低得多，而且Power Integrations已經(jīng)推出1250V的GaN器件 — 這是目前市場上電壓最高的器件。我們相信，這項技術(shù)還能更上一層樓。到那時，IGBT/SiC/GaN的格局將截然不同。
