推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND，為各種AI應(yīng)用提供優(yōu)質(zhì)內(nèi)存解決方案

　　三星電子今日宣布，三星首款1太比特（Tb）四層單元（QLC）第九代V-NAND（V-NAND）已正式開始量產(chǎn)。

　　三星半導(dǎo)體1TB QLC第九代V-NAND

　　今年四月，三星啟動(dòng)了其首批三層單元（TLC）第九代V-NAND的量產(chǎn)，隨后又率先實(shí)現(xiàn)了QLC 第九代V-NAND的量產(chǎn)，這進(jìn)一步鞏固了三星在高容量、高性能NAND閃存市場中的地位。

　　“在距上次TLC版本量產(chǎn)僅四個(gè)月后，QLC第九代V-NAND產(chǎn)品成功啟動(dòng)量產(chǎn)，使我們能夠提供，能夠滿足人工智能時(shí)代需求的完整陣容的SSD解決方案。”三星電子執(zhí)行副總裁兼閃存產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人SungHoi Hur表示：“隨著企業(yè)級SSD市場呈現(xiàn)日益增長的趨勢，對人工智能應(yīng)用的需求更加強(qiáng)勁，我們將通過QLC和TLC第九代V-NAND繼續(xù)鞏固三星在該領(lǐng)域的市場地位。”

　　三星計(jì)劃擴(kuò)大QLC第九代V- NAND的應(yīng)用范圍，從品牌消費(fèi)類產(chǎn)品開始，擴(kuò)展到移動(dòng)通用閃存（UFS）、個(gè)人電腦和服務(wù)器SSD，為包括云服務(wù)提供商在內(nèi)的客戶提供服務(wù)。

　　三星半導(dǎo)體1TB QLC第九代V-NAND

　　三星QLC第九代V-NAND綜合運(yùn)用多項(xiàng)創(chuàng)新成果，實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)技術(shù)突破。

　　• 三星引以為傲的通道孔蝕刻技術(shù)(Channel Hole Etching)，能夠基于雙堆棧架構(gòu)實(shí)現(xiàn)當(dāng)前業(yè)內(nèi)最高的單元層數(shù)。三星運(yùn)用在TCL第九代V-NAND中積累的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，優(yōu)化了存儲單元面積及外圍電路，位密度比上一代QLC V-NAND提升約86%。

　　• 預(yù)設(shè)模具(Designed Mold)技術(shù)能夠調(diào)整控制存儲單元的字線（WL）間距，確保同一單元層內(nèi)和單元層之間的存儲單元的特性保持一致，達(dá)到最佳效果。V-NAND層數(shù)越多，存儲單元特性越重要。采用預(yù)設(shè)模具技術(shù)使得數(shù)據(jù)保存性能相比之前的版本提升約20%，增強(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性。

　　• 預(yù)測程序(Predictive Program)技術(shù)能夠預(yù)測并控制存儲單元的狀態(tài)變化，盡可能減少不必要的操作。這項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步讓三星QLC第九代V-NAND的寫入性能翻倍，數(shù)據(jù)輸入/輸出速度提升60%。

　　• 低功耗設(shè)計(jì)(Low-Power Design)技術(shù)使得數(shù)據(jù)讀取功耗約分別下降了約30%和50%。這項(xiàng)技術(shù)降低了驅(qū)動(dòng)NAND存儲單元所需的電壓，能夠僅感測必要的位線（BL），從而盡可能減少功耗。

　　關(guān)于三星電子

　　三星以不斷創(chuàng)新的思想與技術(shù)激勵(lì)世界、塑造未來。重新定義電視、智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、平板電腦、數(shù)碼電器、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、存儲、系統(tǒng)集成電路、半導(dǎo)體代工制造及LED解決方案。通過SmartThings生態(tài)系統(tǒng)、以及與伙伴的開放合作，為消費(fèi)提供無縫銜接的順滑體驗(yàn)。欲了解更多最新消息，請?jiān)L問三星新聞中心：news.samsung.com.

　　免責(zé)聲明：除非經(jīng)特殊說明，本文中所涉及的數(shù)據(jù)均為三星內(nèi)部測試結(jié)果，涉及的對比均為與三星產(chǎn)品相比較。