采用TOLL封裝的CoolMOS™ 8
英飛凌科技高級副總裁兼總經(jīng)理Richard Kuncic表示：“我們很高興與Enphase合作，支持他們致力于完成提供創(chuàng)新太陽能解決方案的使命。英飛凌的600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET專為以極低成本提供卓越的效率和可靠性而設(shè)計(jì)，這與Enphase和英飛凌通過提高可再生能源技術(shù)的性能和經(jīng)濟(jì)性的承諾相吻合，從而進(jìn)一步推動低碳化。”
Enphase Energy高級副總裁兼系統(tǒng)業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Aaron Gordon表示：“通過與英飛凌合作，Enphase利用CoolMOS™ 8 SJ MOSFET技術(shù)提高了自身微型逆變器系統(tǒng)的性能和經(jīng)濟(jì)性。該合作展現(xiàn)了我們在太陽能行業(yè)追求創(chuàng)新與卓越的決心。我們很高興能以極低的成本為客戶大幅提升電流功率密度。”
英飛凌最新推出的600 V CoolMOS™ 8 MOFET在全球高壓超結(jié)MOSFET技術(shù)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，為全球樹立了技術(shù)和性價(jià)比的標(biāo)準(zhǔn)。該技術(shù)提高了充電器和適配器、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電和不間斷電源（UPS） 等應(yīng)用的整體系統(tǒng)性能，進(jìn)一步推動了低碳化。
CoolMOS™ 8 SJ MOSFET 的柵極電荷較CFD7降低了18%，較P7系列降低了33%。柵極電荷的降低減少了MOSFET 的柵極從關(guān)斷狀態(tài)（非導(dǎo)通）切換到導(dǎo)通狀態(tài)（導(dǎo)通）所需的電荷，使系統(tǒng)更加節(jié)能。此外，CoolMOS™ 8 SJ MOSFET擁有更快的關(guān)斷時(shí)間，其熱性能較上一代產(chǎn)品提高了14%至42%。該產(chǎn)品集成快速體二極管，并提供SMD-QDPAK、TOLL和Thin-TOLL 8x8封裝，適用于各種消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用。
供貨情況
600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET 和 650 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET產(chǎn)品組合擴(kuò)展樣品將從四月初開始供應(yīng)。更多信息，敬請訪問www.infineon.com/coolmos8。
