SiC公司超8.3億被收購(gòu)
安森美半導(dǎo)體宣布，他們已與 Qorvo 達(dá)成協(xié)議，以 1.15 億美元（約8.34億RMB）現(xiàn)金，收購(gòu)SiC JFET 技術(shù)業(yè)務(wù)，以及 Qorvo 子公司United Silicon Carbide 。安森美表示，該交易需滿足慣例成交條件，預(yù)計(jì)將于 2025 年第一季度完成。
該公司認(rèn)為，此次收購(gòu)將補(bǔ)充安森美廣泛的 EliteSiC 電源產(chǎn)品組合，使該公司能夠滿足 AI 數(shù)據(jù)中心電源單元 AC-DC 階段對(duì)高能效和功率密度的需求。此外，此舉將加速安森美半導(dǎo)體為電動(dòng)汽車電池?cái)嗦菲骱凸虘B(tài)斷路器 (SSCB) 等新興市場(chǎng)做好準(zhǔn)備。這次收購(gòu)預(yù)計(jì)將在 5 年內(nèi)使安森美公司的市場(chǎng)機(jī)會(huì)擴(kuò)大 13 億美元（約94億RMB）。
UnitedSiC 成立于 1999 年，主要為高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用部署 SiC 晶體管和二極管解決方案。2021年11月， Qorvo收購(gòu)了United SiC公司，目的是通過(guò)吸納其SiC FET、JFET和肖特基二極管器件技術(shù)，進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)品組合，以提高在電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的影響力。
8英寸晶錠厚度超30mm
連科數(shù)控宣布，旗下子公司連科半導(dǎo)體的8英寸碳化硅電阻式長(zhǎng)晶爐在客戶現(xiàn)場(chǎng)完成批量驗(yàn)收，標(biāo)志著其8英寸電阻爐量產(chǎn)進(jìn)入國(guó)內(nèi)第一梯隊(duì)。
據(jù)了解，連科半導(dǎo)體的電阻爐通過(guò)石墨電阻發(fā)熱，由熱輻射傳導(dǎo)石墨坩堝進(jìn)行加熱，可調(diào)整石墨加熱器的結(jié)構(gòu)，有效的進(jìn)行分區(qū)功率控制和溫場(chǎng)的控制，更適合生長(zhǎng)大尺寸的碳化硅晶體。
此外，其具有成熟的熱場(chǎng)設(shè)計(jì)，有利于缺陷控制，并可配備多個(gè)加熱器并獨(dú)立控制，便于調(diào)整溫度梯度，目前已成功制備直徑超210毫米，厚度30毫米的8吋導(dǎo)電型SiC晶體，晶體表面光滑無(wú)缺陷。
8英寸外延質(zhì)量?jī)?yōu)于國(guó)外
《人工晶體學(xué)報(bào)》刊登了題為《8英寸SiC晶圓制備與外延應(yīng)用》的研究論文，由天域半導(dǎo)體丁雄杰博士團(tuán)隊(duì)聯(lián)合南砂晶圓、清純半導(dǎo)體、芯三代共同發(fā)表。
據(jù)了解，該研究團(tuán)隊(duì)由南砂晶圓采用PVT法制備了厚度為500 μm的8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底晶圓，其平均基平面位錯(cuò)（BPD）密度低至251cm-2，平均螺位錯(cuò)（TSD）密度小于1 cm-2，實(shí)現(xiàn)了近“零TSD”和低BPD密度的8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底晶圓的制備，可以滿足生產(chǎn)需要。
在此基礎(chǔ)上，研究團(tuán)隊(duì)采用國(guó)產(chǎn)8英寸外延設(shè)備和開(kāi)發(fā)工藝包，在8英寸晶圓上實(shí)現(xiàn)了速率為68.66 μm/h的快速外延生長(zhǎng)，獲得的外延層厚度的平均值為11.44 μm，標(biāo)準(zhǔn)偏差為0.10 μm，不均勻性為0.89%，摻雜不均勻性為2.05%，該指標(biāo)已經(jīng)達(dá)到了優(yōu)良6英寸外延膜的水平，完全可以滿足生產(chǎn)需要。與國(guó)外已發(fā)布的8英寸外延結(jié)果對(duì)比，厚度和摻雜均勻性均優(yōu)于國(guó)外數(shù)據(jù)，而缺陷密度只有國(guó)外數(shù)據(jù)的1/4。
8英寸BPD密度降至704 cm-2
