英飛凌科技中壓氮化鎵產(chǎn)品線負責人Antoine Jalabert博士表示：“這兩款新器件兼容行業(yè)標準硅MOSFET封裝，滿足客戶對標準化封裝、更易處理和加快產(chǎn)品上市速度的需求。
CoolGaN™ G3 100 V晶體管器件將采用5x6 RQFN封裝，典型導通電阻為 1.1 mΩ；CoolGaN™ G3 80 V將采用 3.3x3.3 RQFN 封裝，典型電阻為2.3 mΩ。這兩款晶體管的封裝首次讓客戶可以采取簡便的多源采購策略，以及與硅基設計形成互補的布局，而新封裝與GaN組合帶來的低電阻連接和低寄生效應能夠在常見封裝中實現(xiàn)高性能晶體管輸出。
此外，這種芯片與封裝組合擁有更大的暴露表面積和更高的銅密度，使熱量得到更好的分布和散發(fā)，因此不僅能提高熱傳導性，還具有很高的熱循環(huán)穩(wěn)定性。
