三菱電機集團今日（2025年4月15日）宣布，將于4月22日開始供應兩款新型空調及家電用SLIMDIP系列功率半導體模塊樣品——全SiC SLIMDIP（PSF15SG1G6）和混合SiC SLIMDIP（PSH15SG1G6）。作為該企業(yè)SLIMDIP系列中首款采用SiC技術的緊湊型端子優(yōu)化模塊，這兩款產(chǎn)品在小型至大型電器應用中均能實現(xiàn)優(yōu)異的輸出性能與功耗降低，顯著提升能效表現(xiàn)。三菱電機將在PCIM Expo&Conference 2025（5月6-8日，德國紐倫堡）及日本、中國等國家的行業(yè)展會上展出這兩款產(chǎn)品。
三菱電機新開發(fā)的SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）芯片已集成至兩款新型SLIMDIP封裝中。與現(xiàn)行硅基逆導型絕緣柵雙極晶體管（RC-IGBT）SLIMDIP模塊相比，新型SiC模塊可為大容量家電提供更高的輸出功率。此外，與硅基模塊相比，全SiC SLIMDIP的功率損耗降低了79%1，混合SiC SLIMDIP的功率損耗降低了47%1，可使電器更節(jié)能。通過這兩款新型模塊與現(xiàn)有硅基RC-IGBT SLIMDIP模塊的組合，SLIMDIP系列現(xiàn)可為空調等家電的逆變器電路板提供三種選擇，每種選擇可分別滿足不同電氣容量與性能需求，在保持相同封裝的前提下，幫助減輕逆變器基板的設計負擔。
產(chǎn) 品 特 點
該系列首款SiC MOSFET模塊，幫助提升家電用大容量逆變器的輸出功率
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由于內(nèi)置了新開發(fā)的專為SLIMDIP封裝優(yōu)化的SiC MOSFET芯片，作為首款面向大容量家電的SiC SLIMDIP功率半導體模塊，其輸出功率較現(xiàn)有硅基RC-IGBT SLIMDIP模塊顯著提高
全SiC SLIMDIP模塊將功率損耗降低了79%，顯著提升家電能效
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全新SiC MOSFET模塊適配全SiC SLIMDIP的芯片尺寸與特性，與現(xiàn)行硅基模塊相比可降低79%1的功率損耗，顯著提升家電能效。當應用于空調壓縮機逆變器電路時，更可實現(xiàn)年功率損耗降低80%2
得益于SiC MOSFET和RC-IGBT，混合SiC SLIMDIP模塊將功率損耗降低了47%
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三菱電機將SiC MOSFET和RC-IGBT集成到單個功率半導體模塊中并應用于家電領域，與目前的硅基模塊相比，混合SiC SLIMDIP能夠將功耗降低47%1。當應用于空調壓縮機逆變器電路時，更可實現(xiàn)年功率損耗降低41%2
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混合SiC SLIMDIP內(nèi)部封裝了多個元件及連線，采用同一IC來驅動并聯(lián)的SiC MOSFET（低電流下低導通電壓）和Si RC-IGBT（高電流導通特性）并將之應用于家電領域
主要規(guī)格
背景
為實現(xiàn)更高水平的脫碳目標，市場對能夠高效轉換電力的家電用功率半導體的需求正持續(xù)增長，例如控制空調、洗衣機中壓縮機與風扇的逆變器。全球范圍內(nèi)，家用電器的節(jié)能逆變器正加速普及，而日本更在不斷加強家電能效的法規(guī)約束。在此背景下，對有助于提升逆變器效率的高性能功率半導體，其市場需求預計將保持持續(xù)增長態(tài)勢。
三菱電機于1997年實現(xiàn)DIPIPM智能功率半導體模塊商業(yè)化量產(chǎn)，該模塊采用壓注模結構，集成了具有驅動和保護功能的開關元件與控制IC。2010年，三菱電機推出了搭載SiC功率半導體模塊的“霧峰”家用空調。2015年，三菱電機發(fā)布了采用RC-IGBT的SLIMDIP系列模塊，較第6代超小型DIPIPM體積縮小約30%，助力家電產(chǎn)品向小型化與高能效演進。2016年，三菱電機公布了全SiC超小型DIPIPM，進一步推進家用空調的節(jié)能化。
注：混合SiC SLIMDIP產(chǎn)品所采用的并聯(lián)驅動與封裝技術，是與日本新能源產(chǎn)業(yè)技術綜合開發(fā)機構（NEDO）資助的"脫碳社會節(jié)能技術商業(yè)化開發(fā)促進計劃"合作研發(fā)的成果。
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