由中電科46所、哈爾濱工業(yè)大學(xué)聯(lián)合發(fā)表了一篇題為《降低8 英寸碳化硅單晶 BPD 密度的數(shù)值模擬和實(shí)驗(yàn)研究》的論文，其中透露，他們通過(guò)各種創(chuàng)新工藝，可以將BPD 密度降低到 704 cm-2。
該研究團(tuán)隊(duì)首先采用 STR-VR 軟件 模擬了 8 英寸 SiC 單晶的生長(zhǎng)和冷卻過(guò)程，并分析了不同因素對(duì) SiC 晶體應(yīng)力和 BPD 密度的影響，他們發(fā)現(xiàn)：在生長(zhǎng)過(guò)程中，隨著 SiC 晶體厚度增加，剪切應(yīng)力和位錯(cuò)密度也隨之增加，在冷卻過(guò)程中，剪切應(yīng)力會(huì)相應(yīng)增加，然而，位錯(cuò)密度在初始冷卻階段也會(huì)增加，但在后期冷卻階段卻保持相對(duì)穩(wěn)定。
分析表明，在冷卻過(guò)程中，較高的冷卻速率導(dǎo)致更大的剪切應(yīng)力和更小的位錯(cuò)密度。這是因?yàn)椋诳焖倮鋮s情況下溫度迅速降低，位錯(cuò)遷移速率急劇下降，位錯(cuò)傳播減少。此外，通過(guò)優(yōu)化籽晶黏接方法、石墨坩堝材料也可以幫助減少BPD 密度。
車規(guī)級(jí)Si/SiC器件先進(jìn)封裝生產(chǎn)線二期開(kāi)工
浙江溫嶺新城開(kāi)發(fā)區(qū)迎來(lái)振奮人心的消息，半導(dǎo)體孵化園項(xiàng)目迎來(lái)了全新里程碑——晶能微電子車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體封測(cè)基地二期工程正式啟動(dòng)。該項(xiàng)目由溫嶺新城開(kāi)發(fā)區(qū)傾力打造，旨在助推區(qū)域高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，加速半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局。
追溯至2023年5月，溫嶺新城開(kāi)發(fā)區(qū)與晶能微電子達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方攜手共建車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體封測(cè)基地。一期項(xiàng)目的快速推進(jìn)，一條先進(jìn)的Si/SiC器件封裝線已然成型，自7月投入運(yùn)行以來(lái)，預(yù)估年產(chǎn)值有望超過(guò)2億人民幣，展現(xiàn)出了強(qiáng)勁的發(fā)展勢(shì)頭。
如今，二期項(xiàng)目的啟動(dòng)標(biāo)志著溫嶺在半導(dǎo)體領(lǐng)域的探索邁入深化階段。該階段規(guī)劃清晰，包含一座集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售于一體的綜合性生產(chǎn)性用房，以及生活服務(wù)配套設(shè)施，旨在為車規(guī)級(jí)功率器件系列產(chǎn)品提供全方位的支持。與此同時(shí)，一期生產(chǎn)線將在未來(lái)整合至新址，預(yù)計(jì)于2026年實(shí)現(xiàn)全面運(yùn)轉(zhuǎn)，為產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)造更多可能。
8英寸碳化硅單晶材料進(jìn)展
安最近表示，碳化硅電力電子產(chǎn)業(yè)正處于6英寸向8英寸過(guò)渡階段，8英寸單晶材料的開(kāi)發(fā)是碳化硅電力電子器件成本進(jìn)一步降低并大規(guī)模應(yīng)用于新能源汽車的核心關(guān)鍵。
三安認(rèn)為，從碳化硅單晶材料的發(fā)展&趨勢(shì)、8英寸碳化硅單晶材料的要求和當(dāng)前進(jìn)展等方面闡述8英寸碳化硅單晶材料的進(jìn)展。
目前，湖南三安在重慶及湖南兩地均布局了8英寸SiC項(xiàng)目，其中，湖南項(xiàng)目已擁有6英寸SiC配套產(chǎn)能2.5萬(wàn)片/月，后續(xù)擴(kuò)產(chǎn)后配套產(chǎn)能將達(dá)到36萬(wàn)片/年，8英寸SiC襯底已實(shí)現(xiàn)小批量出貨，8英寸SiC芯片產(chǎn)線正在安裝調(diào)試中；位于重慶的8英寸SiC襯底廠已于8月底點(diǎn)亮通線，產(chǎn)能處于起步階段，目前為1000片/月。
英國(guó)紐波特的8英寸SiC工廠開(kāi)始建設(shè)
據(jù)外媒報(bào)道，威世集團(tuán)（Vishay）正在推進(jìn)其位于英國(guó)南威爾士紐波特的8英寸SiC工廠的建設(shè)，項(xiàng)目初始投資5100萬(wàn)英鎊（約4.65億人民幣）。
根據(jù)此前報(bào)道，Vishay于2023年11月以1.77億美元（約合人民幣12.88億元）現(xiàn)金收購(gòu)了安世半導(dǎo)體的8英寸硅基晶圓廠（Newport晶圓廠），用于改造為8英寸車規(guī)級(jí)碳化硅和氮化鎵生產(chǎn)基地，推進(jìn)SiC MOSFET的商業(yè)化進(jìn)程。
目前，Vishay已確認(rèn)初步投資5100萬(wàn)英鎊用于Newport工廠的一階段建設(shè)，這筆資金包含了來(lái)自威爾士政府提供的500萬(wàn)英鎊；未來(lái)，Vishay將長(zhǎng)期計(jì)劃將向該廠注資 10 億英鎊（超91億人民幣），以加快車規(guī)SiC/GaN規(guī)�；圃煊�(jì)劃。
中國(guó)臺(tái)灣新建碳化硅工廠
中國(guó)臺(tái)灣投資臺(tái)灣事務(wù)所通過(guò)5家企業(yè)擴(kuò)大投資，其中，中國(guó)臺(tái)灣碳化硅長(zhǎng)晶廠商格棋化合物將投資57億元新臺(tái)幣（約12.73億人民幣）于中壢工業(yè)區(qū)興建新廠房及擴(kuò)建產(chǎn)線，導(dǎo)入自動(dòng)化技術(shù)及運(yùn)用大數(shù)據(jù)資料管理及追蹤生產(chǎn)資料，并使用智慧能源管理系統(tǒng)，以最佳化供電及緊急供電需求。
公開(kāi)資料顯示，格棋成立于2022年，專注于長(zhǎng)晶等第三代化合物半導(dǎo)體的工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)。其官網(wǎng)顯示，公司目前產(chǎn)品涵蓋6英寸N型碳化硅襯底以及晶錠。
此前10月22日，格棋舉行了中壢新廠落成典禮。格棋中壢新廠總投資金額為6億元新臺(tái)幣，預(yù)計(jì)2024年第四季達(dá)到滿產(chǎn)。其中6英寸碳化硅晶片月產(chǎn)能可達(dá)5000片，到2024年底，新廠將安裝20臺(tái)8英寸長(zhǎng)晶爐及100臺(tái)6英寸長(zhǎng)晶爐提升整體產(chǎn)能。
IGBT/SiC功率模塊代工廠正式開(kāi)業(yè)
據(jù)上海陸芯官微消息，常州銀芯微功率半導(dǎo)體有限公司在常州新北區(qū)的新模塊代工廠正式開(kāi)業(yè)。
據(jù)介紹，銀芯微功率模塊制造工廠核心業(yè)務(wù)聚焦于IGBT功率模塊和碳化硅功率模塊的研發(fā)與生產(chǎn)，涵蓋多種類型的（包括但不限于34mm/48mm/62mm半橋、PM、EconoDual、HPI、HPD等）IGBT模塊的封裝。
工廠規(guī)劃占地面積約為4000平方米，預(yù)計(jì)月產(chǎn)能可達(dá)20萬(wàn)只。資料顯示，銀芯微成立于2024年7月，由銀河微電、上海陸芯共同持股，持股比例分別為63.08%、36.92%。其中銀河微電產(chǎn)品涵蓋功率器件芯片、MOSFET、IGBT、SiC器件、GaN器件等領(lǐng)域。
半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目投產(chǎn)
晶馳機(jī)電半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目投產(chǎn)儀式在嘉興平湖新埭鎮(zhèn)舉行。
資料顯示，晶馳機(jī)電（嘉興）有限公司成立于2023年，目前公司產(chǎn)品包括6英寸水平進(jìn)氣和8英寸垂直進(jìn)氣碳化硅外延設(shè)備（LPCVD法），金剛石晶體生長(zhǎng)設(shè)備（MPCVD法），氮化鋁晶體生長(zhǎng)設(shè)備，碳化硅源粉合成爐，碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備（PVT法），氧化鎵單晶生長(zhǎng)爐（導(dǎo)模法、CZ法），各種晶體和晶片熱處理爐。達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值1.4億元。
據(jù)報(bào)道，晶馳機(jī)電在河北石家莊也建有一個(gè)半導(dǎo)體材料研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目，并于11月初投產(chǎn)——該項(xiàng)目以金剛石設(shè)備與碳化硅外延設(shè)備為產(chǎn)品核心，專注于第三代和第四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)、生產(chǎn)。項(xiàng)目建成后，將把三代、四代半導(dǎo)體設(shè)備與材料的上下游產(chǎn)業(yè)鏈引入石家莊正定縣。
碳化硅芯片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目完成驗(yàn)收
廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司碳化硅（SiC）功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目已驗(yàn)收。該項(xiàng)目依托現(xiàn)有廠房，新增一條SiC產(chǎn)線，主要生產(chǎn)SiC功率芯片產(chǎn)品。
據(jù)介紹，項(xiàng)目新增SiC產(chǎn)能規(guī)模為MOSFET芯片28.8萬(wàn)片/年、SBD芯片28.8萬(wàn)片/年，同時(shí)減少GaN外延的藍(lán)綠光LED芯片57.6萬(wàn)片/年（其外延產(chǎn)能不變，多余外延片外售）、總共為芯片產(chǎn)能672萬(wàn)片（等效2吋）。該項(xiàng)目為士蘭明鎵二期項(xiàng)目。
此外，士蘭微還在廈門市滄海區(qū)布局了8英寸碳化硅產(chǎn)線。2024年5月21日，廈門市人民政府、廈門市海滄區(qū)人民政府與杭州士蘭微電子股份有限公司在廈門共同簽署了《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》。
4/6英寸碳化硅項(xiàng)目正式通線
首條4/6英寸碳化硅基壓電復(fù)合襯底生產(chǎn)線在達(dá)波科技（上海）有限公司臨港工廠貫通。
碳化硅基壓電復(fù)合襯底是一種由碳化硅和其他材料復(fù)合而成的材料，具有高硬度、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用電子、光電和機(jī)械等行業(yè)。
達(dá)波科技（上海）有限公司成立于2024年5月，注冊(cè)資本5000萬(wàn)人民幣，經(jīng)營(yíng)范圍含新材料技術(shù)研發(fā)、半導(dǎo)體器件專用設(shè)備銷售、半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造、半導(dǎo)體分立器件銷售、半導(dǎo)體分立器件制造等。該公司由蘇州達(dá)波新材科技有限公司全資持股，而山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司是蘇州達(dá)波新材科技有限公司第二大股東。
日本2家半導(dǎo)體大廠合作生產(chǎn)碳化硅
日本經(jīng)產(chǎn)省宣布，為電裝與富士電機(jī)的SiC半導(dǎo)體項(xiàng)目注資超千億日元，總額達(dá)2116億日元，其中政府補(bǔ)助705億日元。
電裝將生產(chǎn)SiC襯底，富士電機(jī)負(fù)責(zé)SiC器件制造，目標(biāo)年產(chǎn)31萬(wàn)片，2027年5月起供貨。此前，電裝2023年10月對(duì)Silicon Carbide LLC注資5億美元，獲12.5%股權(quán)，確保了6/8寸SiC襯底穩(wěn)定供應(yīng)。
同時(shí)，電裝與三菱電機(jī)、Coherent簽訂長(zhǎng)協(xié)，各取后者SiC子公司12.5%股權(quán)，確保材料供應(yīng)。電裝還考慮與SiC器件巨擘羅姆建立戰(zhàn)略合作，擬收購(gòu)部分股份。
富士電機(jī)于2023年底承諾2000億日元投資，重點(diǎn)為EV控制元件，國(guó)內(nèi)新建SiC產(chǎn)線，松本工廠將量產(chǎn)8寸SiC器件，津輕工廠跟進(jìn)6寸SiC半導(dǎo)體生產(chǎn)，顯示日本企業(yè)在SiC領(lǐng)域的積極布局及對(duì)新能源市場(chǎng)的堅(jiān)定信心。
英國(guó)碳化硅晶圓廠獲新投資
Vishay Intertechnology（威世科技）將向位于南威爾士的紐波特晶圓廠（Newport Wafer Fab，NWF）投資5100萬(wàn)英鎊（約4.69億人民幣），紐波特晶圓廠是英國(guó)最大的半導(dǎo)體晶圓制造工廠，這項(xiàng)投資得到了威爾士政府500萬(wàn)英鎊的資金支持。
資料顯示，Vishay公司于1962年在美國(guó)特拉華州成立，是一家分立半導(dǎo)體和無(wú)源元件制造商和供應(yīng)商，半導(dǎo)體產(chǎn)品包括MOSFET、二極管和光電元件，無(wú)源元件產(chǎn)品包括電阻產(chǎn)品、電容器和電感器。
據(jù)悉，安世半導(dǎo)體在2021年7月宣布完成收購(gòu)英國(guó)NWF晶圓廠，交易金額6300萬(wàn)英鎊（約5.79億人民幣）。彼時(shí)，英國(guó)政府并沒(méi)有進(jìn)行干預(yù)，但到2022年5月，英國(guó)相關(guān)部門突然開(kāi)始審查安世半導(dǎo)體對(duì)NWF晶圓廠的收購(gòu)案。經(jīng)過(guò)近半年審查，英國(guó)政府正式要求安世半導(dǎo)體至少剝離NWF 86%的股權(quán)。
車規(guī)碳化硅模塊獲重點(diǎn)車企量產(chǎn)定點(diǎn)
揚(yáng)州國(guó)揚(yáng)電子有限公司近日收到國(guó)內(nèi)重點(diǎn)車企量產(chǎn)定點(diǎn)函，將為該車企批量配套車規(guī)級(jí)塑封碳化硅（SiC）功率部件。
根據(jù)國(guó)基南方據(jù)介紹，國(guó)揚(yáng)電子依托國(guó)基南方、55所完整的SiC產(chǎn)業(yè)鏈能力，與重點(diǎn)車企針對(duì)主驅(qū)用SiC功率部件開(kāi)展聯(lián)合研制和技術(shù)攻關(guān)，先后開(kāi)發(fā)了全國(guó)產(chǎn)750V/1200V SiC MOSFET芯片和塑封二合一SiC功率部件、塑封六合一SiC功率部件等系列創(chuàng)新產(chǎn)品。
量產(chǎn)定點(diǎn)函的發(fā)布標(biāo)志著開(kāi)發(fā)成果將正式轉(zhuǎn)入批量上車階段。近期，除國(guó)揚(yáng)電子碳化硅模塊獲得車企定點(diǎn)外，國(guó)內(nèi)還有多家碳化硅相關(guān)廠商傳出“上車”新進(jìn)展，包括芯聯(lián)集成、基本半導(dǎo)體等企業(yè)，碳化硅功率器件/模塊的國(guó)產(chǎn)替代似乎正在加速。
為樂(lè)道L60供應(yīng)碳化硅模塊
近日，蔚來(lái)旗下全新品牌樂(lè)道首款車型樂(lè)道L60近期上市，芯聯(lián)集成為樂(lè)道L60供應(yīng)碳化硅模塊。樂(lè)道L60是同級(jí)別車型中唯一采用全域900V高壓平臺(tái)架構(gòu)的車型，其主電驅(qū)系統(tǒng)搭載的蔚來(lái)自研1200V 碳化硅功率模塊，融合了芯聯(lián)集成提供的高性能碳化硅模塊制造技術(shù)，不僅實(shí)現(xiàn)了動(dòng)力系統(tǒng)的高效率和高穩(wěn)定性，也在降低能耗的同時(shí)提高了L60的續(xù)航里程。
此前，芯聯(lián)集成與蔚來(lái)簽署了碳化硅模塊產(chǎn)品的生產(chǎn)供貨協(xié)議。按照雙方簽署的協(xié)議，芯聯(lián)集成將成為蔚來(lái)首款自研1200V 碳化硅模塊的生產(chǎn)供應(yīng)商，該碳化硅模塊將用于蔚來(lái)900V高壓純電平臺(tái)。
采用SiC技術(shù)的全電子e-Starter
西門子推出采用SiC技術(shù)的全電子e-Starter。新型ET 200SP e-starter可極快地檢測(cè)到短路電流并立即將其關(guān)斷。這首先防止了潛在破壞性短路電流的發(fā)生。一旦消除了短路的原因，設(shè)備就可以立即準(zhǔn)備好再次接通。不再需要采購(gòu)備件或更換設(shè)備 - 通常在短路后需要這樣做。
新型ET 200SP e-starter可極快地檢測(cè)到短路電流并立即將其關(guān)斷。這首先防止了潛在破壞性短路電流的發(fā)生。一旦消除了短路的原因，設(shè)備就可以立即準(zhǔn)備好再次接通。不再需要采購(gòu)備件或更換設(shè)備 - 通常在短路后需要這樣做。
我們的全電子e-Starter是一項(xiàng)真正的創(chuàng)新，與傳統(tǒng)的機(jī)電或混合動(dòng)力電機(jī)起動(dòng)器相比，它具有許多優(yōu)勢(shì)。我們?cè)谂c潛在用戶密切協(xié)商后開(kāi)發(fā)了它。這就是為什么它完全根據(jù)需要應(yīng)對(duì)他們的挑戰(zhàn)。它使要求苛刻的電機(jī)和應(yīng)用比以往任何時(shí)候都更容易獲得、耐用和用戶友好，”西門子智能基礎(chǔ)設(shè)施電氣產(chǎn)品首席執(zhí)行官Andreas Matthé說(shuō)。
